Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ДМН61Д8ЛВТ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn61d8lvt7-datasheets-1664.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 17 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 820мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 630 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 820мВт | 0,63 А | 2,4 Ом | 2 N-канала (двойной) | 12,9 пФ при 12 В | 1,8 Ом при 150 мА, 5 В | 2 В при 1 мА | 0,74 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМ6К31ГТ2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-em6k31t2r-datasheets-1247.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 16 недель | 120 мВт | 250 мА | 60В | 120 мВт | 2 N-канала (двойной) | 15пФ при 25В | 2,4 Ом при 250 мА, 10 В | 2,3 В при 1 мА | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA928DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sia928djt1ge3-datasheets-1484.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 14 недель | Нет СВХК | 6 | EAR99 | PowerPAK SC70-6L двойной | 7,8 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4,5 А | 30 В | 2,2 В | 2 N-канала (двойной) | 490пФ при 15В | 25 мОм при 5 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 4,5 А Тс | 4,5 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6П40ТУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 6-SMD, плоские выводы | 12 недель | 30 В | 500мВт Та | 2 P-канала (двойной) | 120пФ при 15В | 226 мОм при 1 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 1,4 А Та | 2,9 НК при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDG6332C-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdg6332cf085-datasheets-1394.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1,1 мм | 6 | 42 недели | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 300мВт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 150°С | Р-ПДСО-Г6 | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,7 А | 0,3 Ом | N и P-канал | 113пФ при 10 В | 300 мОм при 700 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 700 мА 600 мА | 1,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC3730UFL3-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmc3730ufl37-datasheets-1512.pdf | 6-XFDFN Открытая площадка | 14 недель | 6 | да | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 390мВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,1А | 30 В | Дополняющие N и P-каналы | 65,9 пФ при 25 В | 460 мОм при 200 мА, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 1,1 А 700 мА | 0,9 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1029X-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si1029xt1ge3-datasheets-1515.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 32,006612мг | Нет СВХК | 4Ом | 6 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | СИ1029 | 6 | Двойной | 40 | 250 мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 305 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 В | 0,305А | 60В | N и P-канал | 30пФ при 25В | 1,4 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 305 мА 190 мА | 0,75 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1965DH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si1965dht1e3-datasheets-1509.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 28,009329мг | 390МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1965 | 6 | Двойной | 40 | 740 МВт | 2 | Другие транзисторы | 12 нс | 27нс | 27 нс | 15 нс | 1,14А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,3А | 2 P-канала (двойной) | 120пФ при 6В | 390 мОм при 1 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 1,3А | 4,2 НК при 8 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCCD2007-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-mccd2007tp-datasheets-1477.pdf | 6-WFDFN Открытая площадка | 12 недель | да | 260 | 10 | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1150пФ при 10В | 20 мОм при 7 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 7А | 15 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТМ763200LBF | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/panasonicelectroniccomComponents-mtm763200lbf-datasheets-1533.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 600 мкм | 1,7 мм | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 6 | EAR99 | неизвестный | е6 | ОЛОВО ВИСМУТ | 700мВт | НЕ УКАЗАН | МТМ76320 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 700мВт | 2 | 1,2А | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,9 А | 0,105 Ом | N и P-канал | 280пФ при 10В | 850 мВ | 105 мОм при 1 А, 4 В | 1,3 В при 1 мА | 1,9 А 1,2 А | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCCD2005-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-mccd2005tp-datasheets-1494.pdf | 6-WFDFN Открытая площадка | 12 недель | да | 260 | 10 | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1800пФ при 10В | 13 мОм при 8 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 8А | 17,9 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG1016VQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-dmg1016vq7-datasheets-1415.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 600 мкм | 15 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 530мВт | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 530мВт | 150°С | 5,1 нс | 640 мА | 6В | 20 В | N и P-канал | 60,67 пФ при 16 В | 400 мОм при 600 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 870 мА 640 мА | 0,74 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДГ6321С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdg6321c-datasheets-1549.pdf | 500 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1,1 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 28мг | Нет СВХК | 450мОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 300мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 8нс | 8 нс | 55 нс | 500 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 800мВ | 0,5 А | 25В | N и P-канал | 50пФ при 10В | 450 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 500 мА 410 мА | 2,3 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4629 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 18 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 Вт | 2 | 5,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 0,03 Ом | 50 пФ | N и P-каналы, общий сток | 310пФ при 15В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 6А 5,5А | 6,3 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП56Д0УВ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmp56d0uv7-datasheets-1418.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 3,005049мг | Нет СВХК | 6 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 400мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | Двойной | 30 | 400мВт | 2 | Другие транзисторы | 4,46 нс | 6,63 нс | 15 нс | 21,9 нс | 160 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6Ом | -50В | 2 P-канала (двойной) | 50,54 пФ при 25 В | 6 Ом при 100 мА, 4 В | 1,2 В @ 250 мкА | 0,58 нк при 4 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н7002В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-2n7002v-datasheets-1455.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | 11 недель | 32мг | Нет СВХК | 7,5 Ом | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 250 мВт | ПЛОСКИЙ | Двойной | 250 мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 5,85 нс | 12,5 нс | 280 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,76 В | 7 пФ | 60В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 1,76 В | 7,5 Ом при 50 мА, 5 В | 2,5 В при 250 мкА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC1015UPD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmc1015upd13-datasheets-0854.pdf | 8-PowerTDFN | 17 недель | 8 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,3 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 6,9А | 12 В | N и P-канал | 1495пФ при 6В | 17 мОм при 11,8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 9,5 А 6,9 А | 15,6 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1023cxt1ge3-datasheets-1220.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 14 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 220мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | 30 | 220мВт | 2 | Другие транзисторы | 9 нс | 10 нс | 8 нс | 10 нс | 450 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,45 А | 1,038 Ом | 2 P-канала (двойной) | 45пФ при 10В | 756 мОм при 350 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC4619R-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-efc4619rtr-datasheets-1235.pdf | 4-XFBGA, FCBGA | Без свинца | 23 недели | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | Без галогенов | 1,6 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 340 нс | 440 нс | 22,4 мкс | 24,4 мкс | 6А | 12 В | 24В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 23мОм | 2 N-канала (двойной) | 21,7 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН32Д2ЛВ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmn32d2lv7-datasheets-1061.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 600 мкм | 1,2 мм | 6 | 16 недель | 3,005049мг | Нет СВХК | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 400мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | ДМН32Д2ЛВ | 6 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 400 мА | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,4 А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 39пФ при 3В | 1,2 Ом при 100 мА, 4 В | 1,2 В @ 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN63D8LDWQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmn63d8ldwq7-datasheets-1175.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 15 недель | 300мВт | СОТ-363 | 22пФ | 220 мА | 30 В | 300мВт | 2 N-канала (двойной) | 22пФ при 25В | 2,8 Ом при 250 мА, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 220 мА | 0,87 НК при 10 В | Стандартный | 2,8 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМ6К31Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/rohmsemiconductor-em6k31t2r-datasheets-1247.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 16 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 120 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | *К31 | 6 | 2 | 10 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 3,5 нс | 5нс | 28 нс | 18 нс | 250 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150 мВт | 60В | 2 N-канала (двойной) | 15пФ при 25В | 2,4 Ом при 250 мА, 10 В | 2,3 В при 1 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ1912EH-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sq1912eht1ge3-datasheets-1230.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 12 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 Вт | 0,8А | 0,28 Ом | 12 пФ | 2 N-канала (двойной) | 75пФ при 10В | 280 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 800 мА Тс | 1,15 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6П41ФЭ(ТЕ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | неизвестный | 150 мВт | ССМ6П41 | 720 мА | 20 В | 150 мВт | 2 P-канала (двойной) | 110пФ при 10В | 300 мОм при 400 мА, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 1,76 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1016xt1ge3-datasheets-1326.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 32,006612мг | 700мОм | 6 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | СИ1016 | 6 | 40 | 250 мВт | 2 | Другие транзисторы | 485 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,485А | 20 В | N и P-канал | 700 мОм при 600 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 485 мА 370 мА | 0,75 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТТ8М3ТР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/rohmsemiconductor-tt8m3tr-datasheets-1348.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 10 недель | да | EAR99 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | 8 | 10 | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф8 | 2,4А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 А | 0,09 Ом | N и P-канал | 260пФ при 10В | 72 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 2,5 А 2,4 А | 3,6 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН62Д0УТ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 14 недель | СОТ-363 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6L36FE,ЛМ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 16 недель | неизвестный | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ССМ6Л36 | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 330 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,5 А | 0,85 Ом | N и P-канал | 46пФ при 10В | 630 мОм при 200 мА, 5 В | 1 В @ 1 мА | 500 мА 330 мА | 1,23 НК при 4 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УМ6К1НТН | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 30 В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 12 недель | Нет СВХК | 13Ом | 6 | да | EAR99 | Нет | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *К1 | 6 | 1 | Двойной | 10 | 150 мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 15 нс | 35 нс | 35 нс | 80 нс | 100 мА | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 13пФ @ 5В | 1,5 В | 8 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 100 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLUD3A260PZTBG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-ntlud3a260pztbg-datasheets-1373.pdf | 6-УФДФН Открытая площадка | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 500мВт | 6 | Двойной | 800мВт | 2 | Другие транзисторы | 17,4 нс | 32,3 нс | 74 нс | 149 нс | 1,3А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,7 А | 0,2 Ом | 2 P-канала (двойной) | 300пФ при 10В | 200 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня |
