Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МП6М11ТКР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/rohmsemiconductor-mp6m11tcr-datasheets-2769.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 6 | EAR99 | неизвестный | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | *М11 | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 3,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 12А | 0,14 Ом | N и P-канал | 85пФ при 10В | 98 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 1,9 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МП6М14ТКР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/rohmsemiconductor-mp6m14tcr-datasheets-2770.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 Вт | *М14 | 6А | 30 В | N и P-канал | 470пФ при 10В | 25 мОм при 8 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 8А 6А | 7,3 нк при 5 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МП6К11ТКР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/rohmsemiconductor-mp6k11tcr-datasheets-2762.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 6 | да | EAR99 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | 260 | *К11 | 6 | 10 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф6 | 3,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 12А | 0,14 Ом | 2 N-канала (двойной) | 85пФ при 10В | 98 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 1,9 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF7304QTR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/infineontechnologies-auirf7304qtr-datasheets-2774.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 8 | 26 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СОВМЕСТИМОСТЬ НА ЛОГИЧЕСКОМ УРОВНЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 8,4 нс | 26нс | 33 нс | 51 нс | 4,3А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -700мВ | 17А | 0,09 Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 610пФ при 15 В | 90 мОм при 2,2 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 22 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF7103Q | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/infineontechnologies-auirf7103qtr-datasheets-2890.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,4 Вт | МС-012АА | 3А | 25А | 0,13 Ом | 22 мДж | 2 N-канала (двойной) | 255пФ при 25В | 130 мОм при 3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3А | 15 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО8804 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 1,5 Вт | 8А | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1810пФ при 10 В | 13 мОм при 8 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 17,9 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4850 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,1 Вт | 2,3А | 75В | 1,1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 380пФ при 30В | 130 мОм при 3,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН5802Б | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon5802b-datasheets-1813.pdf | 6-SMD, открытая площадка с выводами | 16 недель | 6 | 1,6 Вт | Полномочия общего назначения FET | 7,2А | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,6 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1150пФ при 15В | 19 мОм при 7 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН2800 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon2800-datasheets-1815.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 1,5 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 4,5 А | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 435пФ при 10 В | 47 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН2880 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-WFDFN Открытая площадка | 2 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 7А | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 7А | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 600пФ при 10 В | 21,5 мОм при 5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 9 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6801А | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductorinc-ao6801a-datasheets-2617.pdf | СК-74, СОТ-457 | 6 | 1,15 Вт | 1,15 Вт | 2 | 2,3А | 12 В | 30 В | 2 P-канала (двойной) | 315пФ при 15В | 115 мОм при 2,3 А, 10 В | 1,4 В при 250 мкА | 7 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6918 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-WDFN Открытая площадка | 2,2 Вт | 26,5А | 25В | 2 Вт 2,2 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 1560пФ при 15В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 15А 26,5А | 21 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5975DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si5975dct1ge3-datasheets-2325.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | 84,99187мг | 8 | 1,1 Вт | 2 | Двойной | 1,1 Вт | 1206-8 ЧипFET™ | 10 нс | 20нс | 20 нс | 31 нс | 3,1А | 8В | 12 В | 1,1 Вт | 86мОм | -12В | 2 P-канала (двойной) | 86 мОм при 3,1 А, 4,5 В | 450 мВ при 1 мА (мин) | 3,1А | 9 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 86 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7902 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerWDFN | 8 | 1,8 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 13А | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40А | 2 Н-канала (полумост) | 710пФ при 15 В | 21 мОм при 8 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 8А 13А | 11 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС2802 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aoc2802-datasheets-1820.pdf | 4-УФБГА, ВЛЦСП | 1,3 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 10,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFHM8363TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfhm8363trpbf-datasheets-3052.pdf | 8-PowerVDFN | IRFHM8363PBF | 30 В | 2,7 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1165пФ при 10 В | 14,9 мОм при 10 А, 10 В | 2,35 В @ 25 мкА | 11А | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО303PHXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bso303phxuma1-datasheets-2644.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | 8541.29.00.95 | е3 | Без галогенов | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | 13нс | 7А | 20 В | -30В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 7А | 32,8А | 0,021 Ом | 97 мДж | 2 P-канала (двойной) | 2678пФ при 25 В | 21 мОм при 8,2 А, 10 В | 2 В при 100 мкА | 49 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6955ADQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6955adqt1ge3-datasheets-2330.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 8 | 157,991892мг | 8 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Двойной | 40 | 830мВт | 2 | Не квалифицирован | 8 нс | 9нс | 9 нс | 21 нс | 2,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -30В | 2 P-канала (двойной) | 80 мОм при 2,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 8 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6910А | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 8 | 2 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 16А | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,9 Вт 2 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 670пФ при 15 В | 14 мОм при 9,1 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 9,1А 16А | 9 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН4605 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-aon4605-datasheets-2591.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 16 недель | 8 | 1,9 Вт | 1,9 Вт | 2 | Другие транзисторы | 3,4А | 20 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,3А | N и P-канал | 210пФ при 15В | 50 мОм при 4,3 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 4,3 А 3,4 А | 5 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО8818 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 недель | 1,5 Вт | 7А | 30 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1060пФ при 15В | 18 мОм при 7 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 14 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4821 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao4821-datasheets-1809.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 2 Вт | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 9А | 8В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 9А | 2 P-канала (двойной) | 2100пФ при 6В | 19 мОм при 9 А, 4,5 В | 850 мВ при 250 мкА | 23 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6908А | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aon6908a-datasheets-1824.pdf | 8-PowerVDFN | 16 недель | 8 | 2,1 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 17А | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,9 Вт 2,1 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 1110пФ при 15В | 8,9 мОм при 11,5 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 11,5 А 17 А | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН4807 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon4807-datasheets-1810.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 1,9 Вт | 4А | 30 В | 1,9 Вт | 2 P-канала (двойной) | 290пФ при 15В | 68 мОм при 4 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 10 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDQ7236AS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-fdq7236as-datasheets-2676.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 338мг | 14 | да | 1,1 Вт | Двойной | 1,8 Вт | 11А | 1,3 Вт 1,1 Вт | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 920пФ при 15 В | 8,7 мОм при 14 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 14А 11А | 24 НК при 15 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМД6Н03Р2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | 1,29 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NTMD6N03 | 30 | 2 | Р-ПДСО-Г8 | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 30А | 0,032Ом | 325 мДж | 2 N-канала (двойной) | 950пФ при 24В | 32 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСТЖД1155LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС3604АС | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdms3604as-datasheets-2558.pdf | 8-PowerTDFN | 5 мм | 1,05 мм | 6 мм | 6 | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | 2,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н6 | 4,8 нс | 3,4 нс | 31 нс | 23А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 13А | 75 пФ | 30 В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1695пФ при 15В | 2 В | 8 мОм при 13 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 13А 23А | 29 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW906-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-fw906tle-datasheets-2562.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 2,5 Вт | 6А | 30 В | N и P-канал | 690пФ при 10 В | 24 мОм при 8 А, 10 В | 8А 6А | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFHM792TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-irfhm792trpbf-datasheets-1984.pdf | 8-PowerVDFN | Нет СВХК | 8 | 2,3 Вт | IRFHM792PBF | Двойной | 2,3 Вт | 8-PQFN (3,3х3,3), Мощность33 | 251пФ | 4,7 нс | 2,6 нс | 5,2 нс | 2,3А | 20 В | 100 В | 3В | 2,3 Вт | 23 нс | 195мОм | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 251пФ при 25В | 3 В | 195 мОм при 2,9 А, 10 В | 4 В @ 10 мкА | 2,3А | 6,3 НК при 10 В | Стандартный | 195 мОм |
