Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MCH6606-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | Содержит свинец | 8 недель | 6 | Нет | 10 нс | 11нс | 75 нс | 105 нс | 53А | 20 В | 50В | 5,28 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC4627R-A-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 4-XFBGA | 5 недель | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTZD3155CT1H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntzd3155ct1h-datasheets-6611.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 26 недель | 8,193012мг | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 250мВт | ПЛОСКИЙ | 2 | Двойной | 2 | Другие транзисторы | 430 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,54 А | 0,55 Ом | N и P-канал | 150пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 540 мА 430 мА | 2,5 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN4031SSDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn4031ssdq13-datasheets-6616.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 7 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,42 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 5,2А | 40В | 1,42 Вт | 2 N-канала (двойной) | 945пФ при 20 В | 31 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 18,6 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТЗД3154НТ1Х | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-ntzd3154nt1g-datasheets-3038.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 5 недель | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 250мВт | ПЛОСКИЙ | Двойной | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 6 нс | 4нс | 8 нс | 16 нс | 540 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,54 А | 0,55 Ом | 20 пФ | 2 N-канала (двойной) | 150пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,5 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC6611R-A-TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 1998 год | 6-СМД, без свинца | 15 недель | 59,987591мг | 6 | 2,5 Вт | 1 | 80 нс | 570 нс | 17,7 мкс | 38 мкс | 27А | 8В | 12 В | 3,2 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VEC2616-TL-HZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-vec2616tlhz-datasheets-6620.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 60В | 1 Вт | N и P-канал | 505пФ при 20В | 80 мОм при 1,5 А, 10 В | 3А 2,5А | 10 нк @ 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC6611R-TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/onsemiconductor-efc6611rtf-datasheets-6624.pdf | 6-СМД, без свинца | Без свинца | 7 недель | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | 2,5 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Мощность полевого транзистора общего назначения | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 27А | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 100 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА1764G-E2-AZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/renesaselectronicsamerica-upa1764ge2az-datasheets-6574.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 недель | EAR99 | 2 Вт | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | Мощность полевого транзистора общего назначения | 7А | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 7А | 2 N-канала (двойной) | 1300пФ при 10В | 35 мОм при 3,5 А, 10 В | 29 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3033LSDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn3033lsdq13-datasheets-6632.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 7 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г8 | 6,9А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 30А | 0,02 Ом | 2 N-канала (двойной) | 725пФ при 15 В | 20 мОм при 6,9 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 13 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW216A-TL-2W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-fw216atl2w-datasheets-6577.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 4 недели | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2,2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | Двойной | 2 | 6 нс | 21нс | 10 нс | 20 нс | 4,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | 35В | 35В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,064Ом | 2 N-канала (двойной) | 280пФ при 10В | 64 мОм при 4,5 А, 10 В | 5,6 НК при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН63Д1ЛДВ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn63d1ldw13-datasheets-6634.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 6 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 310мВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 250 мА | 60В | 310мВт | 2 N-канала (двойной) | 30пФ при 25В | 2 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 0,3 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6613-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mch6613tle-datasheets-6580.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 6 недель | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 11 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 800мВт | 6 | Двойной | 800мВт | 2 | 65нс | 120 нс | 155 нс | 200 мА | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,35 А | -30В | N и P-канал | 7пФ @ 10В | 3,7 Ом при 80 мА, 4 В | 350 мА 200 мА | 1,58 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||
| EFC6612R-A-TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2017 год | 6-СМД, без свинца | 7 недель | 2,5 Вт | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 27 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVDD5894NLT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvdd5894nlt4g-datasheets-6530.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | Без свинца | 6 недель | 329,988449мг | 5 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 11 часов назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 3,8 Вт | Мощность полевого транзистора общего назначения | 12,4 нс | 30,2 нс | 54 нс | 36 нс | 64А | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 2103пФ при 25 В | 10 м Ом при 50 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 14А | 41 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС4810 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-XFLGA Открытая площадка | 900мВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Мощность полевого транзистора общего назначения | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1130пФ при 15В | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТМС1340-СО | Тринамик Моушен Контрол ГмбХ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 1,38 Вт | 4,1А | 30 В | 2 N и 2 P-канала (H-мост) | 960пФ при 25 В | 33 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5,5 А 4,1 А | 10 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN2041UFDB-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn2041ufdb13-datasheets-2825.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 6 недель | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,4 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-Н6 | 4,7А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт | 0,04 Ом | 2 N-канала (двойной) | 713пФ при 10 В | 40 мОм при 4,2 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 15 НК при 8 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8654-TL-HQ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | 8-СМД, плоский вывод | 8 недель | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФД4К87НТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-ntmfd4c87nt3g-datasheets-6548.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 24 недели | 8 | да | е3 | Олово (Вс) | 1,1 Вт | Мощность полевого транзистора общего назначения | 14,9А | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 26,6А | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1252пФ при 15 В | 5,4 мОм при 30 А, 10 В | 2,2 В при 250 мкА | 11,7 А 14,9 А | 22,2 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMH2308-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-emh2308tlh-datasheets-6556.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 4 недели | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | 1 Вт | Другие транзисторы | 3А | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 Вт | 3А | 2 P-канала (двойной) | 320пФ при 10В | 85 мОм при 3 А, 4,5 В | 4нК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2373Т1П-Е4-А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/renesaselectronicsamerica-upa2373t1pe4a-datasheets-6560.pdf | 4-XFBGA | 16 недель | 4 | EAR99 | 1,3 Вт | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 22 НК при 4 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC4618R-P-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-efc4618rptr-datasheets-6563.pdf | 4-XBGA, 4-FCBGA | Без свинца | 4 | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,6 Вт | 4 | Двойной | 200 нс | 815нс | 1,77 мкс | 1,84 мкс | 12 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 25,4 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Январь2N7334 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/597 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jantxv2n7334-datasheets-5954.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1,4 Вт | Мощность полевого транзистора общего назначения | Квалифицированный | 1А | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт | 1А | 4 N-канала | 700 мОм при 600 мА, 10 В | 4 В при 250 мкА | 60 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТЗД3152ПТ1Х | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntzd3152pt1g-datasheets-8241.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 15 недель | 8,193012мг | 6 | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР, НИЗКИЙ ПОРОГ | е3 | Олово (Вс) | ДА | 250мВт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 280мВт | 2 | Другие транзисторы | 10 нс | 12нс | 19 нс | 35 нс | 430 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,43 А | 0,9 Ом | 2 P-канала (двойной) | 175пФ при 16В | 900 мОм при 430 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,5 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||
| ПМДПБ95XNE,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nxpusainc-pmdpb95xne115-datasheets-6111.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 30 В | 475 МВт | 2 N-канала (двойной) | 143пФ при 15В | 120 мОм при 2 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,4А | 2,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТМС1420-ЛА | Тринамик Моушен Контрол ГмбХ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 8-PowerTDFN | 8 | 3,57 Вт | 7,3А | 40В | N и P-канал | 1050пФ при 15В | 26,5 мОм при 7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8,8 А 7,3 А | 11,2 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП2060УФДБ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmp2060ufdb7-datasheets-6500.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 6 недель | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,4 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-Н6 | 3,2А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт | 0,09 Ом | 2 P-канала (двойной) | 881пФ при 10 В | 90 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 18 НК при 8 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФД4К87НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-ntmfd4c87nt3g-datasheets-6548.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 24 недели | 8 | да | е3 | Олово (Вс) | 1,1 Вт | Мощность полевого транзистора общего назначения | 14,9А | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 26,6А | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1252пФ при 15 В | 5,4 мОм при 30 А, 10 В | 2,2 В при 250 мкА | 11,7 А 14,9 А | 22,2 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП2060УФДБ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmp2060ufdb7-datasheets-6500.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 6 недель | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,4 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-Н6 | 3,2А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт | 0,09 Ом | 2 P-канала (двойной) | 881пФ при 10 В | 90 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 18 НК при 8 В | Стандартный |
