Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Расстояние между строками | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БУК9К12-60ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk9k1260ex-datasheets-5489.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 68 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 35А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 68 Вт | 204А | 0,0115Ом | 118 мДж | 2 N-канала (двойной) | 3470пФ при 25 В | 10,7 мОм при 15 А, 10 В | 2,1 В @ 1 мА | 24,5 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6875 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fds6875-datasheets-5249.pdf | -20В | -6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 187 мг | Нет СВХК | 30мОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 8 нс | 15нс | 35 нс | 98 нс | -6А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -800мВ | 900мВт | 6А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 2250пФ при 10 В | 30 мОм при 6 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6А | 31 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4288DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si4288dyt1ge3-datasheets-5505.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,75 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 506,605978мг | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | 150°С | 7 нс | 8 нс | 16 нс | 7,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 40В | 2 N-канала (двойной) | 580пФ при 20В | 20 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 9,2А | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8313TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-irf8313trpbf-datasheets-4692.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 15,5 МОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF8313PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 8,3 нс | 9,9 нс | 4,2 нс | 8,5 нс | 9,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 В | 46 мДж | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 760пФ при 15В | 1,8 В | 15,5 мОм при 9,7 А, 10 В | 2,35 В @ 25 мкА | 9 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н06С4Л26АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-ipg20n06s4l26atma1-datasheets-4878.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 8 | 12 недель | 8 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | 33 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 5 нс | 1,5 нс | 10 нс | 18 нс | 20А | 16 В | 60В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 33 Вт | 0,026Ом | 35 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1430пФ при 25В | 26 мОм при 17 А, 10 В | 2,2 В @ 10 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS4935A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fds4935a-datasheets-5104.pdf | -30В | -7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | Нет СВХК | 23МОм | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 7А | е3 | 30 В | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 1,6 Вт | 2 | Другие транзисторы | 13 нс | 10 нс | 25 нс | 48 нс | 7А | 20 В | -30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,6 В | -30В | 2 P-канала (двойной) | 1233пФ при 15 В | -1,6 В | 23 мОм при 7 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 21 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD8424H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fdd8424h-datasheets-5195.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | 6,73 мм | 2,517 мм | 6,22 мм | Без свинца | 4 | 17 недель | 260,37 мг | Нет СВХК | 24МОм | 5 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 3,1 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ФДД8424 | 2 | 3,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | Р-ПССО-Г4 | 7 нс | 3нс | 3 нс | 20 нс | 9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,7 В | 1,3 Вт | 9А | 40В | N и P-канал | 1000пФ при 20В | 24 мОм при 9 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 9А 6,5А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMHC3A01N8TC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-zxmhc3a01n8tc-datasheets-5203.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 125 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 870мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ZXMHC3A01 | 8 | 40 | 1,36 Вт | 4 | Другие транзисторы | 2,3 нс | 2,9 нс | 12,1 нс | 1,64А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,17А | 2 N и 2 P-канала (H-мост) | 190пФ при 25В | 125 мОм при 2,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 2,17 А 1,64 А | 3,9 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9358TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-irf9358trpbf-datasheets-5206.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF9358PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 5,7 нс | 7,2 нс | 69 нс | 146 нс | 9,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,8 В | МС-012АА | 73А | 0,0163Ом | 210 мДж | -30В | 2 P-канала (двойной) | 1740пФ при 25В | -1,8 В | 16,3 мОм при 9,2 А, 10 В | 2,4 В @ 25 мкА | 38 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4909DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si4909dyt1ge3-datasheets-5118.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,75 мм | Без свинца | 14 недель | 506,605978мг | Нет СВХК | 8 | Нет | 3,2 Вт | 2 | Двойной | 2 Вт | 2 | 150°С | 8-СО | 2нФ | 10 нс | 9нс | 13 нс | 50 нс | -8А | 20 В | 40В | -1,2 В | 3,2 Вт | 21мОм | -40В | 2 P-канала (двойной) | 2000пФ при 20В | 27 мОм при 8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8А | 63 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 27 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4931DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4931dyt1e3-datasheets-5063.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4931 | 8 | Двойной | 30 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 25 нс | 46нс | 155 нс | 230 нс | 6,7А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -12В | 2 P-канала (двойной) | 18 мОм @ 8,9 А, 4,5 В | 1 В при 350 мкА | 52 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8928A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fds8928a-datasheets-5278.pdf | 5,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 8 недель | 230,4 мг | Нет СВХК | 30МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 23нс | 90 нс | 260 нс | 5,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В 20В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 670мВ | 900мВт | -20В | N и P-канал | 900пФ при 10 В | 670 мВ | 30 мОм при 5,5 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 5,5 А 4 А | 28 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4925BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si4925bdyt1e3-datasheets-5285.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 14 недель | да | EAR99 | неизвестный | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4925 | 8 | 30 | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1 Вт | 5,3А | 0,025 Ом | 2 P-канала (двойной) | 25 мОм при 7,1 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 5,3А | 50 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4925DDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si4925ddyt1ge3-datasheets-5125.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Нет СВХК | 29мОм | 8 | EAR99 | Нет | 5 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СИ4925 | 8 | 2 | Двойной | 5 Вт | 2 | 150°С | 10 нс | 35 нс | 16 нс | 45 нс | -7,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | -30В | 2 P-канала (двойной) | 1350пФ при 15В | -3 В | 29 мОм при 7,3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 8А | 50 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4931DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4931dyt1e3-datasheets-5063.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | 8 | да | EAR99 | Нет | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СИ4931 | 8 | Двойной | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 25 нс | 46нс | 46 нс | 230 нс | -8,9А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,7А | -12В | 2 P-канала (двойной) | 18 мОм @ 8,9 А, 4,5 В | 1 В при 350 мкА | 6,7А | 52 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4948BEY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4948beyt1ge3-datasheets-1222.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Нет СВХК | 120 мОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4948 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 1,4 Вт | 2 | 10 нс | 15нс | 15 нс | 50 нс | -3,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -3В | 2 P-канала (двойной) | -3 В | 120 мОм при 3,1 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 2,4А | 22 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS9958 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fds9958-datasheets-5070.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,575 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 11 недель | 187 мг | Нет СВХК | 105МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 6 нс | 3нс | 6 нс | 27 нс | -2,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,6 В | 65 пФ | -60В | 2 P-канала (двойной) | 1020пФ при 30В | 105 мОм при 2,9 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 2,9 А | 23 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMA1028NZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-fdma1028nz-datasheets-4686.pdf | 20 В | 3,7А | 6-ВДФН Открытая площадка | 2 мм | 750 мкм | 2 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 40мг | Нет СВХК | 68МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,4 Вт | Двойной | 1,4 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 8 нс | 8нс | 8 нс | 14 нс | 3,7А | 12 В | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 700мВт | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 340пФ при 10В | 1 В | 68 мОм при 3,7 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП4025ЛСД-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmp4025lsd13-datasheets-4903.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,8 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DMP4025LSD | 40 | 1,8 Вт | 2 | Другие транзисторы | 6,9 нс | 14,7 нс | 30,9 нс | 53,7 нс | -7,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,3 В | 0,045 Ом | -40В | 2 P-канала (двойной) | 1640пФ при 20В | 25 мОм при 3 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 6,9А | 33,7 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4936BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4936bdyt1ge3-datasheets-1205.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 506,605978мг | Нет СВХК | 35мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4936 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 5 нс | 25нс | 25 нс | 12 нс | 6,9А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 2,8 Вт | 30А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 530пФ при 15В | 3 В | 35 мОм при 5,9 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8949 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fds8949-datasheets-4916.pdf | 40В | 6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 187 мг | Нет СВХК | 29мОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 9 нс | 5нс | 3 нс | 23 нс | 6А | 20 В | 40В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,9 В | 6А | 40В | 2 N-канала (двойной) | 955пФ при 20 В | 1,9 В | 29 мОм при 6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 11 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMHC3025LSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmhc3025lsd13-datasheets-4888.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,7 мм | 3,95 мм | Без свинца | 8 | 18 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | е3 | АЭК-Q101 | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DMHC3025LSD | 40 | 1,5 Вт | 4 | Другие транзисторы | 150°С | 7,5 нс | 4,9 нс | 13,5 нс | 28,2 нс | 4,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 6А | 60А | 0,025 Ом | -30В | 2 N и 2 P-канала (H-мост) | 590пФ при 15В | 25 мОм при 5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 6А 4,2А | 11,7 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4616 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-ao4616-datasheets-9608.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 8 | Нет | 2 Вт | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 7А | 20 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | N и P-канал | 888пФ при 15 В | 20 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 8А 7А | 18 НК @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP4050SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-dmp4050ssdq13-datasheets-1272.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,8 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DMP4050SSD | 8 | Двойной | 40 | 2,14 Вт | 2 | Другие транзисторы | 1,9 нс | 3,1 нс | 12,6 нс | 31,5 нс | 5,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 0,05 Ом | -40В | 2 P-канала (двойной) | 674пФ при 20 В | 50 мОм при 6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4А | 13,9 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7232DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si7232dnt1ge3-datasheets-4961.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,17 мм | 3,05 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 23 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7232 | 8 | 30 | 2,6 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | S-XDSO-C6 | 10 нс | 10 нс | 10 нс | 35 нс | 10А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40А | 0,0164Ом | 11 мДж | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1220пФ при 10В | 16,4 мОм при 10 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 25А | 32 НК при 8 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9945BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-si9945bdyt1ge3-datasheets-4914.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Нет СВХК | 58мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ9945 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 3,1 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 150°С | 10 нс | 15нс | 10 нс | 20 нс | 4,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 5,3А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 665пФ при 15В | 2,5 В | 58 мОм при 4,3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 5,3А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7343TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7343trpbf-datasheets-5047.pdf | 4,7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,75 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 50мОм | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7343PBF | 2 | 2 Вт | 2 | 150°С | 8,3 нс | 10 нс | 22 нс | 43 нс | 4,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3 мм | 1В | 55В | N и P-канал | 740пФ при 25В | 1 В | 50 мОм при 4,7 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА | 4,7 А 3,4 А | 36 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMHC6A07N8TC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-zxmhc6a07n8tc-datasheets-5065.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 870мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ZXMHC6A07 | 8 | 40 | 1,36 Вт | 4 | Другие транзисторы | 1,6 нс | 2,3 нс | 5,8 нс | 13 нс | 1,28А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,39А | 0,25 Ом | -60В | 2 N и 2 P-канала (H-мост) | 166пФ при 40 В | 250 мОм при 1,8 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 1,39 А 1,28 А | 3,2 нк при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6926ADQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si6926adqt1e3-datasheets-4790.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 157,991892мг | Неизвестный | 30мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ6926 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 830мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 6 нс | 16 нс | 16 нс | 46 нс | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,1А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 400 мВ | 30 мОм при 4,5 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 4,1А | 10,5 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMA1032CZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdma1032cz-datasheets-4748.pdf | 20 В | 3,7А | 6-ВДФН Открытая площадка | 2 мм | 850 мкм | 2 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 40мг | Нет СВХК | 68мОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР | Золото | Нет | е4 | 1,4 Вт | 2 | Двойной | 1,4 Вт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 11нс | 11 нс | 37 нс | 3,7А | 12 В | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 700мВт | 20 В | N и P-канал | 340пФ при 10В | 1 В | 68 мОм при 3,7 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,7 А 3,1 А | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня |
