Массивы МОП-транзисторов - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Массивы МОП-транзисторов(4365)

Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/ключи Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Количество водителей Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Контактное покрытие Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Количество вариантов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Выходное напряжение Выходной ток Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки отключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Двойное напряжение питания Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение проба-мин. Технология полевых транзисторов Пороговое напряжение Мощность - Макс. Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Снижение сопротивления до источника Обратная связь Cap-Max (Crss) Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение проба стока к источнику Тип полярного транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Номинальный объем Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность левого транзистора РДС на Максе
UT6K30TCR УТ6К30ТКР РОМ Полупроводник 0,94 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-ut6k30tcr-datasheets-0131.pdf 8-PowerUDFN 6 16 недель ДА НЕТ ЛИДЕСА НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 С-ПДСО-Н6 КРЕМНИЙ РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 60В 60В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 2 Вт Та 3А 12А 0,223 Ом 1,3 мДж 2 N-канала (двойной) 110пФ при 30В 153 мОм при 3 А, 10 В 2,7 В @ 50 мкА 3А Та 2,1 НК при 10 В Стандартный
UT6JA3TCR UT6JA3TCR РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 8-PowerUDFN 6 16 недель EAR99 ДА НЕТ ЛИДЕСА НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 Р-ПДСО-Н6 КРЕМНИЙ РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 20 В 20 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 2 Вт Та 5А 12А 0,059 Ом 4 мДж 2 P-канала (двойной) 460пФ при 10В 59 мОм при 5 А, 4,5 В 1,5 В при 1 мА 5А Та 6,5 нк при 4,5 В Стандартный
TSM300NB06DCR RLG TSM300NB06DCR РЛГ Тайванская полупроводниковая корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm300nb06dcrrlg-datasheets-0361.pdf 8-PowerTDFN 4 недели 8-ПДФН (5х6) 60В 2 Вт Та 40 Вт Тс 2 N-канала (двойной) 1079пФ при 30 В 30 мОм при 6 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 6А Та 25А Ц 17 НК при 10 В Стандартный
SSM6P54TU,LF ССМ6П54ТУ,ЛФ Полупроводники Toshiba и системы хранения данных 0,34 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS 6-SMD, плоские выводы 12 недель 20 В 500мВт Та 2 P-канала (двойной) 331пФ при 10 В 228 мОм при 600 мА, 2,5 В 1 В @ 1 мА 1,2 А Та 7,7 НК при 4 В Ворота логического уровня, привод 1,5 В
DMTH4011SPDQ-13 DMTH4011SPDQ-13 Диодс Инкорпорейтед
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/diodesincorporated-dmth4011spdq13-datasheets-0260.pdf 8-PowerTDFN 19 недель EAR99 е3 Матовый олово (Sn) НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 40В 2,6 Вт Та 2 N-канала (двойной) 805пФ при 20 В 15 мОм при 20 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 11,1А Та 42А Ц 10,6 нк при 10 В Стандартный
2N7002KDW-TP 2N7002KDW-TP Микрокоммерческие компоненты (MCC)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~150°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/microcommercialco-2n7002kdwtp-datasheets-9851.pdf 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 12 недель 260 10 60В 150 мВт 2 N-канала (двойной) 40пФ при 10В 5 Ом при 500 мА, 10 В 2,5 В при 1 мА 340 мА Стандартный
FDMS7608S ФДМС7608С ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать PowerTrench® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2017 год /files/onsemiconductor-fdms7608s-datasheets-0270.pdf 8-PowerWDFN 5 мм 725 мкм 6 мм Без свинца 6 16 недель 226мг 10МОм 8 2 АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) да EAR99 Нет е4 Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) 2,5 Вт Двойной 2 Полевой транзистор общего назначения Р-ПДСО-Н6 30 В 22А 7 нс 10 нс 10 нс 20 нс 15А 20 В КРЕМНИЙ ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 1 Вт 30А 65 пФ 30 В 2 N-канала (двойной) 1510пФ при 15В 10 мОм при 12 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 12А 15А 24 НК при 10 В Ворота логического уровня
FW217A-TL-2W FW217A-TL-2W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2013 год /files/onsemiconductor-fw217atl2w-datasheets-0091.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Без свинца 7 недель 8 АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) да EAR99 е3 Олово (Вс) 2,2 Вт 8 8 нс 34 нс 30 нс 31 нс 6А 20 В 35В 2 N-канала (двойной) 470пФ при 20В 39 мОм при 6 А, 10 В 10 нк @ 10 В Ворота логического уровня, привод 4,5 В
AONY36352 AONY36352 Альфа и Омега Полупроводник Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 8-PowerSMD, плоские выводы 18 недель 30 В 3,1 Вт Ta 21 Вт Tc 3,1 Вт Ta 45 Вт Tc 2 N-канальных (двойных) асимметричных 820пФ при 15В 2555пФ при 15В 5,3 мОм при 20 А, 10 В, 2 м Ом при 20 А, 10 В 2,1 В при 250 мкА, 1,9 В при 250 мкА 18,5 А Ta 49 А Tc 30 А Ta 85 А Tc 20 нк при 10 В, 52 нк при 10 В Стандартный
MCQ7328-TP MCQ7328-TP Микрокоммерческие компоненты (MCC)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/microcommercialco-mcq7328tp-datasheets-0104.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 12 недель 260 10 30 В 1,4 Вт 2 P-канала (двойной) 2675 нФ при 25 В 21 мОм при 8 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 8А 78 НК при 10 В Стандартный
SH8K51GZETB Ш8К51ГЗЭТБ РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 16 недель 35В 1,4 Вт Та 2 N-канала (двойной) 300пФ при 10В 58 мОм при 4 А, 10 В 2,8 В @ 1 мА 4А Та 5,6 нк при 5 В Стандартный
FDS6986AS FDS6986AS ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать PowerTrench®, SyncFET™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2005 г. /files/onsemiconductor-fds6986as-datasheets-0108.pdf 30 В 7,9А 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 5 мм 1,5 мм 3,99 мм Без свинца 8 18 недель 187 мг Нет СВХК 29МОм 8 АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) да EAR99 Нет е3 Олово (Вс) 900мВт КРЫЛО ЧАЙКИ Двойной 2 Вт 2 Полевой транзистор общего назначения 9нс 3 нс 24 нс 7,9 мА 20 В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 1,7 В 6,5 А 30 В 2 N-канала (двойной) 720пФ при 10 В 29 мОм при 6,5 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 6,5 А 7,9 А 17 НК при 10 В Ворота логического уровня
SIZ328DT-T1-GE3 СИЗ328ДТ-Т1-GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать TrenchFET® Gen IV Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/vishaysiliconix-siz328dtt1ge3-datasheets-0098.pdf 8-PowerWDFN 14 недель 8-Сила33 (3х3) 25В 2,9 Вт Ta 15 Вт Tc 3,6 Вт Ta 16,2 Вт Tc 2 N-канала (двойной) 325 пФ при 10 В 600 пФ при 10 В 15 мОм при 5 А, 10 В, 10 мОм при 5 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 11,1 А Ta 25,3 А Tc 15 А Ta 30 А Tc 6,9 нк при 10 В, 11,3 нк при 10 В Стандартный
SIZ200DT-T1-GE3 СИЗ200ДТ-Т1-GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать TrenchFET® Gen IV Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-siz200dtt1ge3-datasheets-0138.pdf 8-PowerWDFN 14 недель 8-PowerPair® (3,3x3,3) 30 В 4,3 Вт Та 33 Вт Тс 2 N-канала (двойной) 1510пФ при 15В 1600пФ при 15В 5,5 мОм при 10 А, 10 В, 5,8 мОм при 10 А, 10 В 2,4 В при 250 мкА 22А Та 61А Ц 22А Та 60А Ц 28 нк при 10 В, 30 нк при 10 В Стандартный
SQS944ENW-T1_GE3 SQS944ENW-T1_GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sqs944enwt1ge3-datasheets-0142.pdf PowerPAK® 1212-8W двойной 14 недель PowerPAK® 1212-8W двойной 40В 27,8 Вт Тс 2 N-канала (двойной) 615пФ при 25В 25 мОм при 1,25 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 6А Тк 10 нк @ 10 В Стандартный
QH8K26TR QH8K26TR РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/rohmsemiconductor-qh8k26tr-datasheets-0129.pdf 8-СМД, плоский вывод 8 16 недель не_совместимо ДА НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 Р-ПДСО-Ф8 КРЕМНИЙ РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 40В 40В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 1,1 Вт Та 18А 0,038Ом 1 мДж 2 N-канала (двойной) 275пФ при 20В 38 мОм при 7 А, 10 В 2,5 В при 1 мА 7А Та 2,9 нк при 5 В Стандартный
FDMC007N30D FDMC007N30D ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 8-PowerWDFN 8 23 недели 186 мг АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) да EAR99 е4 Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) НЕТ ЛИДЕСА НЕ УКАЗАН Двойной НЕ УКАЗАН 2 С-ПДСО-Н8 КРЕМНИЙ ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 30 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 1,9 Вт 2,5 Вт 29А 0,0116Ом 30 пФ 2 N-канала (двойной) 1110пФ при 15В 2360пФ при 15В 11,6 мОм при 10 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 46А 34 НК при 10 В Стандартный
SH8K26GZ0TB Ш8К26ГЗ0ТБ РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/rohmsemiconductor-sh8k26gz0tb-datasheets-0089.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 16 недель НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 40В 2 Вт Та 2 N-канала (двойной) 280пФ при 10В 38 мОм при 6 А, 10 В 2,5 В при 1 мА 6А Та 2,9 нк при 5 В Стандартный
SIS903DN-T1-GE3 SIS903DN-T1-GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать TrenchFET® Gen III Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/vishaysiliconix-sis903dnt1ge3-datasheets-0127.pdf PowerPAK® 1212-8 двойной 14 недель PowerPAK® 1212-8 двойной 20 В 2,6 Вт Та 23 Вт Тс 2 P-канала (двойной) 2565пФ при 10 В 20,1 мОм при 5 А, 4,5 В 1 В при 250 мкА 6А Тк 42 НК при 10 В Стандартный
SSM6N68NU,LF ССМ6Н68НУ,ЛФ Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 6-WDFN Открытая площадка 12 недель 30 В 2 Вт Та 2 N-канала (двойной) 129пФ при 15В 84 мОм при 2 А, 4,5 В 1 В @ 1 мА 4А Та 1,8 нк @ 4,5 В Ворота логического уровня, привод 1,8 В
SP8M21FRATB СП8М21ФРАТБ РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж 150°С Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2017 год 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 20 недель Неизвестный 8 EAR99 не_совместимо ДА 2 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 6А КРЕМНИЙ РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ 45В 45В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 2,5 В 6А 24А 0,037Ом N и P-канал 1400пФ при 10В 2400пФ при 10В 25 мОм при 6 А, 10 В, 46 м Ом при 4 А, 10 В 2,5 В при 1 мА 6А Та 4А Та 21,6 нк при 5 В, 28 нк при 5 В Стандартный
SSM6L14FE(TE85L,F) ССМ6Л14ФЭ(ТЕ85Л,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS СОТ-563, СОТ-666 12 недель EAR99 ДА Другие транзисторы Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ 0,15 Вт 20 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 150 мВт Та 0,8А N и P-канал 90пФ 110пФ при 10В 240 мОм при 500 мА, 4,5 В, 300 мОм при 400 мА, 4,5 В 1 В @ 1 мА 800 мА Та 720 мА Та 2 нк, 1,76 нк при 4,5 В Ворота логического уровня, привод 1,5 В
SQS966ENW-T1_GE3 SQS966ENW-T1_GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/vishaysiliconix-sqs966enwt1ge3-datasheets-0180.pdf PowerPAK® 1212-8W двойной PowerPAK® 1212-8W двойной 60В 27,8 Вт Тс 2 N-канала (двойной) 572пФ при 25 В 36 мОм при 1,25 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 6А Тк 8,8 НК при 10 В Стандартный
SSM6N17FU(TE85L,F) ССМ6Н17ФУ(ТЭ85Л,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) СМД/СМТ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2007 год /files/toshiba-ssm6n17fute85lf-datasheets-0493.pdf 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 12 недель Нет СВХК 6 EAR99 Серебро, Олово 200мВт Двойной 200мВт 2 Полномочия общего назначения FET 100 нс 40 нс 100 мА 7В 50В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 1,5 В 200мВт Та 0,1 А 2 N-канала (двойной) 7пФ @ 3В 1,5 В 20 Ом при 10 мА, 4 В 1,5 В @ 1 мкА 100 мА Та Стандартный
SSM6P39TU,LF ССМ6П39ТУ,ЛФ Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS 6-SMD, плоские выводы 12 недель 20 В 500мВт Та 2 P-канала (двойной) 250пФ при 10В 213 мОм при 1 А, 4 В 1 В @ 1 мА 1,5 А Та 6,4 НК при 4 В Ворота логического уровня, привод 1,8 В
ALD1101ASAL АЛД1101АСАЛ Advanced Linear Devices Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТДж Трубка 1 (без блокировки) 70°С 0°С Соответствует ROHS3 2003 г. /files/advancedlineardeviceinc-ald1101asal-datasheets-9948.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 недель 8 500мВт Двойной 500мВт 8-СОИК 40 мА 13,2 В 10,6 В 500мВт 75Ом -12В 2 N-канальных (двойных) согласованных пар 75 Ом при 5 В 1 В @ 10 мкА Стандартный 75 Ом
SSM6N16FUTE85LF SSM6N16FUTE85LF Полупроводники Toshiba и системы хранения данных 0,40 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2014 год 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 12 недель EAR99 неизвестный 200мВт 2 Двойной Полномочия общего назначения FET 70 нс 125 нс 100 мА 1,1 В 20 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 0,1 А 20 В 2 N-канала (двойной) 9,3 пФ при 3 В 3 Ом при 10 мА, 4 В 1,1 В при 100 мкА Стандартный
EFC2K101NUZTDG EFC2K101NUZTDG ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) Непригодный Соответствует ROHS3 /files/onsemiconductor-efc2k101nuztdg-datasheets-9962.pdf 6-СМД, без свинца 6 недель да 12 В 1,4 Вт Та 2 N-канальных (двойных) с общим стоком 6,2 мОм при 5 А, 4,5 В 1,3 В при 1 мА 15А Та 16 НК при 3,8 В Ворота логического уровня, привод 2,5 В
MCQ4828A-TP MCQ4828A-TP Микро Коммерческая Компания
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-mcq4828atp-datasheets-9969.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 12 недель 260 10 60В 1,25 Вт Та 2 N-канала (двойной) 540пФ при 30В 56 мОм при 4,5 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 4,5 А Та 10,5 НК при 10 В Стандартный
SQ1912AEEH-T1_GE3 SQ1912AEEH-T1_GE3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2016 год /files/vishaysiliconix-sq1912aeeht1ge3-datasheets-9964.pdf PowerPAK® SC-70-6 Двойной 12 недель 6 EAR99 неизвестный НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 66 нс 108 нс 390 нс 715 нс 800мА 12 В 20 В 1,5 Вт 2 N-канала (двойной) 27пФ при 10В 280 мОм при 1,2 А, 4,5 В 1,5 В @ 250 мкА 800 мА Тс 1,25 НК при 4,5 В Стандартный
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)