Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Максимальный текущий рейтинг | Максимальное входное напряжение | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Минимальное входное напряжение | Тип выхода | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Входное напряжение-ном. | Входное напряжение (макс.) | Минимальное напряжение проба | Выходной ток-Макс. | Техника управления | Конфигурация коммутатора | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Частота переключения-Макс. | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM9933DCS РЛГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm9933dcsrlg-datasheets-9380.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 28 недель | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 4,7А | 20А | 0,06 Ом | 2 P-канала (двойной) | 640пФ при 10 В | 60 мОм при 4,7 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 4,7 А Тс | 8,5 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC4028SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmc4028ssd13-datasheets-9383.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,8 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | 40 | 2 | Другие транзисторы | 2,3 нс | 14,1 нс | 14,3 нс | 25,1 нс | 4,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5,4А | N и P-канал | 604пФ при 20В | 28 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,5 А 4,8 А | 12,9 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС3626С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms3626s-datasheets-9036.pdf | 8-PowerTDFN | 5,1 мм | 1,05 мм | 6,1 мм | Без свинца | 6 | 18 недель | 90мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | Двойной | 2,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н6 | 7 нс | 23 нс | 25А | 12 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 17,5А | 0,005 Ом | 25В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1570пФ при 13В | 5 мОм при 17,5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 17,5 А 25 А | 26 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLDM5757 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmldm5757trpbfree-datasheets-9335.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 24 недели | ДА | Другие транзисторы | 0,35 Вт | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350 мВт | 0,43 А | 2 P-канала (двойной) | 175пФ при 16В | 900 мОм при 430 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 430 мА | 1,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS8M13TCR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 52 недели | 8 | да | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | *М13 | 8 | 10 | 2 | Другие транзисторы | 40 нс | 5А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 0,039 Ом | N и P-канал | 390пФ при 10В | 28 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 6А 5А | 5,5 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLDM7003 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cmldm7003gtrpbfree-datasheets-6345.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 24 недели | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | Полевой транзистор общего назначения | 0,35 Вт | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350 мВт | 0,28 А | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 2 Ом при 50 мА, 5 В | 1 В при 250 мкА | 280 мА | 0,76 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС9620С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-fdms9620s-datasheets-9425.pdf | 8-PowerWDFN | 5 мм | 750 мкм | 6 мм | Без свинца | 8 | 16 недель | 228мг | Нет СВХК | 32МОм | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | 2,5 Вт | Двойной | 2,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 13нс | 7 нс | 27 нс | 10А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,6 В | 1 Вт | 7,5 А | 60А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 665пФ при 15В | 21,5 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7,5 А 10 А | 14 НК @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД1105СБЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/advancedlineardeviceinc-ald1105sbl-datasheets-9299.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 14 | 500мВт | Двойной | 500мВт | 14-СОИК | 2мА | 13,2 В | 10,6 В | 500мВт | 1,2 кОм | -12В | Согласованная пара из 2 N и 2 P-каналов | 3пФ @ 5В | 500 Ом при 5 В | 1 В @ 1 мкА | Стандартный | 500 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7956DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7956dpt1e3-datasheets-2416.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | Без свинца | 6 | 14 недель | 506,605978мг | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7956 | 8 | Двойной | 40 | 1,4 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-C6 | 13 нс | 36нс | 50 нс | 18 нс | 2,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,105 Ом | 150 В | 2 N-канала (двойной) | 105 мОм при 4,1 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 26 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN1033UCB4-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmn1033ucb47-datasheets-9304.pdf | 4-УФБГА, WLBGA | 17 недель | 4 | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,45 Вт | 10 нс | 20нс | 52 нс | 83 нс | 6В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 37 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД1107СБЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/advancedlineardeviceinc-ald1107sbl-datasheets-9190.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 14 | 8 недель | 14 | да | EAR99 | неизвестный | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 500мВт | 4 | 2мА | -13,2 В | КРЕМНИЙ | ОБЩАЯ ПОДЛОЖКА, 4 ЭЛЕМЕНТА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 10,6 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -12В | 4 P-канала, согласованная пара | 3пФ @ 5В | 1800 Ом при 5 В | 1 В @ 1 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Н35АФУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 20 В | 285мВт Та | 2 N-канала (двойной) | 36пФ при 10В | 1,1 Ом при 150 мА, 4,5 В | 1 В @ 100 мкА | 250 мА Та | 0,34 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMN3A04DN8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-zxmn3a04dn8ta-datasheets-9082.pdf | 30 В | 6,8А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 19 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 20мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,15 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | 40 | 2,15 Вт | 5,2 нс | 6,1 нс | 20,2 нс | 38,1 нс | 8,5 А | 12 В | 1,81 Вт | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 1890пФ при 15В | 20 мОм при 12,6 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 6,5 А | 36,8 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC8020K6-Г | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/microchiptechnology-tc8020k6g-datasheets-9196.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 56 | 17 недель | 191,387631мг | 56 | EAR99 | Олово | Нет | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | КВАД | 260 | 12 | 40 | 6 | 10 нс | 15 нс | 15 нс | 20 нс | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8Ом | -200В | 6 N и 6 P-каналов | 50пФ при 25В | 8 Ом при 1 А, 10 В | 2,4 В при 1 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2102 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/epc-epc2102-datasheets-9203.pdf | Править | 14 недель | Править | 60В | 2 Н-канала (полумост) | 830пФ при 30 В | 4,4 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В при 7 мА | 23А | 6,8 НК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSC0921NDIATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-bsc0921ndiatma1-datasheets-8754.pdf | 8-PowerTDFN | 18 недель | 8 | нет | EAR99 | Олово | не_совместимо | е3 | 1 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 31А | 20 В | 30 В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1025пФ при 15В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 17А 31А | 8,9 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD114913SAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПАД® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/advancedlineardeviceinc-ald114913sal-datasheets-9220.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 8 | 500мВт | Двойной | 500мВт | 8-СОИК | 2,5 пФ | 10 нс | 3мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 500Ом | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 2,5 пФ при 5 В | 500 Ом при 2,7 В | 1,26 В @ 1 мкА | 12 мА 3 мА | Режим истощения | 500 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF7313QTR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-auirf7313qtr-datasheets-9108.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | АЭК-Q101 | 2,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2,4 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 3,7 нс | 7,3 нс | 11 нс | 21 нс | 6,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 450 мДж | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 755пФ при 25В | 29 мОм при 6,9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 33 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАБ400М12ХМ3 | Кри/Вулфспид | $594,67 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | Модуль | 1200В | 2 N-канала (двойной) | 2450пФ при 800В | 5,3 мОм при 400 А, 15 В | 3,6 В при 92 мА | 395А Тк | 908 НК при 15 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD110908ASAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПАД® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/advancedlineardeviceinc-ald110908asal-datasheets-9244.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 8 | 500мВт | Двойной | 500мВт | 8-СОИК | 2,5 пФ | 10 нс | 3мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 500Ом | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 2,5 пФ при 5 В | 500 Ом при 4,8 В | 810 мВ при 1 мкА | 12 мА 3 мА | Стандартный | 500 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FTCO3V455A1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СПМ® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | 20 кГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-ftco3v455a1-datasheets-9253.pdf | 19-Модуль PowerDIP | 43,8 мм | 5,2 мм | 29,2 мм | Без свинца | 19 | 4 недели | 28.206г | 19 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 | 150А | е3 | Олово (Вс) | 115 Вт | ДВОЙНОЙ | КОНТРОЛЛЛЕР ДВИГАТЕЛЯ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА | 150А | 150А | 20 В | 40В | 40В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 1,66 мОм при 80 А, 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN2036UCB4-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/diodesincorporated-dmn2036ucb47-datasheets-9274.pdf | 4-XFBGA, WLBGA | 17 недель | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,45 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 12,6 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7949DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-si7949dpt1e3-datasheets-8969.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 506,605978мг | Нет СВХК | 64мОм | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,5 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7949 | 8 | Двойной | 40 | 1,5 Вт | 2 | Другие транзисторы | Р-XDSO-C6 | 8 нс | 9нс | 9 нс | 65 нс | -5А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -3В | -60В | 2 P-канала (двойной) | 64 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,2А | 40 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLDM3737 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmldm3737trpbfree-datasheets-9292.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 24 недели | ДА | Полевой транзистор общего назначения | 0,35 Вт | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350 мВт | 0,54 А | 2 N-канала (двойной) | 150пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 540 мА | 1,58 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87588NT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 5-ЛГА | 5 мм | 480 мкм | 2,5 мм | Без свинца | 5 | 8 недель | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 400 мкм | EAR99 | Золото | 1 | 24В | е4 | 6 Вт | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | CSD87588 | 2 | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | Двойной | НЕ УКАЗАН | 25А | 1,3 В | -800мВ | Регулируемый | 12,1 нс | 36,7 нс | 6,3 нс | 20,1 нс | 25А | 20 В | 30 В | 1 | 12 В | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | БАК | 30 В | 2 Н-канала (полумост) | 736пФ при 15 В | 9,6 мОм при 15 А, 10 В | 1,9 В @ 250 мкА | 4,1 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8К32ТБ1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-sh8k32gzetb-datasheets-1391.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 17 недель | 8 | 2 Вт | *К32 | 2 Вт | 4,5 А | 60В | 60В | 2 N-канала (двойной) | 500пФ при 10В | 65 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 10 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСК0911НДАТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-bsc0911ndatma1-datasheets-8980.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 6 | 18 недель | 8 | нет | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1 Вт | Двойной | 2,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н6 | 5,4 нс | 4 нс | 25 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 25В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1600пФ при 12В | 3,2 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 18А 30А | 12 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF7309QTR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-auirf7309qtr-datasheets-8936.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 8 | 8 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 1,4 Вт | 2 | Другие транзисторы | 3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 16А | 0,05 Ом | 30 В | N и P-канал | 520пФ при 15В | 1 В | 50 мОм при 2,4 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4А 3А | 25 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMC3A17DN8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxmc3a17dn8ta-datasheets-8761.pdf | 5,4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 70мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | 40 | 2,1 Вт | 2 | 1,7 нс | 2,9 нс | 8,7 нс | 29,2 нс | 5,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 1,25 Вт | 30 В | N и P-канал | 600пФ при 25В | 50 мОм при 7,8 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 4,1 А 3,4 А | 12,2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87351Q5D | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerLDFN | 5 мм | 6 мм | Содержит свинец | 9 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,5 мм | EAR99 | Олово | Нет | 1 | е3 | 12 Вт | 260 | 1,27 мм | CSD87351 | 9 | КОММУТАЦИОННЫЙ КОНТРОЛЛЕР | Двойной | 12 Вт | 16 нс | 2,1 нс | 32А | 8В | 30 В | 12 В | 27В | 96А | ПУШ-ПУЛЬ | 1500 кГц | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 1255пФ при 15В | 2,1 В | 7,6 мОм при 20 А, 8 В | 2,1 В при 250 мкА | 7,7 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня |
