Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СП8М3ФУ6ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8m3tb-datasheets-0418.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | *М3 | Двойной | 2 Вт | 25нс | 25 нс | 60 нс | 4,5 А | 20 В | 30 В | 2,5 В | 30 В | N и P-канал | 230пФ при 10В | 2,5 В | 51 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 5А 4,5А | 5,5 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC90TAM60TPG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc90tam60tpg-datasheets-5908.pdf | СП6 | 23 | 22 недели | 6 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 462 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 23 | 6 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XUFM-X23 | 70 нс | 20нс | 25 нс | 400 нс | 59А | 20 В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И ТЕРМИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150А | 1940 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 13600пФ при 100В | 60 мОм при 52 А, 10 В | 3,5 В при 6 мА | 540 НК при 10 В | Супер Джанкшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC90H12T1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc90h12t1g-datasheets-5914.pdf | СП1 | 12 | 22 недели | 1 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 250 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | 70 нс | 20нс | 25 нс | 400 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 75А | 4 N-канала (H-мост) | 6800пФ при 100В | 120 мОм при 26 А, 10 В | 3,5 В при 3 мА | 270 НК при 10 В | Супер Джанкшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UPA2672T1R-E2-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/renesaselectronicsamerica-upa2672t1re2ax-datasheets-5922.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | да | EAR99 | 2,3 Вт | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | 4А | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,3 Вт | 4А | 2 P-канала (двойной) | 486пФ при 10 В | 67 мОм при 2 А, 4,5 В | 5нК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMP3F37DN8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-zxmp3f37dn8ta-datasheets-5928.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,81 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 2,7 Вт | 2 | Другие транзисторы | 3,5 нс | 4,9 нс | 28 нс | 44 нс | 7,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5,7А | 2 P-канала (двойной) | 1678пФ при 15 В | 25 мОм при 7,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5,7А | 31,6 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC90HM60T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptc90hm60t3g-datasheets-5931.pdf | SP3 | 20 | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 462 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 4 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XUFM-X20 | 70 нс | 20нс | 25 нс | 400 нс | 59А | 20 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150А | 0,06 Ом | 4 N-канала (H-мост) | 13600пФ при 100В | 60 мОм при 52 А, 10 В | 3,5 В при 6 мА | 540 НК при 10 В | Супер Джанкшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4562DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si4562dyt1ge3-datasheets-2293.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 186,993455мг | Неизвестный | 25мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е4 | Серебро (Ag) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4562 | 8 | 2 | 30 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 27 нс | 32нс | 45 нс | 95 нс | 7.1А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600мВ | 40А | 20 В | N и P-канал | 600 мВ | 25 мОм при 7,1 А, 4,5 В | 1,6 В @ 250 мкА | 50 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||
| АОН2809 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aon2809-datasheets-2614.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 2,1 Вт | 2А | 12 В | 2,1 Вт | 2 P-канала (двойной) | 415пФ при 6В | 68 мОм при 2 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 4,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4539ADY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4539adyt1ge3-datasheets-2229.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 506,605978мг | 36мОм | 8 | Нет | 30 Вт | СИ4539 | 2 | 1,1 Вт | 2 | 8-СО | 435пФ | 7 нс | 10 нс | 10 нс | 40 нс | 16А | 20 В | 30 В | 1,1 Вт | 53мОм | 30 В | N и P-канал | 36 мОм при 5,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 4,4 А 3,7 А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 24 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4532ADY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/vishaysiliconix-si4532adyt1ge3-datasheets-1111.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 15 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 80мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4532 | 8 | 2 | 40 | 2 Вт | 2 | 8 нс | 9нс | 10 нс | 21 нс | 4,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 1,13 Вт 1,2 Вт | 3,7А | 30 В | N и P-канал | 1 В | 53 мОм при 4,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 3,7 А 3 А | 16 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||
| АОН6973А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6973a-datasheets-5721.pdf | 8-PowerVDFN | 8 | 4,3 Вт | 8-ДФН (5х6) | 1,037нФ | 30А | 30 В | 3,6 Вт 4,3 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 1037пФ при 15В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 22А 30А | 22 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 5,2 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4542DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si4542dyt1ge3-datasheets-2215.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 25мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4542 | 8 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 10 нс | 25 нс | 55 нс | 5,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,9А | 40А | 30 В | N и P-канал | 25 мОм при 6,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 50 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4920DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4920dyt1ge3-datasheets-2296.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,5494 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 25мОм | 8 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4920 | 8 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицирован | 790пФ | 12 нс | 10 нс | 15 нс | 60 нс | 6,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 25 мОм при 6,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 23 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4966DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si4966dyt1ge3-datasheets-2310.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5494 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 15 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 25мОм | 8 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4966 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | Не квалифицирован | 40 нс | 40 нс | 40 нс | 90 нс | 7.1А | 12 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 600 мВ | 25 мОм при 7,1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 50 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4816DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4816dyt1ge3-datasheets-2280.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | Неизвестный | 22МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4816 | 8 | 2 | 40 | 7,7 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 15 нс | 5нс | 12 нс | 44 нс | 5,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 Вт 1,25 Вт | 30 В | 2 Н-канала (полумост) | 2 В | 22 мОм при 6,3 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 5,3 А 7,7 А | 12 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4942DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si4942dyt1ge3-datasheets-2263.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 21мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4942 | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 4нФ | 13 нс | 10 нс | 10 нс | 31 нс | 5,3А | 20 В | 40В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 40В | 2 N-канала (двойной) | 3 В | 21 мОм при 7,4 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 32 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| GA100SCPL12-227E | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | СОТ-227 | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC6070LFDH-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmc6070lfdh7-datasheets-5845.pdf | 8-ВДФН | 3,05 мм | 800 мкм | 3,05 мм | 8 | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 1,4 Вт | ДВОЙНОЙ | 1,4 Вт | 2 | Другие транзисторы | 9,6 нс | 61 нс | 2,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,1А | 60В | N и P-канал | 731пФ при 20 В | 85 мОм при 1,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,1 А 2,4 А | 11,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6934А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aon6934a-datasheets-2609.pdf | 8-PowerVDFN | 16 недель | 8 | 4,3 Вт | 30А | 30 В | 3,6 Вт 4,3 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 1037пФ при 15В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 22А 30А | 22 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5999EDU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si5999edut1ge3-datasheets-5713.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | Без свинца | 6 | Неизвестный | 59мОм | 8 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 10,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5999 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2,3 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С6 | 17 нс | 21нс | 13 нс | 26 нс | 5А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 496пФ при 10 В | -600 мВ | 59 мОм при 3,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||
| АО5803Е | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | СОТ-563, СОТ-666 | 400мВт | Другие транзисторы | 600 мА | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,6А | 2 P-канала (двойной) | 100пФ при 10В | 800 мОм при 600 мА, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ900ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-siz900dtt1ge3-datasheets-5706.pdf | 6-PowerPair™ | 6 мм | 750 мкм | 5 мм | 8 | 15 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | 100 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | СИЗ900 | 8 | 2 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 48 Вт 100 Вт | 90А | 30 В | 2 Н-канала (полумост) | 1830пФ при 15В | 7,2 мОм при 19,4 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 24А 28А | 45 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ916ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysiliconix-siz916dtt1ge3-datasheets-5724.pdf | 8-PowerWDFN | 6 мм | 750 мкм | 5 мм | 15 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | 100 Вт | СИЗ916 | 2 | Двойной | 27 нс | 83нс | 10 нс | 66 нс | 40А | 2,4 В | 1,2 В | 22,7 Вт 100 Вт | 30 В | 2 Н-канала (полумост) | 1208пФ при 15В | 6,4 мОм при 19 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 16А 40А | 26 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6938 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 8 | 4,3 Вт | 33А | 30 В | 3,6 Вт 4,3 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 1150пФ при 15В | 8,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 17А 33А | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9936BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si9936bdyt1ge3-datasheets-2479.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 186,993455мг | 35мОм | 8 | Нет | 1,1 Вт | СИ9936 | 2 | Двойной | 1,1 Вт | 2 | 8-СО | 10 нс | 15нс | 15 нс | 25 нс | 6А | 20 В | 30 В | 1,1 Вт | 35мОм | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 35 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4,5 А | 13 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 35 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6936 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 8 | 4,3 Вт | 40А | 30 В | 3,6 Вт 4,3 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 984пФ при 15В | 4,9 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 22А 40А | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН3613 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductorinc-aon3613-datasheets-5577.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,1 Вт | 4,5 А | 30 В | 2,1 Вт | N и P-каналы, общий сток | 245пФ при 15В | 52 мОм при 4,5 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 10 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО5600Е | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $15,39 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao5600e-datasheets-2529.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 380мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф6 | 500 мА | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,75 Ом | N и P-канал | 45пФ при 10В | 650 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 600 мА 500 мА | 1 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6974 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductorinc-aon6974-datasheets-5607.pdf | 8-PowerVDFN | 30 В | 3,6 Вт 4,3 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 951пФ при 15 В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 22А 30А | 22,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6801Е | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | СК-74, СОТ-457 | 700мВт | 2А | 30 В | 700мВт | 2 P-канала (двойной) | 305пФ при 15В | 110 мОм при 2 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня |
