Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF6802SDTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/infineontechnologies-irf6802sdtrpbf-datasheets-3169.pdf | DirectFET™ Изометрический SA | Без свинца | 13 недель | 8 | EAR99 | Нет | 1,7 Вт | 1,7 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 9,7 нс | 50 нс | 23 нс | 13 нс | 16А | 16 В | 25В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 57А | 25В | 2 N-канала (двойной) | 1350пФ при 13В | 4,2 мОм при 16 А, 10 В | 2,1 В @ 35 мкА | 13 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF9952QTR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-auirf9952qtr-datasheets-3201.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 8 | 26 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 2,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 3,5 А | 16А | 0,1 Ом | 44 мДж | 30В | N и P-канал | 190пФ при 15В | 1 В | 100 мОм при 2,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,5 А 2,3 А | 14 НК @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФ7341Q | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-auirf7341qtr-datasheets-2907.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКАЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ | совместимый | 8541.29.00.95 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,4 Вт | МС-012АА | 5,1А | 42А | 0,05 Ом | 140 мДж | 2 N-канала (двойной) | 780пФ при 25В | 50 мОм при 5,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5,1А | 44 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФ7313Q | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-auirf7313qtr-datasheets-9108.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | совместимый | 8541.29.00.95 | АЭК-Q101 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,4 Вт | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,4 Вт | МС-012АА | 6,9А | 58А | 0,029 Ом | 450 мДж | 2 N-канала (двойной) | 755пФ при 25В | 29 мОм при 6,9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,9А | 33 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPC8221-H,LQ(S | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30В | 450мВт | 2 N-канала (двойной) | 830пФ при 10 В | 25 мОм при 3 А, 10 В | 2,3 В при 100 мкА | 6А | 12 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4830 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 3,5 А | 80В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 770пФ при 40 В | 75 мОм при 3,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 13 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МП6К14ТКР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/rohmsemiconductor-mp6k14tcr-datasheets-2787.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 6 | да | EAR99 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | 260 | *К14 | 6 | 10 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф6 | 8А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 8А | 0,032Ом | 2 N-канала (двойной) | 470пФ при 10В | 25 мОм при 8 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 7,3 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4310BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4310bdyt1e3-datasheets-2886.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 186,993455мг | 8 | 1,47 Вт | 2 | Двойной | 2 | 14-СОИК | 2,37 нФ | 17 нс | 12нс | 12 нс | 53 нс | 9,8А | 20 В | 30В | 1,14 Вт 1,47 Вт | 8,5 мОм | 30В | 2 N-канала (двойной) | 2370пФ при 15 В | 11 мОм при 10 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7,5 А 9,8 А | 18 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 11 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФ7304Q | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/infineontechnologies-auirf7304qtr-datasheets-2774.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СОВМЕСТИМОСТЬ НА ЛОГИЧЕСКОМ УРОВНЕ | совместимый | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 4,3А | 17А | 0,09 Ом | 2 P-канала (двойной) | 610пФ при 15 В | 90 мОм при 2,2 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4,3А | 22 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МП6М12ТКР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/rohmsemiconductor-mp6m12tcr-datasheets-2799.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 6 | EAR99 | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | *М12 | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 5А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 5А | 12А | 0,063Ом | N и P-канал | 250пФ при 10В | 42 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 4 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МП6К13ТКР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/rohmsemiconductor-mp6k13tcr-datasheets-2771.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 Вт | *К13 | МПТ6 | 350пФ | 6А | 30В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 350пФ при 10В | 31 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 6А | 5 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 31 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МП6К31ТКР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/rohmsemiconductor-mp6k31tr-datasheets-1705.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 Вт | *К31 | МПТ6 | 110пФ | 2А | 60В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 110пФ при 10В | 290 мОм при 2 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 2А | 2 НК при 5 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | 290 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФ7319Q | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/infineontechnologies-auirf7319q-datasheets-2821.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКАЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 6,5 А | 30А | 0,029 Ом | 82 мДж | N и P-канал | 650пФ при 25В | 29 мОм при 5,8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,5 А 4,9 А | 33 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФ7303Q | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-auirf7303q-datasheets-2837.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | совместимый | 8541.29.00.95 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,4 Вт | МС-012АА | 4,9А | 20А | 0,05 Ом | 2 N-канала (двойной) | 515пФ при 25В | 50 мОм при 2,7 А, 10 В | 3 В при 100 мкА | 5,3А | 21 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФ7316Q | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-auirf7316qtr-datasheets-9942.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКАЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 30А | 0,058 Ом | 140 мДж | 2 P-канала (двойной) | 710пФ при 25 В | 58 мОм при 4,9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 34 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7940DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7940dpt1ge3-datasheets-5439.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | Без свинца | 6 | 17мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7940 | 8 | Двойной | 40 | 1,4 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C6 | 30 нс | 50 нс | 50 нс | 60 нс | 7,6А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 12 В | 2 N-канала (двойной) | 17 мОм при 11,8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF7319QTR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-auirf7319qtr-datasheets-2854.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 8 | 26 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКАЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 4,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 6,5 А | 30А | 30В | N и P-канал | 650пФ при 25В | 1 В | 29 мОм при 5,8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,5 А 4,9 А | 33 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФ7309Q | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-auirf7309qtr-datasheets-8936.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт | МС-012АА | 4А | 16А | 0,05 Ом | N и P-канал | 520пФ при 15В | 50 мОм при 2,4 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4А 3А | 25 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МП6М11ТКР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/rohmsemiconductor-mp6m11tcr-datasheets-2769.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 6 | EAR99 | неизвестный | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | *М11 | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 3,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 12А | 0,14 Ом | N и P-канал | 85пФ при 10В | 98 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 1,9 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МП6М14ТКР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/rohmsemiconductor-mp6m14tcr-datasheets-2770.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 Вт | *М14 | 6А | 30В | N и P-канал | 470пФ при 10В | 25 мОм при 8 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 8А 6А | 7,3 нк при 5 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МП6К11ТКР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/rohmsemiconductor-mp6k11tcr-datasheets-2762.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 6 | да | EAR99 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | 260 | *К11 | 6 | 10 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф6 | 3,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 12А | 0,14 Ом | 2 N-канала (двойной) | 85пФ при 10В | 98 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 1,9 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF7304QTR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/infineontechnologies-auirf7304qtr-datasheets-2774.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 8 | 26 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СОВМЕСТИМОСТЬ НА ЛОГИЧЕСКОМ УРОВНЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 8,4 нс | 26нс | 33 нс | 51 нс | 4,3А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -700мВ | 17А | 0,09 Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 610пФ при 15 В | 90 мОм при 2,2 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 22 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF7103Q | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/infineontechnologies-auirf7103qtr-datasheets-2890.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,4 Вт | МС-012АА | 3А | 25А | 0,13 Ом | 22 мДж | 2 N-канала (двойной) | 255пФ при 25В | 130 мОм при 3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3А | 15 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4613 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-ao4613-datasheets-2677.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 2 Вт | 6,1А | 30В | N и P-канал | 630пФ при 15 В | 24 мОм при 7,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МП6К12ТКР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/rohmsemiconductor-mp6k12tcr-datasheets-2788.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 6 | EAR99 | 2 Вт | *К12 | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 5А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 5А | 12А | 0,063Ом | 2 N-канала (двойной) | 250пФ при 10В | 42 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 4 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД607 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | 16 недель | 2,1 Вт | 12А | 30В | Дополняющие N и P-каналы | 1250пФ при 15В | 25 мОм при 12 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 12А Ц | 25 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО207PHXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-bso207phxuma1-datasheets-2631.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 12 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БСО207 | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,6 Вт | 5А | 22,8А | 0,045 Ом | 44 мДж | 2 P-канала (двойной) | 1650пФ при 15В | 45 мОм при 5,7 А, 4,5 В | 1,2 В @ 44 мкА | 5А | 16 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MVDF2C03HDR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2011 г. | /files/onsemiconductor-mvdf2c03hdr2g-datasheets-2713.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СОИК | 30В | 2 Вт | Дополняющие N и P-каналы | 630пФ при 24В | 70 мОм при 3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4,1А 3А | 16 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL207NL6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bsl207nl6327htsa1-datasheets-2709.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ, ПОДДЕРЖИВАЕМЫЙ | Нет | 8541.21.00.95 | 500мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 5,4 нс | 2,8 нс | 2,4 нс | 11 нс | 2,1А | 12 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,07 Ом | 24 пФ | 2 N-канала (двойной) | 419пФ при 10 В | 70 мОм при 2,1 А, 4,5 В | 1,2 В @ 11 мкА | 2,1 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7820 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aon7820-datasheets-1830.pdf | 8-PowerVDFN | 3,1 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 35А | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 2065пФ при 10В | 1 В при 250 мкА | 22 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня |
