Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Количество водителей | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Максимальный выходной ток | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АПЦМ120АМ25CT3AG | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | SP3 | 22 недели | 3 | 937 Вт | 148А | 1200В 1,2кВ | 2 N-канала (двойной), Шоттки | 10200пФ при 1000В | 25 мОм при 80 А, 20 В | 3 В @ 4 мА | 148А Тк | 544 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПЦМ120АМ09CD3AG | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | Модуль | 22 недели | 1200В 1,2кВ | 2 N-канала (двойной) | 23000пФ при 1000В | 11 мОм при 180 А, 20 В | 3 В при 9 мА | 337А Тк | 1224 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПЦМ120АМ55CT1AG | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | СП1 | 22 недели | 1 | 470 Вт | 74А | 1200В 1,2кВ | 2 N-канала (двойной), Шоттки | 5120пФ при 1000В | 50 мОм при 40 А, 20 В | 3 В @ 2 мА | 74А Тк | 272 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО8822#А | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 1,5 Вт | 8-ЦСОП | 780пФ | 7А | 20 В | 1,5 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 780пФ при 10 В | 18 мОм при 7 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 7А | 18 НК @ 10 В | Ворота логического уровня | 18 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6602-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mch6602tle-datasheets-6601.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 11 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 800мВт | 6 | Двойной | 800мВт | 2 | 19 нс | 65нс | 120 нс | 155 нс | 350 мА | 10 В | 30 В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 7пФ @ 10В | 3,7 Ом при 80 мА, 4 В | 1,58 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO6802L_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 год | СК-74, СОТ-457 | 1,15 Вт | 6-ЦОП | 210пФ | 3,5 А | 30 В | 1,15 Вт | 2 N-канала (двойной) | 210пФ при 15В | 50 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 3,5 А | 5 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | 50 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПЦМ120АМ08CT6AG | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | СП6 | 22 недели | 6 | EAR99 | 2,3 кВт | 370А | 1200В 1,2кВ | 2300 Вт | 2 N-канала (двойной), Шоттки | 10 мОм при 200 А, 20 В | 3 В при 10 мА | 370А Тк | 1360 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н06С4Л14АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-ipg20n06s4l14atma2-datasheets-9557.pdf | 8-PowerVDFN | 8 | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | 50 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 8 нс | 2нс | 15 нс | 40 нс | 20А | 16 В | 60В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 50 Вт | 0,0137Ом | 90 мДж | 2 N-канала (двойной) | 2890пФ при 25 В | 13,7 мОм при 17 А, 10 В | 2,2 В @ 20 мкА | 39 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН3816_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-СМД, плоский вывод | 2,5 Вт | 8-ДФН (3х3) | 1,1 нФ | 20 В | 2,5 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1100пФ при 10В | 22 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 13 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 22 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО8804Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 1,5 Вт | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1810пФ при 10 В | 13 мОм при 8 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 17,9 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО5600EL | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | $18,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СОТ-563, СОТ-666 | 380мВт | 500 мА | 20 В | Дополняющие N и P-каналы | 45пФ при 10В | 650 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 600 мА 500 мА | 1 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7804_102 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 3,1 Вт | 8-ДФН-ЭП (3х3) | 888пФ | 9А | 30 В | 3,1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 21 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 9А | 18 НК @ 10 В | Ворота логического уровня | 21 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПЦМ120ТАМ33CTPAG | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | СП6 | 22 недели | 6 | 714 Вт | 112А | 1200В 1,2кВ | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 7680пФ при 1000В | 33 мОм при 60 А, 20 В | 3 В при 3 мА | 112А Ц | 408 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО8804_100 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 1,5 Вт | 8-ЦСОП | 1,81 нФ | 20 В | 1,5 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1810пФ при 10 В | 13 мОм при 8 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 17,9 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 13 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО8801АЛ | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 1,5 Вт | 8-ЦСОП | 905пФ | 4,5 А | 20 В | 1,5 Вт | 2 P-канала (двойной) | 905пФ при 10 В | 42 мОм при 4,5 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 4,5 А | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 42 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CTLDM7120-M832DS ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | /files/centralsemiconductorcorp-ctldm7120m832dstr-datasheets-6749.pdf | 8-ТДФН Открытая площадка | 6 недель | EAR99 | совместимый | ДА | Мощность полевого транзистора общего назначения | 1,65 Вт | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,65 Вт | 1А | 2 N-канала (двойной) | 220пФ при 10В | 100 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,2 В при 1 мА | 1А Та | 2,4 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF3546MTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irf3546mtrpbf-datasheets-6824.pdf | 41-PowerVFQFN | 12 недель | 21В | 4,5 В | 41 | 2 | EAR99 | Нет | КОНТРОЛЛЕР ДВОЙНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | 30А | 20А | 25 В | 4 N-канала | 1310пФ при 13В | 3,9 мОм при 27 А, 10 В | 2,1 В при 35 мкА | 16А Тк 20А Тк | 15 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7932_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon7932101-datasheets-6830.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 1,4 Вт | 8-ДФН (3х3) | 460пФ | 8,1А | 30 В | 1,4 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 460пФ при 15В | 20 мОм при 6,6 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 6,6 А 8,1 А | 6,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 20 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПЦМ120АМ14CD3AG | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | Модуль | 22 недели | 2,14 кВт | 337А | 1200В 1,2кВ | 2140 Вт | 2 N-канала (двойной), Шоттки | 23000пФ при 1000В | 11 мОм при 180 А, 20 В | 3 В при 9 мА | 337А Тк | 1224 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO6804A_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | СК-74, СОТ-457 | 1,3 Вт | 6-ЦОП | 225пФ | 5А | 20 В | 1,3 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 225пФ при 10В | 28 мОм при 5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5А | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | 28 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJM0603JSC-00#13 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 175°С | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 20-SOIC (0,433, ширина 11,00 мм) Открытая площадка | 54 Вт | 20А | 60В | 54 Вт | 3 Н и 3 П-канала (3-фазный мост) | 2600пФ при 10 В | 20 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 43 НК при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН4807_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-СМД, плоский вывод | 1,9 Вт | 8-ДФН (3х2) | 290пФ | 4А | 30 В | 1,9 Вт | 2 P-канала (двойной) | 290пФ при 15В | 68 мОм при 4 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 4А | 10 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | 68 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL207NH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-bsl207nh6327xtsa1-datasheets-6790.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 12 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | Без галогенов | 500мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 2,8 нс | 2,1А | 12 В | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 500мВт | 0,07 Ом | 24 пФ | 2 N-канала (двойной) | 419пФ при 10 В | 70 мОм при 2,1 А, 4,5 В | 1,2 В @ 11 мкА | 2,1 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4924Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/alphaomegasemiconductorinc-ao4924l-datasheets-6734.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | неизвестный | 2 Вт | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 1885пФ при 15В | 15,8 мОм при 9 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 31 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФД4К85НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-ntmfd4c85nt3g-datasheets-6604.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 24 недели | 8 | да | 1,13 Вт | 29,7А | 30 В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1960пФ при 15В | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 15,4 А 29,7 А | 32 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4818BL_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 8-СО | 888пФ | 8А | 30 В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 8А | 18 НК @ 10 В | Ворота логического уровня | 19 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4914_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 8-СО | 865пФ | 8А | 30 В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 865пФ при 15В | 20,5 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 8А | 18 НК @ 10 В | Стандартный | 20,5 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН4605_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-СМД, плоский вывод | 1,9 Вт | 8-ДФН (3х2) | 210пФ | 3,4А | 30 В | 1,9 Вт | N и P-канал | 210пФ при 15В | 50 мОм при 4,3 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 4,3 А 3,4 А | 5 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | 50 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6N48FU,РФ(Д | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 100 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,1 А | 5,4 Ом | 2 N-канала (двойной) | 15,1 пФ при 3 В | 3,2 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 100 мкА | 100 мА Та | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7812 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-aon7812-datasheets-6746.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 4,1 Вт | 8-ДФН-ЭП (3х3) | 600пФ | 6А | 30 В | 4,1 Вт | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 600пФ при 15В | 14,5 мОм при 6 А, 10 В | 2,2 В при 250 мкА | 6А | 15 НК при 10 В | Стандартный | 14,5 мОм |
