Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EFC6602R-A-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-XFBGA, FCBGA | Без свинца | 4 недели | 6 | Без галогенов | 2 Вт | Двойной | 530 нс | 2,1 мкс | 5,5 мкс | 6,2 мкс | 53А | 12 В | 12 В | 5,9 мОм | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 55 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD8424H-F085A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fdd8424h-datasheets-5195.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | 260,37 мг | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 23 часа назад) | да | Нет | 1,3 Вт | ФДД8424 | Двойной | 30 Вт | Другие транзисторы | 7 нс | 6,5 А | 20 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20А | 40В | N и P-канал | 1000пФ при 20В | 24 мОм при 9 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 9А 6,5А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5489НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5489nlt1g-datasheets-1954.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 6 недель | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 3 Вт | 8 | Двойной | Полевой транзистор общего назначения | 7 нс | 11нс | 21 нс | 31 нс | 4,5 А | 20 В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 12А | 2 N-канала (двойной) | 330пФ при 25В | 65 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 12,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8659-M-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-ech8659tlw-datasheets-0049.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | Нет | Без галогенов | 1,5 Вт | 10 нс | 25нс | 25 нс | 43 нс | 7А | 20 В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 710пФ при 10 В | 24 мОм при 3,5 А, 10 В | 11,8 НК при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5483НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5483nlwft3g-datasheets-9880.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 6 недель | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 3,1 Вт | 8 | Двойной | 6,8 нс | 10,3 нс | 23,5 нс | 37,5 нс | 6,4А | 20 В | 60В | 2 N-канала (двойной) | 668пФ при 25 В | 36 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 23,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH4255DTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шестигранный транзистор® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfh4255dtrpbf-datasheets-6293.pdf | 8-PowerVDFN | 6 мм | 900 мкм | 5 мм | Без свинца | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Олово | Нет | 38 Вт | IRFH4255 | Двойной | 2 | 30А | 20 В | 25 В | 1,6 В | 31 Вт 38 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1314пФ при 13В | 3,2 мОм при 30 А, 10 В | 2,1 В при 35 мкА | 64А 105А | 15 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QJD1210010 | Powerex Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/powerexinc-qjd1210010-datasheets-6368.pdf | Модуль | неизвестный | 1,08 кВт | 100А | 1200В 1,2кВ | 1080 Вт | 2 N-канала (двойной) | 10200пФ при 800В | 25 мОм при 100 А, 20 В | 5 В при 10 мА | 100А Ц | 500 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CTLDM303N-M832DS ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | 2014 год | /files/centralsemiconductorcorp-ctldm303nm832dstr-datasheets-6336.pdf | 8-ТДФН Открытая площадка | 8 | 6 недель | EAR99 | совместимый | 8541.29.00.95 | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | 2 | Р-ПДСО-Н8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,65 Вт | 3,6А | 0,078Ом | 2 N-канала (двойной) | 590пФ при 10 В | 40 мОм при 1,8 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 3,6А | 13 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8667-TL-HX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 8-СМД, плоский вывод | 8 недель | 8 | -5,5 А | -30В | 39мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8653-S-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 2 | 7,5 А | 20 В | 20мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC6601R-A-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-XFBGA, FCBGA | Без свинца | 4 недели | 68,407399мг | 6 | Без галогенов | 2 Вт | Двойной | 280 нс | 630 нс | 47 мкс | 53 мкс | 13А | 12 В | 24В | 11,5 мОм | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 48 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VQ1001P | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/vishaysiliconix-vq1001p2-datasheets-6118.pdf | КРИС | 15 недель | 1.200007г | 14 | Нет | 2 Вт | 4 | 1,3 Вт | 14-ДИП | 110пФ | 830 мА | 20 В | 30 В | 2 Вт | 1 Ом | 30 В | 4 N-канала | 110пФ при 15В | 1,75 Ом при 200 мА, 5 В | 2,5 В при 1 мА | 830 мА | Ворота логического уровня | 1,75 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ962EP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sqj962ept1ge3-datasheets-6203.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | Без свинца | 4 | Неизвестный | 60мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | 25 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г4 | 5 нс | 11нс | 6 нс | 16 нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 8А | 5 мДж | 2 N-канала (двойной) | 475пФ при 25В | 60 мОм при 4,3 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 14 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA915DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sia915djt1ge3-datasheets-6219.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 6 | 12 недель | 28,009329мг | Неизвестный | 6 | EAR99 | Нет | 6,5 Вт | 6 | 2 | Двойной | 1,9 Вт | 2 | Другие транзисторы | 35 нс | 25нс | 10 нс | 15 нс | 3,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 4,5 А | 0,087Ом | 2 P-канала (двойной) | 275пФ при 15В | -1 В | 87 мОм при 2,9 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 4,5 А | 9 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF3575DTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-irf3575dtrpbf-datasheets-6222.pdf | 32-PowerWFQFN | 15 недель | EAR99 | ДА | 150°С | Полевой транзистор общего назначения | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 303А | 2 N-канала (двойной) | 303А Тк | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VQ2001P-2 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-vq2001p-datasheets-6139.pdf | 14-ДИП | 14 | 14 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | 2 Вт | 4 | 600 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,6А | 2А | 2Ом | 60 пФ | 4 P-канала | 150пФ при 15В | 30 нс | 30 нс | 2 Ом при 1 А, 12 В | 4,5 В при 1 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПХН210Т,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/nexperiausainc-phn210t118-datasheets-6170.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,45 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 16 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 6 нс | 8нс | 15 нс | 21 нс | 2,4А | 20 В | 30 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | МС-012АА | 3,4А | 14А | 0,1 Ом | 13 мДж | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 250пФ при 20В | 2 В | 100 мОм при 2,2 А, 10 В | 2,8 В при 1 мА | 6 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ914ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-siz914dtt1ge3-datasheets-6251.pdf | 8-PowerWDFN | 6 мм | 750 мкм | 5 мм | 6 | 13 недель | 8 | EAR99 | неизвестный | 100 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | СИЗ914 | 2 | Двойной | 2 | Р-ПДСО-Н6 | 40 нс | 127 нс | 19 нс | 40 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 22,7 Вт 100 Вт | 16А | 0,0064Ом | 5 мДж | 30 В | 2 Н-канала (полумост) | 1208пФ при 15В | 6,4 мОм при 19 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 16А 40А | 26 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6912 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fds6912-datasheets-6276.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 187 мг | Нет СВХК | 28МОм | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 8 нс | 13нс | 8 нс | 18 нс | 6А | 25 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 6А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 740пФ при 15В | 2 В | 28 мОм при 6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 10 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДСС2407 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,575 мм | 3,9 мм | 8 | 5 недель | 230,4 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2,27 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | ФДСС2407 | Двойной | 2,27 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 630 нс | 1,2 мкс | 3,5 мкс | 8,7 мкс | 3,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 62В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3А | 0,11 Ом | 140 мДж | 62В | 2 N-канала (двойной) | 300пФ при 15В | 110 мОм при 3,3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4,3 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7270DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si7270dpt1ge3-datasheets-6137.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 6 | 13 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 17,8 Вт | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Двойной | 30 | 3,6 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-С6 | 10 нс | 8нс | 8 нс | 18 нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 8А | 35А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 900пФ при 15В | 21 мОм при 8 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 21 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VQ2001P | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-vq2001p-datasheets-6139.pdf | ПДИП | 13 недель | 1.200007г | 14 | Нет | 2 Вт | 4 | 2 Вт | 4 | 150пФ | 600 мА | 20 В | 30 В | 2 Вт | 2Ом | 30 В | 4 P-канала | 150пФ при 15В | 2 Ом при 1 А, 12 В | 4,5 В при 1 мА | 600 мА | Стандартный | 2 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VQ3001P-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-vq3001pe3-datasheets-6145.pdf | 15 недель | 14 | Нет | 2 Вт | 2 Вт | 4 | 110пФ | 600 мА | 20 В | 30 В | 2 Вт | 2 N и 2 P-канала | 110пФ при 15В | 1 Ом при 1 А, 12 В | 2,5 В при 1 мА | 850 мА 600 мА | Стандартный | 1 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS4559-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fds4559f085-datasheets-6147.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 230,4 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 10 нс | 12 нс | 19 нс | 3,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,5 А | 0,055 Ом | 60В | N и P-канал | 650пФ при 25В | 55 мОм при 4,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4,5 А 3,5 А | 18 НК @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VQ1006P | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-vq1006p2-datasheets-6115.pdf | ПДИП | 13 недель | 1.200007г | 14 | нет | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2 Вт | 14 | 4 | 2 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 14-ДИП | 400 мА | 20 В | 90В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 90В | 4 N-канала | 60пФ при 25В | 4,5 Ом при 1 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHC2300,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/nexperiausainc-phc2300118-datasheets-6163.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | 8 | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 30 | 1,6 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 340 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 300В | 300В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | МС-012АА | 0,34 А | 6Ом | N и P-канал | 102пФ при 50В | 6 Ом при 170 мА, 10 В | 2 В при 1 мА | 340 мА 235 мА | 6,24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJM0306JSP-01#J0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 2,2 Вт | 3,5 А | 30 В | 2,2 Вт | 2 N и 2 P-канала (H-мост) | 290пФ при 10В | 65 мОм при 2 А, 10 В | 5 нк @ 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМГД175СН,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nxpusainc-pmgd175xn115-datasheets-6104.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,905 Вт | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 390мВт | 0,9 А | 0,225 Ом | 2 N-канала (двойной) | 75пФ при 15В | 225 мОм при 1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 900 мА | 1,1 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VQ1006P-2 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-vq1006p2-datasheets-6115.pdf | ПДИП | 14 | 14 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | 1,3 Вт | 4 | 14-ДИП | 400 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | 90В | 90В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2А | 3,5 Ом | 10 пФ | 4 N-канала | 60пФ при 25В | 10 нс | 10 нс | 4,5 Ом при 1 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VQ1001P-2 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-vq1001p2-datasheets-6118.pdf | ПДИП | 14 | 18 недель | 14 | EAR99 | 8541.29.00.75 | НЕТ | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | 4 | Не квалифицирован | 14-ДИП | 830 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 4-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 0,83 А | 3А | 1 Ом | 35 пФ | 4 N-канала | 110пФ при 15В | 30 нс | 30 нс | 1,75 Ом при 200 мА, 5 В | 2,5 В при 1 мА | Ворота логического уровня |
