Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI5935CDC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si5935cdct1e3-datasheets-1877.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 84,99187мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 3,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5935 | 8 | Двойной | 30 | 1,3 Вт | 2 | Другие транзисторы | 10 нс | 32нс | 32 нс | 25 нс | 3,1А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 0,1 Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 455пФ при 10 В | 100 мОм при 3,1 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4А | 11 НК при 5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТЛЖД3115ПТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntljd3115pt1g-datasheets-1885.pdf | -20В | -4,1А | 6-WDFN Открытая площадка | 2 мм | 750 мкм | 2 мм | Без свинца | 6 | 9 недель | 100МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | ДА | 710мВт | С ИЗГИБ | 260 | НТЛЖД3115П | 6 | Двойной | 40 | 1,5 Вт | 2 | Другие транзисторы | 6 нс | 15 нс | 15 нс | 19,8 нс | 3,3А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 В | 2 P-канала (двойной) | 531пФ при 10 В | 100 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,3А | 6,2 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8К3ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8k3tb-datasheets-1889.pdf | 30 В | 3,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | да | EAR99 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *К3 | 8 | 10 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 10 нс | 7А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 0,035 Ом | 2 N-канала (двойной) | 600пФ при 10 В | 24 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 11,8 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCQ4503-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/microcommercialco-mcq4503tp-datasheets-1916.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 22 недели | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 В | 1,4 Вт | N и P-канал | 1380пФ при 25В | 36 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,3 А 8,6 А | 20 НК при 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS8J11TCR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 10 недель | да | EAR99 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 550 мВт | 260 | 8 | 10 | 2 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Ф8 | 3,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 550 мВт | 12А | 0,043Ом | 2 P-канала (двойной) | 2600пФ при 6В | 43 мОм при 3,5 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 22 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UT6MA2TCR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-ut6ma2tcr-datasheets-1958.pdf | 8-PowerUDFN | 6 | 16 недель | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-Н6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт Та | 4А | 12А | 0,08 Ом | 6,4 мДж | N и P-канал | 180пФ 305пФ при 15В | 46 мОм при 4 А, 10 В, 70 м Ом при 4 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 4А Та | 4,3 нк, 6,7 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УП0497900Л | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-up0497900l-datasheets-1389.pdf | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 125 МВт | ССМИНИ6-Ф1 | 100 мА | 50В 30В | 125 МВт | N и P-канал | 12 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 1 мкА | 100 мА | Ворота логического уровня | 12 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС2804 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 4-XFDFN | 16 недель | 4 | 700мВт | 4-АльфаДФН (1,57х1,57) | 700мВт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 9,5 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8657-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-ech8657tlh-datasheets-1978.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 2 недели | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 1,5 Вт | 8 | Двойной | 6 нс | 11нс | 9 нс | 17 нс | 4,5 А | 20 В | 35В | 2 N-канала (двойной) | 230пФ при 20В | 59 мОм при 2 А, 10 В | 4,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMRDM3575 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmrdm3575trpbfree-datasheets-1945.pdf | СОТ-963 | 22 недели | ДА | Другие транзисторы | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 0,125 Вт | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 125 МВт | 0,16 А | N и P-канал | 9пФ @ 15В | 3 Ом @ 100 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 160 мА 140 мА | 0,46 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УС6М1ТР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/rohmsemiconductor-us6m1tr-datasheets-1997.pdf | 1,4 А | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 770 мкм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | Нет СВХК | 280МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 1 Вт | 260 | 6М1 | 6 | Двойной | 10 | 1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 8нс | 10 нс | 25 нс | 1А | -12В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 30В 20В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -20В | N и P-канал | 70пФ при 10В | 2,5 В | 240 мОм при 1,4 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 1,4 А 1 А | 2 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| US6M2GTR | РОМ Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-us6m2gtr-datasheets-2048.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 16 недель | 30В 20В | 1 Вт | N и P-канал | 80 пФ при 10 В 150 пФ при 10 В | 240 мОм при 1,5 А, 4,5 В, 390 м Ом при 1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 1 мА, 2 В @ 1 мА | 1,5 А 1 А | 2,2 нк при 4,5 В, 2,1 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX3008CBKV,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-nx3008cbkv115-datasheets-1328.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 4 недели | НИЗКИЙ ПОРОГ | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 500мВт | 0,4 А | N и P-канал | 50пФ при 15В | 1,4 Ом при 350 мА, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 400 мА 220 мА | 0,68 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6664-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mch6664tlw-datasheets-1842.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 7 недель | 7,512624 мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 800мВт | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 800мВт | 2 | 4 нс | 3,3 нс | 5,4 нс | 12 нс | 1,5 А | 20 В | 30 В | -2,6 В | 2 P-канала (двойной) | 82пФ при 10 В | 325 мОм при 800 мА, 10 В | 2,6 В @ 1 мА | 2,2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6663-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mch6663tlw-datasheets-1882.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 6 | 7 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 800мВт | ДВОЙНОЙ | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 1,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 А | 0,188Ом | N и P-канал | 88пФ при 10 В | 188 мОм при 900 мА, 10 В | 2,6 В @ 1 мА | 1,8 А 1,5 А | 2 НК при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Н57НУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-WDFN Открытая площадка | 12 недель | 6 | неизвестный | 1 Вт | Двойной | 4А | 12 В | 30 В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 310пФ при 10 В | 46 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 4нК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC6605R-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-efc6605rtr-datasheets-1315.pdf | 6-СМД, без свинца | Без свинца | 7 недель | 65,99769мг | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | 1,6 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 154 нс | 678нс | 60,8 мкс | 44,4 мкс | 10А | 10 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 13,3 мОм | 2 N-канала (двойной) | 19,8 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н7002БКВ,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-2n7002bkv115-datasheets-1286.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 4 недели | 1,6 Ом | 6 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | ДА | 350 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | Двойной | 40 | 525 МВт | 2 | 5 нс | 6нс | 7 нс | 12 нс | 340 мА | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350 мВт | 0,34 А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 10В | 1,6 Ом при 500 мА, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 0,6 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТТ8К11ТКР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/rohmsemiconductor-tt8k11tcr-datasheets-1639.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 10 недель | EAR99 | не_совместимо | 1 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф8 | 3А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 Вт | 3А | 0,109 Ом | 2 N-канала (двойной) | 140пФ при 10В | 71 мОм при 3 А, 10 В | 2,5 В при 1 А | 2,5 НК при 5 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn61d8lvtq7-datasheets-1657.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 17 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 820мВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 630 мА | 60В | 820мВт | 2 N-канала (двойной) | 12,9 пФ при 12 В | 1,8 Ом при 150 мА, 5 В | 2 В при 1 мА | 0,74 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3035LWN-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn3035lwn7-datasheets-1620.pdf | 8-PowerVDFN | 6 | 14 недель | 8 | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 770мВт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Н6 | 5,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 770мВт | 0,035 Ом | 2 N-канала (двойной) | 399пФ при 15 В | 35 мОм при 4,8 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 9,9 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTGD3148NT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntgd3148nt1g-datasheets-1634.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 15 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НТГД3148Н | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 1,1 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 11,2 нс | 1,6 нс | 12,8 нс | 3А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3А | 0,07 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 300пФ при 10В | 70 мОм при 3,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,8 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДГ6335Н | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdg6335n-datasheets-1704.pdf | 20 В | 700 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1,1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 28мг | Нет СВХК | 300МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 300мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | 5 нс | 7нс | 7 нс | 9 нс | 700 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1 В | 0,7 А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 113пФ при 10 В | 300 мОм при 700 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 1,4 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH6636R-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-cph6636rtlw-datasheets-1661.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 7 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 900мВт | 65 нс | 300 нс | 98 мкс | 22 мкс | 6А | 12 В | 24В | 24В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 20 мОм при 3 А, 4,5 В | 3nC @ 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2041ЛСД-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-dmn2041lsd13-datasheets-1826.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | 8 | 15 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,16 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМН2041ЛСД | 8 | 40 | 1,16 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 4,69 нс | 13,19 нс | 6,43 нс | 22,1 нс | 7,63А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7,6А | 30А | 2 N-канала (двойной) | 550пФ при 10 В | 28 мОм при 6 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 15,6 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMH2418R-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-emh2418rtlh-datasheets-1391.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 9 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1,3 Вт | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 120 нс | 170 нс | 22,6 мкс | 17,5 мкс | 9А | 12 В | 24В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 15 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,3 В при 1 мА | 4,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2014LHAB-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn2014lhab7-datasheets-1834.pdf | 6-УФДФН Открытая площадка | 3,05 мм | 600 мкм | 2,05 мм | 14 недель | 7 | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 800мВт | 260 | 30 | 6,9 нс | 15,5 нс | 12 нс | 40,9 нс | 9,3А | 12 В | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1550пФ при 10В | 13 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 9А | 16 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП210ДУДЖ-7 | Диодс Инкорпорейтед | 0,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmp210dudj7-datasheets-1582.pdf | СОТ-963 | 6 | 19 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 330мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | Двойной | 40 | 330мВт | 2 | Другие транзисторы | 7,7 нс | 19,3 нс | 31,5 нс | 25,9 нс | 200 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,14 А | 5Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 27,44 пФ при 15 В | 5,5 Ом при 100 мА, 4,5 В | 1,15 В @ 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TT8J13TCR | РОМ Полупроводник | 0,57 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-tt8j13tcr-datasheets-1593.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 10 недель | да | EAR99 | 1 Вт | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Ф8 | 2,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 Вт | 5А | 0,062Ом | 2 P-канала (двойной) | 2000пФ при 6В | 62 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 16 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7611 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 18 недель | 1,5 Вт | 18,5А | 30 В | N и P-каналы, общий сток | 170пФ при 15В | 50 мОм при 4 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 9А 18,5А | 10 нк @ 10 В | Ворота логического уровня |
