Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ССМ6П69НУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,37 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 6-WDFN Открытая площадка | 12 недель | 20 В | 1 Вт Та | 2 P-канала (двойной) | 480пФ при 10В | 45 мОм при 3,5 А, 10 В | 1,2 В при 1 мА | 4А Та | 6,74 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7002KDWA-TP | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 150 мВт | 2 N-канала (двойной) | 40пФ при 10В | 5 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 340 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТ3020ЛДВ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 22 недели | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30В | 900мВт Та | 2 N-канала (двойной) | 393пФ при 15 В | 20 мОм при 9 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 32А Тк | 7 нк @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6302P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-fdc6302p-datasheets-0012.pdf | -25В | -120 мА | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 1,12 мм | 1,68 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 36мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 900мВт | 2 | Другие транзисторы | 5 нс | 8нс | 5 нс | 9 нс | -120 мА | 8В | -25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 700мВт | -25В | 2 P-канала (двойной) | 11пФ при 10В | -1 В | 10 Ом при 200 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 120 мА | 0,31 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||
| ECH8655R-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-ech8655rtlh-datasheets-0022.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 900 мкм | 2,3 мм | Без свинца | 4 недели | 17мОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 1,4 Вт | ECH8655R | 8 | Двойной | 1,5 Вт | 320 нс | 1,1 мкс | 2,1 мкс | 2,4 мкс | 9А | 12 В | 24В | 2 N-канала (двойной) | 17 мОм при 4,5 А, 4,5 В | 16,8 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Н62ТУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-SMD, плоские выводы | 12 недель | 20 В | 500мВт Та | 2 N-канала (двойной) | 177пФ при 10 В | 85 мОм при 800 мА, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 800 мА Та | 2 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2101 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2101engrt-datasheets-9612.pdf | Править | 14 недель | Править | 60В | 2 Н-канала (полумост) | 300пФ при 30В 1200пФ при 30В | 11,5 мОм при 20 А, 5 В, 2,7 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В при 3 мА, 2,5 В при 12 мА | 9,5А 38А | 2,7 нк при 5 В, 12 нк при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Н67НУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 6-WDFN Открытая площадка | 6 | 12 недель | АЭК-Q101 | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-Н6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт Та | 4А | 0,0391Ом | 2 N-канала (двойной) | 310пФ при 15В | 39,1 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 4А Та | 3,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8659-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-ech8659tlw-datasheets-0049.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 23 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | ЭСР ЗАЩИТА | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 1,3 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-XDSO-F8 | 7А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,3 Вт | 7А | 40А | 0,024 Ом | 2 N-канала (двойной) | 710пФ при 10 В | 24 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,6 В @ 1 мА | 11,8 нк при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Л40ТУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-SMD, плоские выводы | 12 недель | 30В | 500мВт Та | N и P-канал | 180пФ 120пФ при 15В | 122 мОм при 1 А, 10 В, 226 м Ом при 1 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА, 2 В при 1 мА | 1,6 А Та 1,4 А Та | 5,1 нк, 2,9 нк при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМ6К33Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/rohmsemiconductor-em6k33t2r-datasheets-9880.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 16 недель | да | EAR99 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | 2 | 10 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф6 | 4 нс | 6нс | 55 нс | 15 нс | 200 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 50В | 2 N-канала (двойной) | 25пФ при 10В | 2,2 Ом при 200 мА, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | Ворота логического уровня, привод 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ1922AEEH-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sq1922aeeht1ge3-datasheets-9933.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | СК-70-6 | 20 В | 1,5 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 60пФ при 10В | 300 мОм при 400 мА, 4,5 В | 2,5 В при 250 мкА | 850 мА Тс | 1,2 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ШЕСТЬ3439К-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microcommercialco-six3439ktp-datasheets-9757.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | EAR99 | 260 | 10 | 20 В | N и P-канал | 120пФ 170пФ при 16В | 380 мОм при 650 мА, 4,5 В, 520 мОм при 1 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА, 1,1 В при 250 мкА | 750 мА 660 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6П35АФУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСВИИ | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 20 В | 285мВт Та | 2 P-канала (двойной) | 42пФ при 10 В | 1,4 Ом при 150 мА, 4,5 В | 1 В @ 100 мкА | 250 мА Та | Ворота логического уровня, привод 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3134KDW-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microcommercialco-si3134kdwtp-datasheets-9759.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 260 | 10 | 20 В | 150 мВт | 2 N-канала (двойной) | 120пФ при 16В | 380 мОм при 650 мА, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 750 мА | 20 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2041УВТ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmn2041uvt7-datasheets-9827.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 17 недель | 20 В | 1,1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 689пФ при 10 В | 28 мОм при 8,2 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 5,8А Та | 9,1 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6П36ТУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-SMD, плоские выводы | 12 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 20 В | 500мВт Та | 2 P-канала (двойной) | 43пФ при 10 В | 1,31 Ом при 100 мА, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 330 мА Та | 1,2 НК при 4 В | Ворота логического уровня, привод 1,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Н40ТУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 6-SMD, плоские выводы | 12 недель | 30В | 500мВт Та | 2 N-канала (двойной) | 180пФ при 15В | 122 мОм при 1 А, 10 В | 2,6 В @ 1 мА | 1,6 А Та | 5,1 нк при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСМ2301-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microcommercialco-mcm2301tp-datasheets-9817.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 12 недель | 260 | 10 | 20 В | 1,4 Вт | 2 P-канала (двойной) | 880пФ при 6В | 70 мОм при 1,9 А, 4,5 В | 0,9 В @ 250 мкА | 3,8А | 14,5 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVJD5121NT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvjd5121nt1g-datasheets-9702.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 2 | 22 нс | 34 нс | 32 нс | 34 нс | 295 мА | 20 В | 60В | 60В | 2 N-канала (двойной) | 26пФ при 20В | 1,6 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 0,9 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6K7T2CR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-em6k7t2r-datasheets-3742.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 16 недель | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150 мВт | 0,2 А | 1,4 Ом | 2 N-канала (двойной) | 25пФ при 10В | 1,2 Ом при 200 мА, 2,5 В | 1 В @ 1 мА | 200 мА Та | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Н44ФУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 12 недель | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 200мВт Та | 0,1 А | 7Ом | 2 N-канала (двойной) | 8,5 пФ при 3 В | 4 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 100 мкА | 100 мА Та | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К6Р8-40ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk9k6r840ex-datasheets-9527.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | 8 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 64 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 40А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 64 Вт | 265А | 0,0072Ом | 125 мДж | 2 N-канала (двойной) | 3000пФ при 25В | 6,1 мОм при 10 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 22,2 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN601DWKQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmn601dwkq7-datasheets-9694.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 16 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 200мВт | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 2 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 305 мА Та | 0,304 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCM3400A-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microcommercialco-mcm3400atp-datasheets-9870.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 12 недель | 260 | 10 | 30В | 1,4 Вт | 2 N-канала | 1155пФ при 15В | 32 мОм при 5,8 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 5А | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3439KDW-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microcommercialco-si3439kdwtp-datasheets-9722.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 20 В | 150 мВт | N и P-канал | 120пФ 113пФ при 16В | 380 мОм при 650 мА, 4,5 В, 520 мОм при 1 А, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 750 мА 660 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1036X-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/vishaysiliconix-si1036xt1ge3-datasheets-9854.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 14 недель | 540мОм | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 220мВт | 2 N-канала (двойной) | 36пФ при 15В | 540 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 610 мА Та | 1,2 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2103ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/epc-epc2103-datasheets-3103.pdf | Править | 16 недель | Править | 7,6 нФ | 23А | 80В | 2 Н-канала (полумост) | 7600пФ при 40 В | 5,5 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В при 7 мА | 23А | 6,5 НК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | 5,5 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Н36ТУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-SMD, плоские выводы | 12 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 20 В | 500мВт Та | 2 N-канала (двойной) | 46пФ при 10В | 630 мОм при 200 мА, 5 В | 1 В @ 1 мА | 500 мА Та | 1,23 НК при 4 В | Ворота логического уровня, привод 1,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС3686С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-fdms3686s-datasheets-9580.pdf | 8-PowerTDFN | 5,1 мм | 1,05 мм | 6,1 мм | Без свинца | 6 | 18 недель | 90мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | 2,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н6 | 23 нс | 23А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 13А | 30В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1785пФ при 10В | 8 мОм при 13 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 13А 23А | 29 НК при 10 В | Ворота логического уровня |
