Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Ряд | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Режим работы | Статус RoHS | Техническая спецификация | Срок выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Количество терминалов | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ФС50КМ-2-AX#204 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Ренесас Электроникс Америка Инк. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS50KM-06-AX#E51 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Ренесас Электроникс Америка Инк. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFR9230BTMAM002 | Фэйрчайлд (ON Semiconductor) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Фэйрчайлд Полупроводник | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТМ168026В | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Аналоговые устройства Inc. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПА102ФДГ-ВБ | ВБсеми Элец | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G1005 | ГОФОРД | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STF3NK90Z(046Y) | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7Н65Л-TQ2-Р | UTC (Унисоническая технология) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ356-ВБ | ВБсеми Элец | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AP4407GM-ВБ | ВБсеми Элец | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БС250ФТА-ВБ | ВБсеми Элец | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП2215Л-7-ВБ | ВБсеми Элец | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPP9435AS8RG-ВБ | ВБсеми Элец | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН63Д8ЛВ-7 | Компания Диодс. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | /хранилище/загрузить/DMN63D8LV-7.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN62D0UDW-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | /files/import/DMN62D0UDW-7.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UPA2451CTL-E1-A | РЕНЕСАС ЭЛЕКТРОНИКС КОРП. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | да | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 6 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 2,5 Вт | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8,2А | 0,032Ом | 6 | ||||||||||||||||||
| NTMD4N03R2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | [объект объект] | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 8 | 150°С | 30 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 2 Вт | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 12А | 0,06 Ом | 80 мДж | 8 | ||||||||||||
| УПА2350Т1Г-Е4-А | РЕНЕСАС ЭЛЕКТРОНИКС КОРП. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | да | EAR99 | совместимый | е6 | ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 4 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | S-XBGA-B4 | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1,3 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4 | |||||||||||||||||||
| NTJD4401NT2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 6 | 150°С | 30 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 0,55 Вт | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,63 А | 0,375 Ом | 5 пФ | 6 | |||||||||||||||
| NTMD6P02R2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | [объект объект] | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 8 | 150°С | 30 | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | П-КАНАЛ | 0,75 Вт | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,8А | 0,033Ом | 450 пФ | 8 | |||||||||||||
| NTMD3P03R2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | [объект объект] | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | П-КАНАЛ | 0,73 Вт | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,34А | 0,085 Ом | 135 пФ | 8 | |||||||||||||
| GWS9294 | Корпорация Интерсил | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWS9293 | Корпорация Интерсил | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMDXB600UNE | Нексперия | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | совместимый | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 150°С | -55°С | 2 | Р-ПДСО-Н6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 4025 Вт | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,6А | 0,62 Ом | 6 | ||||||||||||||||||
| CMLDM3757 ТР | Центральный полупроводниковый завод | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | совместимый | ДА | 150°С | Другие транзисторы | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 0,35 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,54 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLDM5757 ТР | Центральный полупроводниковый завод | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | совместимый | ДА | 150°С | Другие транзисторы | П-КАНАЛ | 0,35 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,43 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО150Н03МД Г | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | совместимый | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 0,015 Ом | 8 | |||||||||||||||||
| КВДМ305НД ТР13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | совместимый | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX7002BKS | Нексперия | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | совместимый | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,24 А | 3,2 Ом | 6 | ||||||||||||||||||||||
| БСК750Н10НД Г | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 8 | 150°С | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 26 Вт | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 13А | 52А | 0,075 Ом | 17 мДж | 6 |
