Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI3850ADV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si3850advt1e3-datasheets-4389.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,08 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3850 | 6 | Двойной | 30 | 1,06 Вт | 2 | Другие транзисторы | 1,4 А | 12 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 0,41 Ом | 20 В | N и P-каналы, общий сток | 300 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 1,4 А 960 мА | 1,4 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1551DL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si1551dlt1e3-datasheets-4304.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1551 | 6 | Двойной | 30 | 300мВт | 2 | Другие транзисторы | 410 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,29 А | 20 В | N и P-канал | 1,9 Ом при 290 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 290 мА 410 мА | 1,5 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3586DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si3586dvt1e3-datasheets-4402.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | ЧИСТЫЙ МАТОВЫЙ ТИН (SN) | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3586 | 6 | Двойной | 30 | 830мВт | 2 | Другие транзисторы | 2,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1 В | 20 В | N и P-канал | 1,1 В | 60 мОм при 3,4 А, 4,5 В | 1,1 В при 250 мкА | 2,9 А 2,1 А | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 64-2013ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 3 | EAR99 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ОСУШАТЬ | П-КАНАЛ | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 9А | 36А | 0,7 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4501ADY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4501adyt1e3-datasheets-4443.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Неизвестный | 8 | 1,3 Вт | СИ4501 | 1,3 Вт | 8-СО | 4,1А | 8В | 30В 8В | 800мВ | 1,3 Вт | 42мОм | 8В | N и P-каналы, общий сток | 18 мОм при 8,8 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 6,3 А 4,1 А | 20 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 18 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4511DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si4511dyt1e3-datasheets-4473.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 186,993455мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4511 | 8 | 2 | 30 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 9,6А | 12 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600мВ | 0,0145Ом | N и P-канал | 14,5 мОм при 9,6 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 7,2 А 4,6 А | 18 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF5850TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/infineontechnologies-irf5850trpbf-datasheets-1694.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 2,9972 мм | 1143 мм | 1,75 мм | 6 | Нет | 960мВт | ИРФ5850ПБФ | Двойной | 960мВт | 2 | 6-ЦОП | 320пФ | 8,3 нс | 14 нс | 28 нс | 31 нс | -2,2А | 12 В | 20 В | 960мВт | 220мОм | -20В | 2 P-канала (двойной) | 320пФ при 15В | 135 мОм при 2,2 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 2,2А | 5,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 135 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4830CDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4830cdyt1ge3-datasheets-1925.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,5494 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 506,605978мг | Неизвестный | 20МОм | 8 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2,9 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4830 | 8 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | 17 нс | 12нс | 10 нс | 19 нс | 7,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 30 В | 2 Н-канала (полумост) | 950пФ при 15В | 20 мОм при 8 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 8А | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7902TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/infineontechnologies-irf7902pbf-datasheets-4055.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 22,6 МОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7902PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | 9,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт 2 Вт | 7,3 мДж | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 580пФ при 15В | 22,6 мОм при 6,4 А, 10 В | 2,25 В @ 25 мкА | 6,4 А 9,7 А | 6,9 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1563DH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si1563dht1e3-datasheets-4306.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | Нет | 570мВт | СИ1563 | 570мВт | 2 | СК-70-6 (СОТ-363) | 12 нс | 1,13А | 8В | 20 В | 570мВт | N и P-канал | 280 мОм при 1,13 А, 4,5 В | 1 В @ 100 мкА | 1,13 А 880 мА | 2 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 280 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3585DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si3585dvt1e3-datasheets-4406.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3585 | 6 | Двойной | 30 | 2 | Другие транзисторы | 1,8 А | 12 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600мВ | 2А | 0,125 Ом | 20 В | N и P-канал | 600 мВ | 125 мОм при 2,4 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА (мин) | 2А 1,5А | 3,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1539DL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1539dlt1e3-datasheets-4294.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 7,512624 мг | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 270мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1539 | 6 | 30 | 270мВт | 2 | Другие транзисторы | 420 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,54 А | 0,48 Ом | 30 В | N и P-канал | 480 мОм при 590 мА, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 540 мА 420 мА | 1,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7755TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/infineontechnologies-irf7755trpbf-datasheets-1755.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Нет СВХК | 8 | 1 Вт | IRF7755PBF | Двойной | 1 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 1,09 нФ | -3,9А | 20 В | -20В | 20 В | -1,2 В | 1 Вт | -20В | 2 P-канала (двойной) | 1090пФ при 15В | -1,2 В | 51 мОм при 3,7 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 3,9 А | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 51 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF5852TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 900 мкм | 1,5 мм | Без свинца | Нет СВХК | 6 | Нет | 960мВт | ИРФ5852ПБФ | Двойной | 960мВт | 2 | 6-ЦОП | 400пФ | 6,6 нс | 1,2 нс | 2,4 нс | 15 нс | 2,7А | 12 В | 20 В | 20 В | 1,25 В | 960мВт | 90мОм | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 400пФ при 15В | 1,25 В | 90 мОм при 2,7 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 2,7А | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 90 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7350TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7350pbf-datasheets-0477.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 2 Вт | IRF7350PBF | 2 Вт | 8-СО | 380пФ | 2,1А | 20 В | 100В | 2 Вт | 100В | N и P-канал | 380пФ при 25В | 210 мОм при 2,1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2,1 А 1,5 А | 28 НК при 10 В | Стандартный | 210 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7754TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/infineontechnologies-irf7754trpbf-datasheets-1776.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | Нет СВХК | 8 | 1 Вт | IRF7754PBF | Двойной | 1 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 1,984 нФ | -5,5 А | 8В | -12В | 12 В | -900мВ | 1 Вт | -12В | 2 P-канала (двойной) | 1984 ПФ при 6 В | -900 мВ | 25 мОм при 5,4 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 5,5 А | 22 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 25 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9МНН-65ПКК,518 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчПЛЮС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperia-buk9mnn65pkk518-datasheets-1274.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 20 | 65В | 3,57 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 1180пФ при 25В | 32,8 мОм при 5 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 7.1А Тс | 15 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8М70ТБ1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/rohmsemiconductor-sh8m70tb1-datasheets-1729.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 2 Вт | *M70 | 2 Вт | 2,5 А | 250 В | N и P-канал | 180пФ при 25В | 1,63 Ом при 1,5 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 3А 2,5А | 5,2 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1553DL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si1553dlt1e3-datasheets-4314.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1553 | 6 | Двойной | 30 | 270мВт | 2 | Другие транзисторы | 410 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600мВ | 0,385 Ом | N и P-канал | 385 мОм при 660 мА, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА (мин) | 660 мА 410 мА | 1,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4818BL_102 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30 В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 8А Та | 18 НК @ 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6605-TL-EX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МП6К31ТР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/rohmsemiconductor-mp6k31tr-datasheets-1705.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 6 | 6 | да | EAR99 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | 260 | *К31 | 6 | Двойной | 10 | 2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | 2А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2А | 8А | 0,35 Ом | 60В | 2 N-канала (двойной) | 110пФ при 10В | 290 мОм при 2 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 2 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7752TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/infineontechnologies-irf7752trpbf-datasheets-1718.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3,0988 мм | 1,0414 мм | 4,4958 мм | Без свинца | Неизвестный | 30мОм | 8 | Нет | 1 Вт | IRF7752PBF | Двойной | 1 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 861пФ | 7,2 нс | 9,1 нс | 11 нс | 25 нс | 4,6А | 12 В | 30 В | 1 Вт | 36мОм | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 861пФ при 25 В | 2 В | 30 мОм при 4,6 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 4,6А | 9 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 30 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД1108EPCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПАД® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/advancedlineardeviceinc-ald1108escl-datasheets-0221.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 недель | 16 | 600мВт | 500мВт | 16-ПДИП | 25пФ | 12 мА | 10,6 В | 10 В | 600мВт | 500Ом | 10 В | 4 N-канала, согласованная пара | 25пФ при 5В | 500 Ом при 5 В | 1,01 В @ 1 мкА | Стандартный | 500 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4614BL_DELTA | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 40В | 2 Вт | N и P-канал | 650пФ при 20В 1175пФ при 20В | 30 мОм при 6 А, 10 В, 45 м Ом при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А Та 5А Та | 10,8 нк при 10 В, 22 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF5810TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/infineontechnologies-irf5810trpbf-datasheets-1714.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 990,6 мкм | 1,4986 мм | Без свинца | Нет СВХК | 90МОм | 6 | Нет | 960мВт | ИРФ5810ПБФ | Двойной | 960мВт | 2 | 6-ЦОП | 650пФ | 8,2 нс | 14 нс | 53 нс | 62 нс | -2,9 А | 12 В | -20В | 20 В | -1,2 В | 960мВт | 90мОм | -20В | 2 P-канала (двойной) | 650пФ при 16В | -1,2 В | 90 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 2,9 А | 9,6 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 90 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF5851TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 900 мкм | 1,5 мм | Без свинца | Нет СВХК | 90мОм | 6 | Нет | 960мВт | ИРФ5851ПБФ | 960мВт | 6-ЦОП | 400пФ | 2,7А | 12 В | 20 В | 20 В | 1,25 В | 960мВт | 90мОм | 20 В | N и P-канал | 400пФ при 15В | 1,25 В | 90 мОм при 2,7 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 2,7 А 2,2 А | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 90 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН3814Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 8-СМД, плоский вывод | совместимый | 20 В | 2,5 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1100пФ при 10В | 17 мОм при 6 А, 4,5 В | 1,1 В при 250 мкА | 6А Ц | 13 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD111933MAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПАД® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/advancedlineardeviceinc-ald111933sal-datasheets-6940.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 8 | 10 недель | да | EAR99 | неизвестный | 500мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 500мВт | 2 | Р-ПДСО-Г8 | 10 нс | 6,9 мА | 10,6 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 2,5 пФ при 5 В | 500 Ом при 5,9 В | 3,35 В @ 1 мкА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF6723M2DTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/infineontechnologies-irf6723m2dtrpbf-datasheets-1659.pdf | DirectFET™ Изометрический МА | 6,35 мм | 596 мкм | 5,05 мм | 4 | 3 | EAR99 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 2,7 Вт | НИЖНИЙ | 260 | ИРФ6723М2ДПБФ | Двойной | 30 | 2,7 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XBCC-N4 | 14 нс | 41нс | 20 нс | 15 нс | 15А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 47А | 0,0066Ом | 71 мДж | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 1380пФ при 15В | 6,6 мОм при 15 А, 10 В | 2,35 В @ 25 мкА | 14 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня |
