Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | В припании | Управый | МОНТАНАНГИП | Упако | Вернояж | Весели | МАКСИМАЛЕН | Мин | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | На | Это | PakeT / KORPUES | Делина | Вес | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | Верна - | МАССА | DOSTIчH SVHC | Колист | Статус жIзnennogogo цikla | PBFREE CODE | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Конец | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | МАКСИМАЛАНА | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Полаяня | Спр | БЕЗОПАСНЫЙ | Пефер | МАКСИМАЛЕВАЯ | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Я | Поседл | Raboч -yemperatura (mamaks) | Коунфигуразия | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | R. | Колист | Подкейгория | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | ПАКЕТИВАЕТСЯ | МАКСИМАЛНГАН | В конце концов | MATERIOLTRANSHOTORA | Коунфигура | Прилоэна | Пола | Power Dissipation-Max (ABS) | Neprerыvnыйtokkollekshyorana | Синла - МАКС | МАКСИМАЛИН | Naprahenee raзobipkiklouhatelelelelelelekelelelelelekelelelelelelekelelelelekeleleleles | NapraheneEnee -yзlouhatelelelekelekshyonera (vceo) | МАККСКОЛЕРНА | ASTOTA -PRERESHODA | DCTOK-UWEREGHENEEE (hfe) | Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | Current - Collector (IC) (MMAKS) | Napraheneee boshovowowogogolyheenhynaipe (Vebo) | VCESAT-MAX | Hfe Min | Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | Это | DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | ASTOTA - PRERESHOD | Vce saturation (max) @ ib, ic | Rerзystor - baзa (r1) | Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DDTA114TCA-7-F | Дидж | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | Rohs3 | 2008 | /files/diodesincorporated-ddta144tca7-datasheets-5253.pdf | -50 | -100 Ма | SOT-23-3 | 3,05 мм | 1 ММ | 1,4 мм | СОУДНО ПРИОН | 3 | 13 | 7,994566 м | 3 | в дар | Ear99 | Вестронн Рушисторс | not_compliant | 8541.21.00.75 | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | Pnp | 200 м | Дон | Крхлоп | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | Н.Квалиирована | 100 май | 50 | 50 | 50 | 100 май | 250 мг | 100 | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2114 (TE85L, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | /files/toshibasemyonductorandstorage-rn2114te85lf-datasheets-6983.pdf | SC-75, SOT-416 | 16 | НЕИ | 100 м | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | Кремни | Pnp | 100 м | 50 | 50 | 300 м | 100 май | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 50 @ 10ma 5 | 200 мг | 300 м. | 1 к -ош | 10 КОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DTD143EKFRAT146 | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3 | 13 | В.К.К.К.К. | В дар | Дон | Крхлоп | Nukahan | Nukahan | 1 | R-PDSO-G3 | Кремни | Одеяно -наз | Псевдон | Npn | 200 м | 200 мг | 50 | 500 май | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 47 @ 50ma 5 | 200 мг | 300 мВ 2,5 май, 50 | 4,7 к ω | 4,7 к ω | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DDTC144GCA-7-F | Дидж | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | Rohs3 | 2008 | /files/diodesincorporated-ddtc124gca7-datasheets-5236.pdf | 50 | 100 май | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3,05 мм | 1 ММ | 1,4 мм | СОУДНО ПРИОН | 3 | 12 | 7,994566 м | 3 | в дар | Ear99 | Вестронн Рушисторс | 8541.21.00.75 | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | Npn | 200 м | Дон | Крхлоп | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | Н.Квалиирована | 100 май | 50 | 50 | 50 | 100 май | 250 мг | 68 | 500NA ICBO | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 68 @ 5ma 5V | 250 мг | 300 мВ 500 мк, 10 | 47 к -ош | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
PDTD143XTR | Nexperia USA Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2014 | /files/nexperiausainc-pdtd143xtr-datasheets-7421.pdf | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3 | 4 neDe | 3 | 320 м | Дон | Крхлоп | 3 | 1 | Кремни | Одеяно -наз | Псевдон | Npn | 320 м | 50 | 100 м | 500 май | 225 мг | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 70 @ 50 май 5в | 225 мг | 100 мв 2,5 май, 50 марок | 4,7 к ω | 10 КОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DDTA144GCA-7-F | Дидж | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | Rohs3 | 2008 | /files/diodesincorporated-ddta114gca7-datasheets-2870.pdf | -50 | -100 Ма | SOT-23-3 | 3,05 мм | 1 ММ | 1,4 мм | СОУДНО ПРИОН | 3 | 14 | 7,994566 м | 3 | в дар | Ear99 | В. | 8541.21.00.75 | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | Pnp | 200 м | Дон | Крхлоп | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | Н.Квалиирована | 100 май | 50 | 50 | 50 | 100 май | 250 мг | 68 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2110, LF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Веса | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | SC-75, SOT-416 | 14 | Pnp | 100 м | -100 Ма | -50 | 50 | 100 май | -5V | 120 | 100NA ICBO | Pnp - prervariotelno-cmepts | 120 @ 1MA 5V | 200 мг | 300 м. | 4,7 к ω | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DTA015EEBTL | ROHM Semiconductor | $ 0,32 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | Rohs3 | 2013 | SC-89, SOT-490 | СОУДНО ПРИОН | 3 | 20 | 29,993795 м | Ear99 | В.К.К.К.К. | 250 мг | Pnp | 150 м | Дон | Плоски | Одинокий | 1 | R-PDSO-F3 | -70 мВ | Кремни | Псевдон | -100 Ма | 50 | 50 | 150 м | 20 май | 250 мг | 80 | Pnp - prervariotelno-cmepts | 80 @ 5ma 10 | 250 мг | 150 мв 500 мк, 5 | 100 к -ош | 100 к -ош | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
UNR221M00L | Panasonic glektronnene -Componentы | $ 0,17 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomponents-unr221d00l-datasheets-6464.pdf | 50 | 500 май | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | СОУДНО ПРИОН | 200 м | Mini3-g1 | 200 м | 50 | 50 | 250 м | 100 май | 50 | 100 май | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 80 @ 5ma 10 | 150 мг | 250 мВ @ 300 мк, 10 мая | 2.2 Ком | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DTC115EMT2L | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | Rohs3 | 2006 | /files/rohmsemiconductor-dtc115ekat146-datasheets-4492.pdf | 50 | 20 май | SOT-723 | СОУДНО ПРИОН | 3 | 13 | 3 | в дар | Ear99 | Вестрон, | Не | 8541.21.00.75 | E2 | Олово/Мюдер (sn/cu) | Npn | 150 м | Дон | Плоски | 260 | DTC115 | 3 | Одинокий | 10 | 150 м | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | Псевдон | 100 май | 50 | 50 | 300 м | 20 май | 250 мг | 82 | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 82 @ 5ma 5V | 250 мг | 300 м. | 100 к -ош | 100 к -ош | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDTC114EET1G | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | Rohs3 | 2013 | /files/onsemoronductor-mmun22111lt1g-datasheets-1523.pdf | SC-75, SOT-416 | СОУДНО ПРИОН | 3 | 2 nede | 3 | Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) | в дар | Ear99 | Вестрон, | Не | E3 | Олово (sn) | Npn | AEC-Q101 | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | 200 м | Дон | Крхлоп | DTC114 | 3 | Одинокий | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | Псевдон | 50 | 250 м | 100 май | 35 | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 35 @ 5ma 10v | 250 мВ @ 300 мк, 10 мая | 10 КОм | 10 КОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DTC115TCAT116 | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Digi-Reel® | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | /files/rohmsemiconductor-dtc115tcat116-datasheets-7137.pdf | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3 | 13 | Ear99 | Цyfrowoй, vestroennnый rerheyStor | 8541.21.00.75 | В дар | Дон | Крхлоп | Nukahan | 3 | 150 ° С | Nukahan | 1 | Н.Квалиирована | R-PDSO-G3 | Кремни | Одеяно -наз | Псевдон | Npn | 200 м | 250 мг | 50 | 100 май | 0,3 В. | 500NA ICBO | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 100 @ 1MA 5V | 250 мг | 300 мВ 100 мк, 1 мана | 100 к -ош | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDTA114YET1G | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | Rohs3 | 2012 | /files/onsemyonductor-dta114yet1g-datasheets-3438.pdf | SC-75, SOT-416 | СОУДНО ПРИОН | 3 | 2 nede | 3 | Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) | в дар | Ear99 | Вестрон. | Не | E3 | Олово (sn) | Pnp | БЕЗОПАСНЫЙ | 200 м | Дон | Крхлоп | DTA114 | 3 | Одинокий | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | Псевдон | 50 | 250 м | 100 май | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 80 @ 5ma 10 | 250 мВ @ 300 мк, 10 мая | 10 КОм | 47 к -ош | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2425 (TE85L, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | $ 0,32 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | 2014 | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 12 | В дар | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | Кремни | Pnp | 0,2 Вт | 200 м | 50 | 800 май | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 90 @ 100ma 1v | 200 мг | 250 мВ @ 1ma, 50 мая | 10 КОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2426 (TE85L, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | 2014 | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 12 | В дар | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | Кремни | Pnp | 0,2 Вт | 200 м | -50 | 50 | 800 май | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 90 @ 100ma 1v | 200 мг | 250 мВ @ 1ma, 50 мая | 1 к -ош | 10 КОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1115MFV, L3F | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2016 | SOT-723 | 14 | Вер | 150 м | 50 | 100 май | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 50 @ 10ma 5 | 250 мг | 300 м. | 2.2 Ком | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DTC123EU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | SC-70, SOT-323 | 3 | 13 | Vstroennnnыйcoэfihishent ustoshywostiте | В дар | Дон | Крхлоп | Nukahan | Nukahan | 1 | R-PDSO-G3 | Кремни | Одеяно -наз | Псевдон | Npn | 200 м | 250 мг | 50 | 100 май | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 20 @ 20 май 5в | 250 мг | 300 мВ 500 мк, 10 | 2,2 к ω | 2,2 к ω | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MUN5133T1G | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | Rohs3 | 2009 | /files/onsemoronductor-mmun2133lt1g-datasheets-1653.pdf | -50 | -100 Ма | SC-70, SOT-323 | СОУДНО ПРИОН | 3 | 11 nedely | 3 | Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) | в дар | Ear99 | Вестрон, | Не | E3 | Олово (sn) | Pnp | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | 202 м | Дон | Крхлоп | 260 | Mun51 ** t | 3 | Одинокий | 40 | 310 м | 1 | Bip obщego nahonaчenemenaenememane nebolhes signalы | Псевдон | 100 май | 50 | 50 | 50 | 100 май | 80 | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 80 @ 5ma 10 | 250 мВ @ 300 мк, 10 мая | 4,7 к ω | 47 к -ош | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
DTC143TU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | SC-70, SOT-323 | 3 | 13 | Вестернн -вуэзивост | В дар | Дон | Крхлоп | Nukahan | Nukahan | 1 | R-PDSO-G3 | Кремни | Одеяно -наз | Псевдон | Npn | 200 м | 250 мг | 50 | 100 май | 500NA ICBO | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 100 @ 1MA 5V | 250 мг | 300 м. | 4,7 к ω | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DDTD113EC-7-F | Дидж | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | Rohs3 | 2009 | /files/diodesincorporated-ddtd113zc7f-datasheets-1436.pdf | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3,05 мм | 1 ММ | 1,4 мм | 3 | 19 nedely | 7,994566 м | 3 | в дар | Ear99 | Вестрон, | 8541.21.00.75 | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | Npn | 200 м | Дон | Крхлоп | 260 | DTD113 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | Н.Квалиирована | 500 май | 50 | 50 | 300 м | 500 май | 200 мг | 33 | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 33 @ 50 май 5в | 200 мг | 300 мВ 2,5 май, 50 | 1 к -ош | 1 к -ош | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
SMUN2111T1G | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | Rohs3 | 2012 | /files/onsemoronductor-mmun2111lt1g-datasheets-1510.pdf | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | СОУДНО ПРИОН | 3 | 8 | 3 | Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) | в дар | Ear99 | Вестрон, | Не | E3 | Олово (sn) | Pnp | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | 230 м | Дон | Крхлоп | MUN2111 | 3 | Одинокий | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | Псевдон | 50 | 50 | 100 май | 35 | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 35 @ 5ma 10v | 250 мВ @ 300 мк, 10 мая | 10 КОм | 10 КОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DTA123YU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | SC-70, SOT-323 | 3 | 13 | Вестрон, выступая | В дар | Дон | Крхлоп | Nukahan | Nukahan | 1 | R-PDSO-G3 | Кремни | Одеяно -наз | Псевдон | Pnp | 200 м | 250 мг | 50 | 100 май | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 33 @ 10ma 5v | 250 мг | 300 мВ 500 мк, 10 | 2,2 к ω | 10 КОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DTC124EU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | SC-70, SOT-323 | 13 | Nukahan | Nukahan | 200 м | 50 | 100 май | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 56 @ 5ma 5V | 250 мг | 300 мВ 500 мк, 10 | 22 КОм | 22 КОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Dtb113echzgt116 | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | /files/rohmsemiconductor-db113echzgt116-datasheets-7335.pdf | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3 | 8 | Ear99 | Vstroennnnыйcoэfihishent ustoshywostiте | В дар | Дон | Крхлоп | Nukahan | Nukahan | 1 | R-PDSO-G3 | Кремни | Одеяно -наз | Псевдон | Pnp | 200 м | 200 мг | 50 | 500 май | 500NA | Pnp - prervariotelnos -cmelый + diod | 33 @ 50 май 5в | 200 мг | 300 мВ 2,5 май, 50 | 1 к -ош | 1 к -ош | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DTC115EU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | SC-70, SOT-323 | 13 | Nukahan | Nukahan | 200 м | 50 | 100 май | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 82 @ 5ma 5V | 250 мг | 300 м. | 100 к -ош | 100 к -ош | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DTA114TU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | SC-70, SOT-323 | 3 | 13 | Вестронн Рушисторс | В дар | Дон | Крхлоп | Nukahan | Nukahan | 1 | R-PDSO-G3 | Кремни | Одеяно -наз | Псевдон | Pnp | 200 м | 250 мг | 50 | 100 май | 500NA ICBO | Pnp - prervariotelno-cmepts | 100 @ 1MA 5V | 250 мг | 300 мВ @ 1MA, 10MA | 10 КОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DTC143TMT2L | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | SMD/SMT | 150 ° С | -55 ° С | Rohs3 | 2009 | 50 | 100 май | SOT-723 | 50 | СОУДНО ПРИОН | 3 | 13 | НЕТ SVHC | 3 | в дар | Ear99 | Вестронн Рушисторс | ДЕЙСЯ, ОЛОВА | Не | 8541.21.00.75 | E2 | Олово/Мюдер (sn/cu) | Npn | 150 м | Дон | Плоски | 260 | DTC143 | 3 | Одинокий | 10 | 150 м | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | 100 май | Псевдон | 100 май | 50 | 50 | 50 | 100 май | 250 мг | 5в | 100 | 500NA ICBO | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 100 @ 1MA 5V | 250 мг | 300 м. | 4,7 к ω | ||||||||||||||||||||||||||||||
SMUN2211T1G | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | Rohs3 | 2012 | /files/onsemoronductor-mmun22111lt1g-datasheets-1523.pdf | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | СОУДНО ПРИОН | 3 | 8 | 3 | Активна (postedniй obnownen: 13 -й | в дар | Ear99 | Вестрон, | Не | E3 | Олово (sn) | Npn | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | 230 м | Дон | Крхлоп | MUN2211 | 3 | Одинокий | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | Псевдон | 50 | 50 | 50 | 100 май | 35 | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 35 @ 5ma 10v | 250 мВ @ 300 мк, 10 мая | 10 КОм | 10 КОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DTA123JU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | SC-70, SOT-323 | 3 | 13 | Вестрон. | В дар | Дон | Крхлоп | Nukahan | Nukahan | 1 | R-PDSO-G3 | Кремни | Одеяно -наз | Псевдон | Pnp | 200 м | 250 мг | 50 | 100 май | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 80 @ 10ma 5v | 250 мг | 300 м. | 2,2 к ω | 47 к -ош | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DTA143TU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | SC-70, SOT-323 | 3 | 13 | Vershystor -smehehonipeving | В дар | Дон | Крхлоп | Nukahan | Nukahan | 1 | R-PDSO-G3 | Кремни | Одеяно -наз | Псевдон | Pnp | 200 м | 250 мг | 50 | 100 май | 500NA ICBO | Pnp - prervariotelno-cmepts | 100 @ 1MA 5V | 250 мг | 300 м. | 4,7 к ω |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.