Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI1557DH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si1557dht1e3-datasheets-2214.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | EAR99 | Нет | 470мВт | Двойной | 470мВт | 2 | Другие транзисторы | 30 нс | 10 нс | 15 нс | 1,2А | 8В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 12 В | N и P-канал | 235 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 1 В @ 100 мкА | 1,2 А 770 мА | 1,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4542DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si4542dyt1ge3-datasheets-2215.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | неизвестный | ЧИСТЫЙ МАТОВЫЙ ТИН (SN) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4542 | 8 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 10 нс | 6,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40А | 30 В | N и P-канал | 25 мОм при 6,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 50 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4388DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4388dyt1e3-datasheets-4448.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 506,605978мг | 8 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Чистая матовая банка | 3,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4388 | 8 | 2 | 30 | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | 11,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,3 Вт 3,5 Вт | 10,7А | 0,016Ом | 30 В | 2 Н-канала (полумост) | 946пФ при 15 В | 16 мОм при 8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10,7 А 11,3 А | 27 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3981DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si3981dvt1e3-datasheets-4467.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Неизвестный | 6 | EAR99 | Нет | 800мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СИ3981 | 6 | Двойной | 800мВт | 2 | Другие транзисторы | 30 нс | 50 нс | 21 нс | 45 нс | -1,9 А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,1 В | 0,185 Ом | 20 В | 2 P-канала (двойной) | -1,1 В | 185 мОм при 1,9 А, 4,5 В | 1,1 В при 250 мкА | 1,6А | 5нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4539ADY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4539adyt1ge3-datasheets-2229.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4539 | 8 | 30 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 10 нс | 10 нс | 40 нс | 3,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,4А | 0,036Ом | 30 В | N и P-канал | 36 мОм при 5,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 4,4 А 3,7 А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4230DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4230dyt1ge3-datasheets-2231.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 186,993455мг | 8 | Нет | 3,2 Вт | 2 | 2 Вт | 2 | 8-СО | 950пФ | 17 нс | 12нс | 10 нс | 18 нс | 7,3А | 20 В | 30 В | 3,2 Вт | 20,5 мОм | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 950пФ при 15В | 20,5 мОм при 8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8А | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 20,5 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3983DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si3983dvt1e3-datasheets-4446.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 19,986414мг | 6 | 830мВт | СИ3983 | 2 | Двойной | 6-ЦОП | 2,1А | 8В | 20 В | 830мВт | 110мОм | -20В | 2 P-канала (двойной) | 110 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1,1 В при 250 мкА | 2,1А | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | 110 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4544DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4544dyt1ge3-datasheets-2234.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Нет | 2,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2,4 Вт | 2 | Р-ПДСО-Г8 | 13 нс | 6,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20А | 0,035 Ом | 30 В | N и P-каналы, общий сток | 35 мОм при 6,5 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 35 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4622DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SkyFET®, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4622dyt1ge3-datasheets-1933.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 186,993455мг | 8 | EAR99 | Нет | 3,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СИ4622 | 8 | 2 | 2,2 Вт | Мощность полевого транзистора общего назначения | 14 нс | 12нс | 11 нс | 21 нс | 8А | 20 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,3 Вт 3,1 Вт | 8А | 2 N-канала (двойной) | 2458пФ при 15 В | 16 мОм при 9,6 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 60 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1970DH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si1970dht1e3-datasheets-4363.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 6 | EAR99 | Нет | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СИ1970 | 740мВт | 2 | 1,3А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 95пФ при 15В | 225 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 1,6 В @ 250 мкА | 3,8 нк при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3909DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si3909dvt1ge3-datasheets-2192.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 19,986414мг | 200мОм | 1,15 Вт | 2 | Двойной | 6-ЦОП | 1,8 А | 12 В | 20 В | 1,15 Вт | 200мОм | 2 P-канала (двойной) | 200 мОм при 1,8 А, 4,5 В | 500 мВ при 250 мкА (мин) | 4нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 200 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4953ADY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si4953adyt1e3-datasheets-4570.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4953 | 8 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 7 нс | 10 нс | 20 нс | 40 нс | -4,9А | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 3,7А | 0,053Ом | 30 В | 2 P-канала (двойной) | -1 В | 53 мОм при 4,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 3,7А | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4226DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4226dyt1ge3-datasheets-5518.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 186,993455мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3,2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4226 | 8 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | 14 нс | 10 нс | 8 нс | 30 нс | 7,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0195Ом | 25 В | 2 N-канала (двойной) | 1255пФ при 15В | 19,5 мОм при 7 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 8А | 36 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4330DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4330dyt1e3-datasheets-4441.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4330 | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Р-ПДСО-Г8 | 10 нс | 10 нс | 10 нс | 40 нс | 6,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0165Ом | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 16,5 мОм при 8,7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 20 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9358PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf9358trpbf-datasheets-5206.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 16,3 МОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF9358PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 5,7 нс | 7,2 нс | 69 нс | 146 нс | 9,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 83 нс | 73А | -30В | 2 P-канала (двойной) | 1740пФ при 25В | -1,8 В | 16,3 мОм при 9,2 А, 10 В | 2,4 В @ 25 мкА | 38 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3993DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si3993dvt1e3-datasheets-4452.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 19,986414мг | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3993 | 6 | 2 | Двойной | 30 | 830мВт | 2 | Другие транзисторы | 10 нс | 16 нс | 12 нс | 17 нс | -2,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -3В | 1,8 А | 0,133Ом | -30В | 2 P-канала (двойной) | -3 В | 133 мОм при 2,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 1,8 А | 5нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8949-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fds8949f085-datasheets-2100.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 7 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 6А | 20А | 0,029 Ом | 26 мДж | 2 N-канала (двойной) | 955пФ при 20 В | 29 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А | 11 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФ7343Q | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/infineontechnologies-auirf7343qtr-datasheets-5535.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКАЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ | совместимый | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 55В | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МС-012АА | 4,7А | 38А | 0,05 Ом | 72 мДж | N и P-канал | 740пФ при 25В | 50 мОм при 4,7 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 4,7 А 3,4 А | 36 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLHS6276TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irlhs6276trpbf-datasheets-6645.pdf | 6-PowerVDFN | 2,1 мм | 950 мкм | 2,1 мм | Нет СВХК | 6 | Нет | 1,5 Вт | IRLHS6276PBF | Двойной | 1,5 Вт | 2 | 6-PQFN двойной (2x2) | 310пФ | 4,4 нс | 9,3 нс | 4,9 нс | 10 нс | 4,5 А | 12 В | 20 В | 800мВ | 1,5 Вт | 7,8 нс | 45мОм | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 310пФ при 10 В | 800 мВ | 45 мОм при 3,4 А, 4,5 В | 1,1 В @ 10 мкА | 4,5 А | 3,1 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | 45 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1563EDH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si1563edht1e3-datasheets-4323.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 6 | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 570мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1563 | 6 | 30 | 2 | Другие транзисторы | 1,13А | 12 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,28 Ом | N и P-канал | 280 мОм при 1,13 А, 4,5 В | 1 В @ 100 мкА | 1,13 А 880 мА | 1 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1905BDH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si1905bdht1e3-datasheets-2156.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | Неизвестный | 542МОм | 6 | Нет | 357 МВт | СИ1905 | Двойной | 3,01 Вт | 2 | СК-70-6 (СОТ-363) | 62пФ | 9 нс | 40 нс | 60 нс | 50 нс | -630мА | 8В | 8В | -1В | 357 МВт | 542мОм | 2 P-канала (двойной) | 62пФ при 4В | -1 В | 542 мОм при 580 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 630 мА | 1,5 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 542 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF6702M2DTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2010 год | /files/infineontechnologies-irf6702m2dtrpbf-datasheets-2165.pdf | DirectFET™ Изометрический МА | 30 В | 2,7 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1380пФ при 15В | 6,6 мОм при 15 А, 10 В | 2,35 В @ 25 мкА | 15А | 14 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3529DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si3529dvt1e3-datasheets-2169.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Нет | 1,4 Вт | Двойной | 1,15 Вт | 2 | 6-ЦОП | 205пФ | 38нс | 38 нс | 10 нс | 1,95 А | 20 В | 40В | 1,4 Вт | 215мОм | 40В | N и P-канал | 205пФ при 20В | 125 мОм при 2,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 2,5 А 1,95 А | 7 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | 125 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF6702M2DTR1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | 2010 год | /files/infineontechnologies-irf6702m2dtrpbf-datasheets-2165.pdf | DirectFET™ Изометрический МА | 4 | EAR99 | совместимый | ДА | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2 | Не квалифицирован | Р-XBCC-N4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,7 Вт | 15А | 130А | 0,0066Ом | 71 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1380пФ при 15В | 6,6 мОм при 15 А, 10 В | 2,35 В @ 25 мкА | 15А | 14 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7946DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7946dpt1e3-datasheets-4796.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 6 | 8 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7946 | 8 | Двойной | 30 | 1,4 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-C6 | 11 нс | 15 нс | 20 нс | 30 нс | 2,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10А | 0,15 Ом | 4 мДж | 150 В | 2 N-канала (двойной) | 150 мОм при 3,3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6898AZ-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fds6898azf085-datasheets-2069.pdf | СОИК | Без свинца | 8 | 230,4 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | Олово | Нет | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 1821 нФ | 10 нс | 15 нс | 16 нс | 34 нс | 9,4А | 12 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,014 Ом | 14 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ702ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-siz702dtt1ge3-datasheets-2076.pdf | 6-PowerPair™ | 6 мм | 750 мкм | 3,73 мм | 6 | Нет | 4,5 Вт | СИЗ702 | 2 | 2 | 6-PowerPair™ | 790пФ | 15 нс | 12нс | 10 нс | 20 нс | 14А | 20 В | 30 В | 27 Вт 30 Вт | 12мОм | 2 Н-канала (полумост) | 790пФ при 15 В | 12 мОм при 13,8 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 16А | 21 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 12 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA950DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sia950djt1ge3-datasheets-2084.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 7 Вт | 260 | СИА950 | 6 | Двойной | 40 | 1,9 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 10 нс | 15 нс | 15 нс | 25 нс | 470 мА | 16 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,47А | 190В | 2 N-канала (двойной) | 90пФ при 100В | 3,8 Ом при 360 мА, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 950 мА | 4,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIS902DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-sis902dnt1ge3-datasheets-2091.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 6 | 8 | да | EAR99 | Нет | 15,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИС902 | 8 | 40 | 3,1 Вт | 2 | S-XDSO-C6 | 17 нс | 18нс | 9 нс | 12 нс | 3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 8А | 75В | 2 N-канала (двойной) | 175пФ при 38В | 186 мОм при 3 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 4А | 6 нк @ 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD8426H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdd8426h-datasheets-2097.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 1,3 Вт | N и P-канал | 2735пФ при 20 В | 12 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12А 10А | 53 НК при 10 В | Ворота логического уровня |
