| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Входное напряжение-ном. | Входное напряжение (макс.) | Код JEDEC-95 | Техника управления | Конфигурация коммутатора | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Частота переключения-Макс. | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SSM6L36FE,ЛМ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 16 недель | неизвестный | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ССМ6Л36 | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 330 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,5 А | 0,85 Ом | N и P-канал | 46пФ при 10В | 630 мОм при 200 мА, 5 В | 1 В @ 1 мА | 500 мА 330 мА | 1,23 НК при 4 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УМ6К1НТН | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 30 В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 12 недель | Нет СВХК | 13Ом | 6 | да | EAR99 | Нет | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *К1 | 6 | 1 | Двойной | 10 | 150 мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 15 нс | 35 нс | 35 нс | 80 нс | 100 мА | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 13пФ @ 5В | 1,5 В | 8 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 100 мкА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLUD3A260PZTBG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-ntlud3a260pztbg-datasheets-1373.pdf | 6-УФДФН Открытая площадка | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 500мВт | 6 | Двойной | 800мВт | 2 | Другие транзисторы | 17,4 нс | 32,3 нс | 74 нс | 149 нс | 1,3А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,7 А | 0,2 Ом | 2 P-канала (двойной) | 300пФ при 10В | 200 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMCXB900UELZ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/nexperiausainc-pmcxb900uelz-datasheets-0906.pdf | 6-XFDFN Открытая площадка | 6 | 4 недели | МЭК-60134 | 380мВт | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 6 | 2 | Р-ПДСО-Н6 | 600 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 380мВт | 0,6А | 0,62 Ом | Дополняющие N и P-каналы | 21,3 пФ при 10 В | 620 мОм при 600 мА, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 0,7 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1926DL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si1926dlt1ge3-datasheets-1035.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 14 недель | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 510мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 30 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Г6 | 6,5 нс | 12нс | 14 нс | 13 нс | 370 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 18,5 пФ при 30 В | 1,4 Ом при 340 мА, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 1,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6L35FE,ЛМ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 16 недель | неизвестный | 150 мВт | ССМ6Л35 | 100 мА | 20 В | N и P-канал | 9,5 пФ при 3 В | 3 Ом при 50 мА, 4 В | 1 В @ 1 мА | 180 мА 100 мА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHC21025,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-phc21025118-datasheets-7306.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | 8 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 3,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | МС-012АА | N и P-канал | 250пФ при 20В | 100 мОм при 2,2 А, 10 В | 2,8 В @ 1 мА | 3,5 А 2,3 А | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМ6К6Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/rohmsemiconductor-em6k6t2r-datasheets-1048.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 16 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | *К6 | 6 | Двойной | 10 | 150 мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 5 нс | 10 нс | 10 нс | 15 нс | 300 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,3 А | 1,4 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 25пФ при 10В | 1 Ом при 300 мА, 4 В | 1 В @ 1 мА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTMC8E280LBF | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-mtmc8e280lbf-datasheets-1025.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 1 Вт | MTMC8E28 | WМини8-F1 | 1,5 нФ | 7А | 20 В | 1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1500пФ при 10В | 21 мОм при 2 А, 4,5 В | 1,3 В при 1 мА | 7А | Стандартный | 21 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX138AKSX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/nexperiausainc-nx138aksx-datasheets-0887.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | МЭК-60134 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 325 МВт | 0,17 А | 2 N-канала (двойной) | 20пФ при 30В | 4,5 Ом при 170 мА, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 170 мА Та | 1,4 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6662-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mch6662tlw-datasheets-1039.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 6 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 800мВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 5,1 нс | 11нс | 12 нс | 14,5 нс | 2А | 10 В | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 128пФ при 10В | 160 мОм при 1 А, 4,5 В | 1,3 В при 1 мА | 1,8 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСС138БКШ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/nexperiausainc-bss138bksh-datasheets-0821.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 4 недели | 60В | 445 МВт | 2 N-канала (двойной) | 56пФ при 10В | 1,6 Ом при 320 мА, 10 В | 1,6 В @ 250 мкА | 320 мА Та | 0,7 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIL2308-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microcommercialco-sil2308tp-datasheets-1122.pdf | СОТ-23-6 | 12 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 20 В | N и P-канал | 800пФ 405пФ при 8В 10В | 38 м Ом при 4,5 А, 4,5 В, 90 м Ом при 500 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5А 4А | 11 нк при 4,5 В, 12 нк при 2,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМДПБ95XNE2X | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/nexperiausainc-pmdpb95xne2x-datasheets-0638.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 8 недель | МЭК-60134 | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-Н6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 510мВт Та | 2,7А | 0,099 Ом | 2 N-канала (двойной) | 258пФ при 15В | 99 мОм при 2,8 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 2,7А Та | 4,5 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1967DH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si1967dht1e3-datasheets-1153.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 28,009329мг | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1967 | 6 | Двойной | 30 | 740 МВт | 2 | Другие транзисторы | 12 нс | 27нс | 27 нс | 15 нс | 1,3А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1А | 0,49 Ом | 2 P-канала (двойной) | 110пФ при 10В | 490 мОм при 910 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4нК@8В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN2991UDA-7B | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmn2991uda7b-datasheets-1002.pdf | 6-СМД, без свинца | 24 недели | 20 В | 310мВт Та | 2 N-канала (двойной) | 21,5 пФ при 16 В | 990 мОм при 100 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 450 мА Та | 350 пК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Н357Р,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-SMD, плоские выводы | 12 недель | 60В | 1,5 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 60пФ при 12В | 1,8 Ом при 150 мА, 5 В | 2 В при 1 мА | 650 мА Та | 1,5 НК при 5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMDXB600UNEZ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/nexperiausainc-pmdxb600unez-datasheets-1162.pdf | 6-XFDFN Открытая площадка | Без свинца | 6 | 4 недели | 6 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 265мВт | 6 | 2 | 5,6 нс | 9,2 нс | 51 нс | 19 нс | 600 мА | 8В | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 265мВт | 2 N-канала (двойной) | 21,3 пФ при 10 В | 620 мОм при 600 мА, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 0,7 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН601ВКК-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmn601vkq7-datasheets-0940.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 600 мкм | 16 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 250 мВт | 150°С | 305 мА | 20 В | 60В | 60В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 2 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМК25Д0УВТ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmc25d0uvt7-datasheets-1134.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 15 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 3,2А | 25В 30В | N и P-канал | 26,2 пФ при 10 В | 4 Ом при 400 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 400 мА 3,2 А | 0,7 нк при 8 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8K3FRATB | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 В | 1,4 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 600пФ при 10В | 24 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 7А Та | 11,8 НК при 5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВТЖД4001НТ2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-ntjd4001nt1g-datasheets-3034.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 8 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 14 часов назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 272 МВт | 6 | 250 мА | 30 В | 272 МВт | 2 N-канала (двойной) | 33пФ при 5В | 1,5 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 100 мкА | 1,3 НК при 5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMDXB950UPEZ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/nexperiausainc-pmdxb950upez-datasheets-0877.pdf | 6-XFDFN Открытая площадка | 4 недели | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 20 В | 265мВт | 2 P-канала (двойной) | 43пФ при 10 В | 1,4 Ом при 500 мА, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 500 мА | 2,1 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УП0187B00L | Электронные компоненты Panasonic | 1,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-up0187b00l-datasheets-0829.pdf | 30 В | 100 мА | СОТ-665 | Без свинца | 125 МВт | ССМини5-F2 | 12пФ | 100 мА | 30 В | 125 МВт | 2 N-канала (двойной) | 12пФ при 3В | 8 Ом @ 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 1 мкА | 100 мА | Ворота логического уровня | 8 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87355Q5DT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~155°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerLDFN | 5 мм | 6 мм | Содержит свинец | 8 | 6 недель | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | 1,5 мм | не_совместимо | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,8 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | 1,27 мм | CSD87355 | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | 45А | 30 В | 2,8 Вт | 12 В | 27В | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | БАК | 1500 кГц | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1860пФ при 15В | 1,9 В @ 250 мкА | 13,7 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMDXB950UPELZ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/nexperiausainc-pmdxb950upelz-datasheets-0931.pdf | 6-XFDFN Открытая площадка | 6 | 4 недели | МЭК-60134 | 380мВт | НЕТ ЛИДЕСА | 6 | 2 | Р-ПДСО-Н6 | 500 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 380мВт | 0,5 А | 2 P-канала (двойной) | 43пФ при 10 В | 1,4 Ом при 500 мА, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 2,1 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMGD290UCEAX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-pmgd290uceax-datasheets-0943.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 4 недели | 6 | Олово | Нет | 280мВт | 6 | 2 | Двойной | 18 нс | 30 нс | 72 нс | 80 нс | 500 мА | 8В | 20 В | N и P-канал | 83пФ при 10 В | 380 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,3 В @ 250 мкА | 725 мА 500 мА | 0,68 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIX3134K-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microcommercialco-six3134ktp-datasheets-0948.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | 260 | 10 | 20 В | 150 мВт | 2 N-канала (двойной) | 120пФ при 16В | 380 мОм при 650 мА, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 750 мА | 20 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX7002BKXBZ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/nexperiausainc-nx7002bkxbz-datasheets-0967.pdf | 6-XFDFN Открытая площадка | 6 | 4 недели | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | МЭК-60134 | 285мВт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Н6 | 260 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 285мВт | 0,33 А | 3,2 Ом | 2 N-канала (двойной) | 23,6 пФ при 10 В | 2,8 Ом при 200 мА, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 1 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП2200UDW-13 | Диодс Инкорпорейтед | 0,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ДВОЙНЫЕ ВОРОТА, РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmp2200udw13-datasheets-0928.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 15 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 450мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 900 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 450мВт | 0,9 А | 0,26 Ом | 2 P-канала (двойной) | 184пФ при 10В | 260 мОм при 880 мА, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 2,1 нк @ 4,5 В | Стандартный |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.