Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПредварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Максимальный выходной ток | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SDTC114YET1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mmun2214lt1g-datasheets-1537.pdf | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 5 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 4,7. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | DTC114 | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUN5232T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-dtc143eet1g-datasheets-1415.pdf | 50В | 100 мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 202мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МУН52**Т | 3 | Одинокий | 40 | 310мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 15 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 15 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MUN5112T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mun5112t1g-datasheets-6218.pdf | -50В | -100 мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | Без галогенов | ДА | 202мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МУН51**Т | 3 | Одинокий | 40 | 202мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 60 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 60 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2112МФВ,Л3Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СОТ-723 | 10 недель | 150 мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУН2216Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmun2216lt1g-datasheets-1516.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 338мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 338мВт | 1 | Малые сигналы назначения общего BIP | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUN5212T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmun2212lt1g-datasheets-1623.pdf | 50В | 100 мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 15 часов назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 202мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МУН52**Т | 3 | Одинокий | 40 | 310мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 60 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 60 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 22 кОм | 2,2 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC115EET1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-dtc115eet1g-datasheets-6058.pdf | 50В | 100 мА | СК-75, СОТ-416 | 1,65 мм | 800 мкм | 900 мкм | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Олово | Нет | е3 | НПН | Без галогенов | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DTC115 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 6В | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 100 кОм | 100 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| ММУН2137LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mmun2137lt1g-datasheets-6063.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 0,47. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | Без галогенов | ДА | 246мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТБ713ЗМТ2Л | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-dtb713zmt2l-datasheets-5971.pdf | СОТ-723 | 3 | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ДТБ713 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 300мВ | 200 мА | 260 МГц | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 140 @ 100 мА 2 В | 260 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММУН2217LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mmun2217lt1g-datasheets-6069.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 11 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 246мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 246мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 35 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 35 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУН2212Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmun2212lt1g-datasheets-1623.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,09 мм | 1,5 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 338мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МУН2212 | 3 | Одинокий | 40 | 338мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 60 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 60 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||
| MUN5113T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mmun2113lt1g-datasheets-1641.pdf | -50В | -100 мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Олово | Нет | е3 | ПНП | Без галогенов | ДА | 202мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МУН51**Т | 3 | Одинокий | 40 | 310мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1108МФВ,Л3Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-723 | 12 недель | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2103MFV,L3F(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СОТ-723 | 10 недель | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 70 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUN5114T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-dta114yet1g-datasheets-3438.pdf | -50В | -100 мА | СК-70, СОТ-323 | 50В | Без свинца | 3 | 5 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,7. | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ПНП | Без галогенов | ДА | 202мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МУН51**Т | 3 | Одинокий | 40 | 202мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||
| DTC643TKT146 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DTC643 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 20 В | 600 мА | 150 МГц | 820 | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 820 @ 50 мА 5 В | 150 МГц | 150 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДТД142Ю-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-ddtd142ju7f-datasheets-4558.pdf | 50В | 500 мА | СК-70, СОТ-323 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 6,010099мг | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 21,28. | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТД142 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 500 мА | 50В | 50В | 300мВ | 500 мА | 200 МГц | 56 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 56 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 470 Ом | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||
| ММУН2238LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mmun2238lt1g-datasheets-5928.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 50В | Без свинца | 3 | 11 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 246мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММУН22**Л | 3 | Одинокий | 40 | 246мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 2,2 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||
| DTC623TKT146 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DTC623 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 20 В | 600 мА | 150 МГц | 820 | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 820 @ 50 мА 5 В | 150 МГц | 150 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 2,2 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММУН2240LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mmun2240lt1g-datasheets-6022.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 246мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 246мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 120 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТБ123ЮТ106 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,5. | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТБ123 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -500мА | 50В | 50В | 300мВ | 500 мА | 200 МГц | 56 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 56 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММУН2134LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmun2134lt1g-datasheets-6010.pdf | -50В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,01 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | Нет СВВК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 0,47 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | Без галогенов | ДА | 246мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММУН21**Л | 3 | Одинокий | 40 | 246мВт | 1 | Малые сигналы назначения общего BIP | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| DDTC144ECA-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-ddtc114eca7f-datasheets-2618.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 7,994566мг | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДДТК144 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 68 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||
| DTB114GCT116 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 13 недель | EAR99 | ЦИФРОВОЙ ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | не_совместимо | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 500 мА | 500нА ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 56 @ 50 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DDTC143ZE-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-ddtc123je7-datasheets-5914.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-523 | 1,6 мм | 750 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | 19 недель | 2,012816мг | 3 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | Нет | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DTC143 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||
| DTC143TETL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 50В | 100 мА | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 13 недель | Нет СВВК | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DTC143 | 3 | Одинокий | 10 | 150 мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 5В | 100 | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||
| SMMUN2216LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mmun2216lt1g-datasheets-1516.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Олово | Нет | е3 | НПН | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 400мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММУН22**Л | 3 | Одинокий | 1 | Малые сигналы назначения общего BIP | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 246мВт | 250 мВ | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTA143TETL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-dta143tkat146-datasheets-4119.pdf | -50В | -100 мА | СК-75, СОТ-416 | 50В | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ПНП | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДТА143 | 3 | Одинокий | 10 | 150 мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | -5В | 100 | 500нА ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||
| DTA143EUBHZGTL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/rohm-dta143eubhzgtl-datasheets-2401.pdf | СК-85 | 3 | 7 недель | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | не_совместимо | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 200мВт | 250 МГц | 100 мА | ПНП — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTA114EEBHZGTL | РОМ Полупроводник | 0,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СК-89, СОТ-490 | 3 | 20 недель | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1,0. | не_совместимо | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 150 мВт | 250 МГц | 100 мА | ПНП — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм |
