Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIA950DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sia950djt1ge3-datasheets-2084.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 7 Вт | 260 | СИА950 | 6 | Двойной | 40 | 1,9 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 10 нс | 15 нс | 15 нс | 25 нс | 470 мА | 16 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,47А | 190В | 2 N-канала (двойной) | 90пФ при 100В | 3,8 Ом при 360 мА, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 950 мА | 4,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIS902DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-sis902dnt1ge3-datasheets-2091.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 6 | 8 | да | EAR99 | Нет | 15,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИС902 | 8 | 40 | 3,1 Вт | 2 | S-XDSO-C6 | 17 нс | 18нс | 9 нс | 12 нс | 3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 8А | 75В | 2 N-канала (двойной) | 175пФ при 38В | 186 мОм при 3 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 4А | 6 нк @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD8426H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdd8426h-datasheets-2097.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 1,3 Вт | N и P-канал | 2735пФ при 20 В | 12 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12А 10А | 53 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9934BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si9934bdyt1e3-datasheets-4798.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 250 | СИ9934 | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 19 нс | 35 нс | 50 нс | 80 нс | 4,8А | 8В | КРЕМНИЙ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,4 В | 0,035 Ом | 12 В | 2 P-канала (двойной) | -1,4 В | 35 мОм при 6,4 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 20 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5980DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si5980dut1ge3-datasheets-2041.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | 6 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 7,8 Вт | 260 | СИ5980 | 8 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-N6 | 8 нс | 11нс | 9 нс | 8 нс | 2,5 А | 20 В | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,3А | 0,567Ом | 100В | 2 N-канала (двойной) | 78пФ при 50В | 567 мОм при 400 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3,3 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5904DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si5904dct1e3-datasheets-4621.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5904 | 8 | 30 | 1,1 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 12 нс | 35 нс | 9 нс | 19 нс | 3,1А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,075Ом | 2 N-канала (двойной) | 75 мОм при 3,1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6924AEDQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6924aedqt1e3-datasheets-4672.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ6924 | 8 | Двойной | 40 | 1 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 950 нс | 1,4 мкс | 3,1 мкс | 7 мкс | 4,6А | 14 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,1А | 0,033Ом | 28В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 33 мОм при 4,6 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4,1А | 10 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5511DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5511dct1e3-datasheets-4605.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,6 Вт | СИ5511 | 1206-8 ЧипFET™ | 435пФ | 3,6А | 30 В | 3,1 Вт 2,6 Вт | N и P-канал | 435пФ при 15В | 55 мОм при 4,8 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 4А 3,6А | 7,1 нк при 5 В | Ворота логического уровня | 55 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5920DC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si5920dct1e3-datasheets-4635.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 32мОм | 3,12 Вт | СИ5920 | 1206-8 ЧипFET™ | 680пФ | 4А | 8В | 3,12 Вт | 2 N-канала (двойной) | 680пФ при 4В | 32 мОм при 6,8 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4А | 12 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 32 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8674-TL-H | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-ech8674tlh-datasheets-1953.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4914BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4914bdyt1ge3-datasheets-1944.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 27 недель | 506,605978мг | 8 | Нет | 3,1 Вт | СИ4914 | 2 | Двойной | 2 | 8-СО | 10 нс | 9нс | 8 нс | 16 нс | 8А | 20 В | 30 В | 2,7 Вт 3,1 Вт | 15,5 мОм | 2 Н-канала (полумост) | 21 мОм при 8 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 8,4А 8А | 10,5 нк при 4,5 В | Стандартный | 21 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4670DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4670dyt1ge3-datasheets-9495.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 15 недель | 186,993455мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 2,8 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4670 | 8 | 2 | 30 | 2 | 15 нс | 50 нс | 50 нс | 20 нс | 7А | 16 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 2 N-канала (двойной) | 680пФ при 13В | 23 мОм при 7 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 8А | 18 НК @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4947ADY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4947adyt1e3-datasheets-4547.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | ЧИСТЫЙ МАТОВЫЙ ТИН (SN) | 1,2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4947 | 8 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 8 нс | 9нс | 10 нс | 21 нс | -3А | 20 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3А | 30 В | 2 P-канала (двойной) | 80 мОм при 3,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 3А | 8 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4906DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4906dyt1e3-datasheets-4512.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 3,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4906 | 8 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | 85нс | 7 нс | 17 нс | 5,3А | 16 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30А | 0,039 Ом | 40В | 2 N-канала (двойной) | 625пФ при 20 В | 39 мОм при 5 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 6,6А | 22 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6981DQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si6981dqt1e3-datasheets-4704.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 31мОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СИ6981 | 8 | Двойной | 1,14 Вт | 2 | Другие транзисторы | 35 нс | 55нс | 52 нс | 120 нс | -4,8А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -900мВ | МО-153 | 4,1А | 20 В | 2 P-канала (двойной) | 31 мОм при 4,8 А, 4,5 В | 900 мВ при 300 мкА | 4,1А | 25 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4910DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si4910dyt1e3-datasheets-4516.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4910 | 8 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 60нс | 5 нс | 22 нс | 6А | 16 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 3,1 Вт | 65 пФ | 40В | 2 N-канала (двойной) | 855пФ при 20 В | 27 мОм при 6 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 7,6А | 32 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4913DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si4913dyt1e3-datasheets-4507.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4913 | 8 | Двойной | 30 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 32 нс | 42нс | 160 нс | 350 нс | 9,4А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 7.1А | 0,015 Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 15 мОм при 9,4 А, 4,5 В | 1 В при 500 мкА | 7.1А | 65 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6544BDQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si6544bdqt1e3-datasheets-4657.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3,0988 мм | 1,0414 мм | 4,4958 мм | Без свинца | 8 | 32мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ6544 | 8 | Двойной | 30 | 830мВт | 2 | Другие транзисторы | 14 нс | 14 нс | 40 нс | 2,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,7А | N и P-канал | 43 мОм при 3,8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,7 А 3,8 А | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1972DH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si1972dht1e3-datasheets-4344.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1972 | 6 | 30 | 740мВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 1,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 75пФ при 15В | 225 мОм при 1,3 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 2,8 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4992EY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4992eyt1e3-datasheets-4593.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 540,001716мг | 8 | 1,4 Вт | СИ4992 | 2 | Двойной | 1,4 Вт | 2 | 8-СО | 4,8А | 20 В | 75В | 1,4 Вт | 48мОм | 75В | 2 N-канала (двойной) | 1 В | 48 мОм при 4,8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,6А | 21 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 48 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5933CDC-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si5933cdct1ge3-datasheets-1970.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 84,99187мг | Нет СВХК | 144мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | Чистая матовая банка (Sn) | 2,8 Вт | 260 | СИ5933 | 8 | Двойной | 30 | 1,3 Вт | 2 | Другие транзисторы | 1 нс | 34 нс | 8 нс | 22 нс | 2,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 3,7А | 10А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 276пФ при 10 В | 144 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3,7А | 6,8 НК при 5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI4622DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SkyFET®, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4622dyt1ge3-datasheets-1933.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 186,993455мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4622 | 8 | 2 | 30 | 2,2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 11 нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,3 Вт 3,1 Вт | 8А | 0,016Ом | 2 N-канала (двойной) | 2458пФ при 15 В | 16 мОм при 9,6 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 60 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTMC120HRM40CT3AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptmc120hrm40ct3ag-datasheets-1941.pdf | Модуль | SP3 | 1200В 1,2кВ | 375 Вт | 2 N-канала (двойной) | 2788пФ при 1000В | 34 мОм при 50 А, 20 В | 3 В @ 12,5 мА | 73А Тц | 161 НК при 5 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4650DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4650dyt1e3-datasheets-1927.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 8 | 186,993455мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3,1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4650 | 8 | 2 | 30 | 2 | 32 нс | 130 нс | 34 нс | 19 нс | 7,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30А | 30 В | 2 Н-канала (полумост) | 1550пФ при 15В | 18 мОм при 8 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 8А | 40 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1903DL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1903dlt1e3-datasheets-4312.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1903 | 6 | 30 | 270мВт | 2 | Другие транзисторы | 7,5 нс | 20нс | 12 нс | 8,5 нс | 410 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,41 А | 0,995 Ом | 2 P-канала (двойной) | 995 мОм при 410 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 1,8 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4276DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4276dyt1ge3-datasheets-1867.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 2,8 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4276 | 8 | Двойной | 30 | 2,8 Вт | 2 | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,6 Вт 2,8 Вт | 8А | 0,0153Ом | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 1000пФ при 15В | 15,3 мОм при 9,5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 26 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1988DH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si1988dht1e3-datasheets-4376.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1988 | 6 | 30 | 2 | 8 нс | 20нс | 10 нс | 15 нс | 1,3А | 8В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 110пФ при 10В | 168 мОм при 1,4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,1 нк при 8 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3588DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si3588dvt1e3-datasheets-4374.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3588 | 6 | Двойной | 30 | 830мВт | 2 | Другие транзисторы | 2,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 450 мВ | 830 МВт 83 МВт | 0,08 Ом | 20 В | N и P-канал | 450 мВ | 80 мОм при 3 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 2,5 А 570 мА | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7002DW-13-G | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4500BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si4500bdyt1e3-datasheets-4459.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 186,993455мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,3 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4500 | 8 | 2 | 40 | 1,3 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 20 нс | 35 нс | 35 нс | 55 нс | 9,1А | 12 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 6,6А | N и P-каналы, общий сток | 20 мОм при 9,1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6,6 А 3,8 А | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня |
