Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Мощность - Макс. | Выходной ток на канале | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СИЗ904ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-siz904dtt1ge3-datasheets-0342.pdf | 6-PowerPair™ | 6 мм | 750 мкм | 5 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 24мОм | 8 | EAR99 | Нет | 33 Вт | СИЗ904 | 2 | Двойной | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н6 | 9нс | 8 нс | 14 нс | 16А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 Вт 33 Вт | 30А | 5 мДж | 30 В | 2 Н-канала (полумост) | 435пФ при 15В | 24 мОм при 7,8 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 12А 16А | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8М31ГЗЭТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-sh8m31gzetb-datasheets-0493.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт Та | 4,5 А | 18А | 0,077Ом | N и P-канал | 500пФ 2500пФ при 10В | 65 мОм при 4,5 А, 10 В, 70 м Ом при 4,5 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 4,5 А Та | 7 нк, 40 нк при 5 В, 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMFD5C470NLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-ntmfd5c470nlt1g-datasheets-0555.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3 Вт Та 24 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 590пФ при 25В | 11,5 мОм при 5 А, 10 В | 2,2 В @ 20 мкА | 11А Та 36А Ц | 9 нк @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5852НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5852nlt1g-datasheets-0509.pdf | 8-PowerTDFN | 6,1 мм | 1,05 мм | 5,1 мм | Без свинца | 6 | 13 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 3,2 Вт | ПЛОСКИЙ | 8 | Двойной | 3,2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 12 нс | 27 нс | 15А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 44А | 40В | 2 N-канала (двойной) | 1800пФ при 25В | 6,9 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 36 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5853НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5853nt1g-datasheets-0546.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 13 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 3,1 Вт | 8 | Полномочия общего назначения FET | 9 нс | 20нс | 3 нс | 21 нс | 12А | 20 В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 53А | 2 N-канала (двойной) | 1225пФ при 25В | 10 мОм при 15 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2110 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭГАН® | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2110engrt-datasheets-7777.pdf | Править | 14 недель | Править | 120 В | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 80пФ при 60В | 60 мОм при 4 А, 5 В | 2,5 В при 700 мкА | 3,4А | 0,8 нк при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4922BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-si4922bdyt1e3-datasheets-5484.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 14 недель | 186,993455мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4922 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | 13 нс | 53нс | 54 нс | 68 нс | 8А | 12 В | КРЕМНИЙ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,1 Вт | 8А | 2 N-канала (двойной) | 2070пФ при 15В | 1,8 В | 16 мОм при 5 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 62 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||
| HP8MA2TB1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-hp8ma2tb1-datasheets-0514.pdf | 8-PowerTDFN | 6 | 16 недель | EAR99 | не_совместимо | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3 Вт Та | 48А | 0,0165Ом | 11 мДж | N и P-канал | 1100пФ 1250пФ при 15В | 9,6 мОм при 18 А, 10 В, 17,9 м Ом при 15 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 18А Та 15А Та | 22 нк, 25 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8К37ГЗЭТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-sh8k37gzetb-datasheets-0416.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт Та | 5,5 А | 18А | 0,066Ом | 4,7 мДж | 2 N-канала (двойной) | 500пФ при 30В | 46 мОм при 5,5 А, 10 В | 2,7 В @ 100 мкА | 5,5 А Та | 9,7 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ202EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sqj202ept1ge3-datasheets-0335.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | Без свинца | 12 недель | EAR99 | неизвестный | 48 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60А | 12 В | 27 Вт 48 Вт | 2 N-канала (двойной) | 975пФ при 6В | 6,5 мОм при 15 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 20А 60А | 22 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ4949EY-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/vishaysiliconix-sq4949eyt1ge3-datasheets-0472.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 8 | Нет | 3,3 Вт | 1 | 8-СОИК | 7 нс | 9нс | 8 нс | 28 нс | 7,5 А | 20 В | 30 В | 3,3 Вт | 2 P-канала (двойной) | 1020пФ при 25В | 35 мОм при 5,9 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 7,5 А Тс | 30 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87384M | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 5-ЛГА | 5 мм | 3,5 мм | Без свинца | 5 | 12 недель | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 400 мкм | EAR99 | Золото | е4 | 8 Вт | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | CSD87384 | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 95А | 30А | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 | 30А | 0,0089Ом | 2 Н-канала (полумост) | 1150пФ при 15В | 7,7 мОм при 25 А, 8 В | 1,9 В @ 250 мкА | 9,2 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDPC8016S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdpc8016s-datasheets-0478.pdf | 8-PowerWDFN | 5,1 мм | 750 мкм | 6,1 мм | 8 | 23 недели | 207,7333мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 42 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 13 нс | 4нс | 3 нс | 38 нс | 100А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,1 Вт 2,3 Вт | 75А | 73 мДж | 25В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 2375пФ при 13В | 3,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 20А 35А | 35 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ350ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-siz350dtt1ge3-datasheets-0321.pdf | 8-PowerWDFN | 14 недель | 8-Сила33 (3х3) | 30 В | 3,7 Вт Ta 16,7 Вт Tc | 2 N-канала (двойной) | 940пФ при 15В | 6,75 мОм при 15 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 18,5 А Та 30 А Тс | 20,3 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УТ6К30ТКР | РОМ Полупроводник | 0,94 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-ut6k30tcr-datasheets-0131.pdf | 8-PowerUDFN | 6 | 16 недель | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-Н6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт Та | 3А | 12А | 0,223 Ом | 1,3 мДж | 2 N-канала (двойной) | 110пФ при 30В | 153 мОм при 3 А, 10 В | 2,7 В @ 50 мкА | 3А Та | 2,1 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UT6JA3TCR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-PowerUDFN | 6 | 16 недель | EAR99 | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Н6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт Та | 5А | 12А | 0,059 Ом | 4 мДж | 2 P-канала (двойной) | 460пФ при 10В | 59 мОм при 5 А, 4,5 В | 1,5 В при 1 мА | 5А Та | 6,5 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM300NB06DCR РЛГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm300nb06dcrrlg-datasheets-0361.pdf | 8-PowerTDFN | 4 недели | 8-ПДФН (5х6) | 60В | 2 Вт Та 40 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 1079пФ при 30 В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 6А Та 25А Ц | 17 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HP8K24TB | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/rohmsemiconductor-hp8k24tb-datasheets-0380.pdf | 8-PowerTDFN | 6 | 16 недель | EAR99 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3 Вт Та | 15А | 60А | 0,0133Ом | 16,5 мДж | 2 N-канала (двойной) | 590пФ 2410пФ при 15В | 8,8 мОм при 15 А, 10 В, 3 м Ом при 26 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 15А Та 27А Ц 26А Та 80А Ц | 10 нк, 36 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8М51ГЗЭТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 100В | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт Та | 3А | 12А | 0,19 Ом | N и P-канал | 610пФ 1550пФ при 25В | 170 мОм при 3 А, 10 В, 290 м Ом при 2,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 3А Та 2,5А Та | 8,5 нк, 12,5 нк при 5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТХ4011СПД-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmth4011spd13-datasheets-0100.pdf | 8-PowerTDFN | 19 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 2,6 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 805пФ при 20 В | 15 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 11,1А Та 42А Ц | 10,6 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSC0923NDIATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-bsc0923ndiatma1-datasheets-0298.pdf | 8-PowerTDFN | 18 недель | 8 | нет | EAR99 | Олово | не_совместимо | е3 | 1 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2,5 Вт | 2 | 32А | 20 В | 30 В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1160пФ при 15В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 17А 32А | 10 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS8J5TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rohm-qs8j5tr-datasheets-0536.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 10 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 600мВт | 260 | 8 | 2 | 10 | 2 | Другие транзисторы | 9 нс | 40 нс | 55 нс | 90 нс | 5А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | 0,039 Ом | 2 P-канала (двойной) | 1100пФ при 10 В | 39 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 19 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8КА1ГЗЕТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-sh8ka1gzetb-datasheets-0020.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт Та | 12А | 0,08 Ом | 1,1 мДж | 2 N-канала (двойной) | 125пф при 15В | 80 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 4,5 А Та | 3нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5875НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfd5875nlt1g-datasheets-0265.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 13 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 6 дней назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 3,2 Вт | 7А | 60В | 3,2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 540пФ при 25В | 33 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM250NB06DCR РЛГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm250nb06dcrrlg-datasheets-0325.pdf | 8-PowerTDFN | 4 недели | 8-ПДФН (5х6) | 60В | 2 Вт Та 48 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 1461пФ при 30 В | 25 мОм при 7 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 7А Та 30А Ц | 22 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ998ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/vishaysiliconix-siz998dtt1ge3-datasheets-0405.pdf | 8-PowerWDFN | 14 недель | 8 | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 20 В | 30 В | 20,2 Вт 32,9 Вт | 2 N-канала (двойной), Шоттки | 930пФ при 15В 2620пФ при 15В | 6,7 мОм при 15 А, 10 В, 2,8 м Ом при 19 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 20А Тк 60А Тк | 8,1 нк при 4,5 В, 19,8 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM110NB04DCR РЛГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~155°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm110nb04dcrrlg-datasheets-0333.pdf | 8-PowerTDFN | 4 недели | 8-ПДФН (5х6) | 40В | 2 Вт Та 48 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 1506пФ при 20В | 11 мОм при 10 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 10А Та 48А Ц | 25 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ980ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysiliconix-siz980dtt1ge3-datasheets-0423.pdf | 8-PowerWDFN | 6 | 14 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Н6 | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 Вт 66 Вт | 20А | 90А | 0,0067Ом | 11,2 мДж | 2 N-канала (двойной), Шоттки | 930 пФ при 15 В 4600 пФ при 15 В | 6,7 мОм при 15 А, 10 В, 1,6 м Ом при 19 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 20А Тк 60А Тк | 8,1 нк при 4,5 В, 35 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7972DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si7972dpt1ge3-datasheets-0329.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 14 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 22 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1050пФ при 30В | 18 мОм при 11 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 8А Тк | 11 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ244EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj244ept1ge3-datasheets-0310.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 14 недель | PowerPAK® SO-8 двойной асимметричный | 40В | 27 Вт Тк 48 Вт Тк | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1200пФ при 25В 2800пФ при 25В | 11 мОм при 4 А, 10 В, 4,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 20А Тк 60А Тк | 20 нк при 10 В, 45 нк при 10 В | Стандартный |
