Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVDD5894NLT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvdd5894nlt4g-datasheets-6530.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | Без свинца | 6 недель | 329,988449мг | 5 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 11 часов назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 3,8 Вт | Мощность полевого транзистора общего назначения | 12,4 нс | 30,2 нс | 54 нс | 36 нс | 64А | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 2103пФ при 25 В | 10 м Ом при 50 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 14А | 41 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС4810 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-XFLGA Открытая площадка | 900мВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Мощность полевого транзистора общего назначения | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1130пФ при 15В | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТМС1340-СО | Тринамик Моушен Контрол ГмбХ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 1,38 Вт | 4,1А | 30 В | 2 N и 2 P-канала (H-мост) | 960пФ при 25 В | 33 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5,5 А 4,1 А | 10 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN2041UFDB-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn2041ufdb13-datasheets-2825.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 6 недель | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,4 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-Н6 | 4,7А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт | 0,04 Ом | 2 N-канала (двойной) | 713пФ при 10 В | 40 мОм при 4,2 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 15 НК при 8 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9389PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf9389trpbf-datasheets-4013.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 11 недель | EAR99 | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IRF9389 | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г8 | 4,6А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | МС-012АА | 6,8А | 34А | 0,027Ом | N и P-канал | 398пФ при 15 В | 27 мОм при 6,8 А, 10 В | 2,3 В @ 10 мкА | 6,8 А 4,6 А | 14 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LP1030DK1-G | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -25°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-lp1030dk1g-datasheets-6462.pdf | СК-74А, СОТ-753 | СОТ-23-5 | 10,8пФ | 300В | 2 P-канала (двойной) | 10,8 пФ при 25 В | 180 Ом при 20 мА, 7 В | 2,4 В при 1 мА | Стандартный | 180 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VEC2616-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-vec2616tlw-datasheets-6453.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 750 мкм | 2,3 мм | Без свинца | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 Вт | 8 | Двойной | 1 Вт | 2 | 65 нс | 2,5 А | 20 В | 60В | N и P-канал | 505пФ при 20В | 80 мОм при 1,5 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 3А 2,5А | 10 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8601M-C-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | 8-СМД, плоский вывод | 8 | Нет | 1,5 Вт | 1,6 Вт | 300 нс | 1 мкс | 1,8 мкс | 3 мкс | 8А | 12 В | 24В | 24В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 23 мОм при 4 А, 4,5 В | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8601M-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ech8601mtlh-datasheets-6460.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 900 мкм | 2,3 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 1,5 Вт | 8 | Двойной | 2 | 300 нс | 1 мкс | 1,8 мкс | 3 мкс | 8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 24В | 24В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | 60А | 0,03 Ом | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 23 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,3 В @ 1 мА | 8А Та | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFHE4250DTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФАСТИРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irfhe4250dtrpbf-datasheets-6360.pdf | 32-PowerWFQFN | 6 мм | 900 мкм | 5 мм | Без свинца | 18 недель | Нет СВХК | 30 | EAR99 | 156 Вт | IRFHE4250 | Двойной | 156 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 17 нс | 54нс | 16 нс | 24 нс | 303А | 16 В | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,6 В | 2 N-канала (двойной) | 1735пФ при 13В | 2,75 мОм при 27 А, 10 В | 2,1 В при 35 мкА | 86А 303А | 20 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛН100ЛА-Г | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-ln100lag-datasheets-6488.pdf | 6-ВФЛГА | 6 | 6 | EAR99 | 350 мВт | НИЖНИЙ | ПОПКА | 260 | 2 | Двойной | 40 | 2 | 3мА | 1,6 В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600В | 2 Н-канала (каскодированные) | 50пФ при 25В | 3000 Ом при 2 мА, 2,8 В | 1,6 В @ 10 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6603-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-mch6603tlh-datasheets-6379.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 6 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 22 часа назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 800мВт | 6 | Двойной | 800мВт | 1 | 20 нс | 35 нс | 150 нс | 160 нс | 140 мА | 10 В | 50В | -50В | 2 P-канала (двойной) | 7,4 пФ при 10 В | 23 Ом при 40 мА, 4 В | 1,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня, привод 1,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9395MTR1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2013 год | /files/infineontechnologies-irf9395mtrpbf-datasheets-9852.pdf | DirectFET™ Изометрический MC | 30 В | 2,1 Вт | 2 P-канала (двойной) | 3241пФ при 15 В | 7 мОм при 14 А, 10 В | 2,4 В при 50 мкА | 14А | 64 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC90AM60T1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc90am60t1g-datasheets-6401.pdf | СП1 | 12 | 22 недели | 1 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 462 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 70 нс | 20нс | 25 нс | 400 нс | 59А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,06 Ом | 2 Н-канала (полумост) | 13600пФ при 100В | 60 мОм при 52 А, 10 В | 3,5 В при 6 мА | 540 НК при 10 В | Супер Джанкшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HUFA76413DK8T-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, UltraFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-hufa76413dk8tf085-datasheets-6406.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 2 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 Вт | 260 мДж | 2 N-канала (двойной) | 620пФ при 25В | 49 мОм при 5,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5,1А | 23 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMH2407-S-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | 8-СМД, плоский вывод | 4 недели | 8 | 1,3 Вт | 6А | 25мОм | 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QJD1210SA1 | Powerex Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/powerexinc-qjd1210sa1-datasheets-6415.pdf | Модуль | неизвестный | 520 Вт | 100А | 1200В 1,2кВ | 520 Вт | 2 N-канала (двойной) | 8200пФ при 10 В | 17 мОм при 100 А, 15 В | 1,6 В при 34 мА | 330 НК при 15 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5485NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5485nlt1g-datasheets-9824.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 13 недель | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 2,9 Вт | 8 | Двойной | 2,9 Вт | 2 | 9,5 нс | 26,6 нс | 23,7 нс | 27,8 нс | 5,3А | 20 В | 60В | 2 N-канала (двойной) | 560пФ при 25В | 44 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5853NWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5853nt1g-datasheets-0546.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 13 недель | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 3,1 Вт | 8 | 3,1 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 9 нс | 20нс | 3 нс | 21 нс | 12А | 20 В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 53А | 2 N-канала (двойной) | 1225пФ при 25В | 10 мОм при 15 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH4257DTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-irfh4257dtrpbf-datasheets-6423.pdf | 8-PowerVDFN | Без свинца | 8 | EAR99 | 28 Вт | НЕ УКАЗАН | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 12 нс | 51нс | 25 нс | 20 нс | 25А | 20 В | 25 В | 25 Вт 28 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1321пФ при 13В | 3,4 мОм при 25 А, 10 В | 2,1 В при 35 мкА | 15 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC1029UFDB-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmc1029ufdb13-datasheets-2811.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 6 | EAR99 | Золото | е4 | 1,4 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 30 | 2 | 3,8А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 12 В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,029 Ом | N и P-канал | 914пФ при 6В | 29 мОм при 5 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 5,6 А 3,8 А | 19,6 НК при 8 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW276-TL-2H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fw276tl2h-datasheets-6438.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,375 мм | 3,9 мм | Без свинца | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 1,6 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 Вт | 2 | 7 нс | 15 нс | 700 мА | 30 В | 450В | 4,5 В | 2 N-канала (двойной) | 55пФ при 20В | 12,1 Ом при 350 мА, 10 В | 4,5 В @ 1 мА | 3,7 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD8424H-F085A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fdd8424h-datasheets-5195.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | 260,37 мг | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 23 часа назад) | да | Нет | 1,3 Вт | ФДД8424 | Двойной | 30 Вт | Другие транзисторы | 7 нс | 6,5 А | 20 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20А | 40В | N и P-канал | 1000пФ при 20В | 24 мОм при 9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 9А 6,5А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5489НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5489nlt1g-datasheets-1954.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 6 недель | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 3 Вт | 8 | Двойной | Мощность полевого транзистора общего назначения | 7 нс | 11нс | 21 нс | 31 нс | 4,5 А | 20 В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 12А | 2 N-канала (двойной) | 330пФ при 25В | 65 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 12,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8659-M-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-ech8659tlw-datasheets-0049.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | Нет | Без галогенов | 1,5 Вт | 10 нс | 25нс | 25 нс | 43 нс | 7А | 20 В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 710пФ при 10 В | 24 мОм при 3,5 А, 10 В | 11,8 НК при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5483НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5483nlwft3g-datasheets-9880.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 6 недель | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 3,1 Вт | 8 | Двойной | 6,8 нс | 10,3 нс | 23,5 нс | 37,5 нс | 6,4А | 20 В | 60В | 2 N-канала (двойной) | 668пФ при 25 В | 36 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 23,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH4255DTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irfh4255dtrpbf-datasheets-6293.pdf | 8-PowerVDFN | 6 мм | 900 мкм | 5 мм | Без свинца | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Олово | Нет | 38 Вт | IRFH4255 | Двойной | 2 | 30А | 20 В | 25 В | 1,6 В | 31 Вт 38 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1314пФ при 13В | 3,2 мОм при 30 А, 10 В | 2,1 В при 35 мкА | 64А 105А | 15 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QJD1210010 | Powerex Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/powerexinc-qjd1210010-datasheets-6368.pdf | Модуль | неизвестный | 1,08 кВт | 100А | 1200В 1,2кВ | 1080 Вт | 2 N-канала (двойной) | 10200пФ при 800В | 25 мОм при 100 А, 20 В | 5 В @ 10 мА | 100А Ц | 500 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CTLDM303N-M832DS ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | 2014 год | /files/centralsemiconductorcorp-ctldm303nm832dstr-datasheets-6336.pdf | 8-ТДФН Открытая площадка | 8 | 6 недель | EAR99 | совместимый | 8541.29.00.95 | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | 2 | Р-ПДСО-Н8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,65 Вт | 3,6А | 0,078Ом | 2 N-канала (двойной) | 590пФ при 10 В | 40 мОм при 1,8 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 3,6А | 13 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8667-TL-HX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 8-СМД, плоский вывод | 8 недель | 8 | -5,5 А | -30В | 39мОм |
