Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Входное напряжение-ном. | Входное напряжение (макс.) | Техника управления | Конфигурация коммутатора | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Частота переключения-Макс. | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTJD4152PT2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ntjd4152pt1g-datasheets-3403.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 11 недель | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 272 МВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 880 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 272 МВт | 0,88А | 0,26 Ом | 2 P-канала (двойной) | 155пФ при 20В | 260 мОм при 880 мА, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 2,2 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG4822SSDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/diodesincorporated-dmg4822ssdq13-datasheets-0118.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 15 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 В | 1,42 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 478,9 пФ при 16 В | 21 мОм при 8,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10А Та | 5нК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC4626R-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-efc4626rtr-datasheets-0919.pdf | 4-XFBGA | Без свинца | 10 недель | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | 1,4 Вт | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 20 нс | 350 нс | 38,4 мкс | 22 мкс | 10 В | 24В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | 37,5 мОм | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIZF916DT-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sizf916dtt1ge3-datasheets-0522.pdf | 8-PowerWDFN | 14 недель | 8-PowerPair® (6x5) | 30 В | 3,4 Вт Ta 26,6 Вт Tc 4 Вт Ta 60 Вт Tc | 2 N-канала (двойной) | 1060пФ при 15В 4320пФ при 15В | 4 мОм при 10 А, 10 В, 1,25 мОм при 10 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА, 2,2 В при 250 мкА | 23А Та 40А Ц | 22 нк при 10 В, 95 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6N7002BFE,ЛМ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 550 мкм | 1,2 мм | 16 недель | 150 мВт | 2 | 200 мА | 10 В | 60В | 60В | 2 N-канала (двойной) | 17пФ при 25В | 2,1 Ом при 500 мА, 10 В | 3,1 В при 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н7002ПВ,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-2n7002pv115-datasheets-0807.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 4 недели | 6 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | ДА | 330мВт | ПЛОСКИЙ | 6 | 390мВт | 2 | 3 нс | 4нс | 5 нс | 10 нс | 350 мА | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 330мВт | 0,35 А | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 10В | 1,6 Ом при 500 мА, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 0,8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1034CX-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1034cxt1ge3-datasheets-0871.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 14 недель | 6 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 220мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | 30 | 220мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 11 нс | 16нс | 11 нс | 26 нс | 610 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 43пФ при 10 В | 396 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 610 мА Та | 2 НК при 8 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX3008NBKSH | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-nx3008nbksh-datasheets-0814.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 445 МВт | 0,35 А | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 15В | 1,4 Ом при 350 мА, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 350 мА Та | 0,68 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8K3FRATB | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 В | 1,4 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 600пФ при 10 В | 24 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 7А Та | 11,8 НК при 5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UT6J3TCR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 6-PowerUDFN | 10 недель | да | 20 В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 2000пФ при 10В | 85 мОм при 3 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 3А | 8,5 нк @ 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ348ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-siz348dtt1ge3-datasheets-0284.pdf | 8-PowerWDFN | 14 недель | 8-Сила33 (3х3) | 30 В | 3,7 Вт Ta 16,7 Вт Tc | 2 N-канала (двойной) | 820пФ при 15 В | 7,12 мОм при 15 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 18А Та 30А Ц | 18,2 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН63Д0ЛТ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СОТ-523-3 | 16 недель | 2,012816мг | 100В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС1Д2Н03ДСД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-fdms1d2n03dsd-datasheets-0618.pdf | 8-PowerWDFN | 23 недели | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 30 В | 2,1 Вт Ta 26 Вт Tc 2,3 Вт Ta 42 Вт Tc | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1410пФ при 15В 4860пФ при 15В | 3,25 мОм при 19 А, 10 В, 0,97 м Ом при 37 А, 10 В | 2,5 В при 320 мкА, 3 В при 1 мА | 19А Та 70А Ц 37А Та 164А Ц | 33 нк при 10 В, 117 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5852NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5852nlt1g-datasheets-0509.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 6 | 13 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 3,2 Вт | ПЛОСКИЙ | 8 | 2 | Двойной | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 12 нс | 8нс | 5 нс | 27 нс | 44А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 15А | 2 N-канала (двойной) | 1800пФ при 25В | 6,9 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 15А | 36 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1028X-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si1028xt1ge3-datasheets-0746.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,7 мм | 6 | Нет СВХК | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 220мВт | ПЛОСКИЙ | Двойной | 220мВт | 2 | 8 нс | 9 нс | 480 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 2 N-канала (двойной) | 16пФ при 15В | 650 мОм при 500 мА, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ4937EY-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/vishaysiliconix-sq4937eyt1ge3-datasheets-0291.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 8 | Нет | 3,3 Вт | 1 | 8-СОИК | 6 нс | 8нс | 8 нс | 15 нс | 5А | 20 В | 30 В | 3,3 Вт | 2 P-канала (двойной) | 480пФ при 25В | 75 мОм при 3,9 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 5А Ц | 15 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УП0487C00L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-up0487c00l-datasheets-0728.pdf | 20 В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 125 МВт | ССМИНИ6-Ф1 | 10пФ | 100 мА | 20 В | 125 МВт | 2 N-канала (двойной) | 10пФ при 3В | 4 Ом при 10 мА, 4 В | 1,3 В @ 50 мкА | 100 мА | Ворота логического уровня | 4 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД6Х840НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nvmfd6h840nlt1g-datasheets-0561.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | да | 80В | 2 N-канала (двойной) | 2002пФ при 40В | 6,9 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 96 мкА | 14А Та 74А Ц | 32 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN5L06DMKQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmn5l06dmkq7-datasheets-0653.pdf | СОТ-23-6 | 6 | 16 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 400мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 305 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400мВт | 0,305А | 3Ом | 5 пФ | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 2 Ом при 50 мА, 5 В | 1 В при 250 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD86350Q5DT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | 1,5 мм | Соответствует ROHS3 | 8-PowerLDFN | 6 мм | 5 мм | 9 | 6 недель | да | не_совместимо | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | CSD86350 | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | Р-ПДСО-Н8 | 25В | 13 Вт Та | 12 В | 22В | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | БАК | 1500 кГц | 2 Н-канала (полумост) | 1870пФ 4000пФ при 12,5 В | 5 м Ом при 25 А, 5 В, 1,1 м Ом при 25 А, 5 В | 2,1 В при 250 мкА, 1,6 В при 250 мкА | 40А Та | 10,7 нк, 25 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н7002ВА-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/diodesincorporated-2n7002va7-datasheets-0648.pdf | 60В | 280 мА | СОТ-563 | 1,6 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Освобождать | 6 | 8 недель | 3,005049мг | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 150 мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 50пФ | 20 нс | 20 нс | 280 мА | 20 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 13,5 Ом | 5 пФ | 7,5 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMFD5C446NLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2018 год | /files/onsemiconductor-ntmfd5c446nlt1g-datasheets-0615.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,5 Вт Та 125 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 3170пФ при 25 В | 2,65 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В при 90 мкА | 25А Та 145А Ц | 54 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8J66FRATB | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 P-канала (двойной) | 18,5 мОм при 9 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 9А Та | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SISF00DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sisf00dnt1ge3-datasheets-0434.pdf | PowerPAK® 1212-8SCD | 14 недель | PowerPAK® 1212-8SCD | 30 В | 69,4 Вт Тс | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 2700пФ при 15В | 5 мОм при 10 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 60А Ц | 53 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC9430L-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdmc9430lf085-datasheets-0450.pdf | 8-PowerWDFN | 25 недель | 196мг | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | Двойной | 40В | 11,4 Вт | 2 N-канала (двойной) | 984пФ при 20 В | 8 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12А | 22 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMFD5C680NLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-ntmfd5c680nlt1g-datasheets-0533.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 3 Вт Та 19 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 350пФ при 25В | 28 мОм при 5 А, 10 В | 2,2 В @ 13 мкА | 7,5 А Та 26 А Ц | 5 нк @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF23MR12W1M1B11BPSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolSiC™+ | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-df23mr12w1m1b11bpsa1-datasheets-0695.pdf | Модуль | 16 недель | 1200В | 20мВт | 2 N-канала (двойной) | 1840пФ при 800В | 45 мОм при 25 А, 15 В (тип.) | 5,55 В при 10 мА | 25А Тдж | 62 НК при 15 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН5010ВАК-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmn5l06vk7-datasheets-3385.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 600 мкм | 1,2 мм | 6 | 7 недель | 3,005049мг | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | Двойной | 40 | 250 мВт | 2 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицирован | 280 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3Ом | 5 пФ | 50В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 2 Ом при 50 мА, 5 В | 1 В при 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ904ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-siz904dtt1ge3-datasheets-0342.pdf | 6-PowerPair™ | 6 мм | 750 мкм | 5 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 24мОм | 8 | EAR99 | Нет | 33 Вт | СИЗ904 | 2 | Двойной | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н6 | 9нс | 8 нс | 14 нс | 16А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 Вт 33 Вт | 30А | 5 мДж | 30 В | 2 Н-канала (полумост) | 435пФ при 15В | 24 мОм при 7,8 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 12А 16А | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8М31ГЗЭТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-sh8m31gzetb-datasheets-0493.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт Та | 4,5 А | 18А | 0,077Ом | N и P-канал | 500пФ 2500пФ при 10В | 65 мОм при 4,5 А, 10 В, 70 м Ом при 4,5 А, 10 В | 3 В @ 1 мА | 4,5 А Та | 7 нк, 40 нк при 5 В, 10 В | Стандартный |
