Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПредварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN1108,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СК-75, СОТ-416 | 10 недель | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC043XEBTL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/rohmsemiconductor-dtc043xubtl-datasheets-8395.pdf | СК-89, СОТ-490 | Без свинца | 3 | 8 недель | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 2,1. | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 150 мВт | 250 МГц | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительное размещение + диод | 35 при 5 мА 10 В | 250 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1407,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 10 недель | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2104,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | СК-75, СОТ-416 | 12 недель | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC123JU3T106 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-dtc123ju3t106-datasheets-6817.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 13 недель | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 21. | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 200мВт | 250 МГц | 100 мА | NPN — предварительное размещение + диод | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2308,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СК-70, СОТ-323 | 10 недель | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC115GU3T106 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-dtc115gu3t106-datasheets-6830.pdf | СК-70, СОТ-323 | 13 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 82 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 100 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMUN2134LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mmun2134lt1g-datasheets-6010.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | Без галогенов | ДА | 246мВт | ММУН21**Л | 3 | Одинокий | 1 | Малые сигналы назначения общего BIP | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| ДТА123ЕУ3Т106 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-dta123eu3t106-datasheets-6776.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 13 недель | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 200мВт | 250 МГц | 50В | 100 мА | ПНП — предварительный смещенный | 20 @ 20 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1411,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 10 недель | 200мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА123Ю3Т106 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-dta123yu3t106-datasheets-6719.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 13 недель | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,5. | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 200мВт | 250 МГц | 50В | 100 мА | ПНП — предварительный смещенный | 33 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТДТА114Y,ЛМ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 320мВт | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 90 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2416,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2410,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 10 недель | 200мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2305,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СК-70, СОТ-323 | 10 недель | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУН2215Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-dtc114tet1g-datasheets-3469.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 338мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 338мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||
| РН1310,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | СК-70, СОТ-323 | 10 недель | 100мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1410,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 10 недель | 200мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1417,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2407,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 10 недель | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2304,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СК-70, СОТ-323 | 10 недель | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2311,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СК-70, СОТ-323 | 10 недель | 100мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1101MFV,L3F(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | СОТ-723 | 10 недель | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2406,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДТА114ЕУ3Т106 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-dta114eu3t106-datasheets-6798.pdf | СК-70, СОТ-323 | 13 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 200мВт | 100 мА | PNP — предварительное размещение + диод | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2418,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУН2234Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-dtc124xet1g-datasheets-0602.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 2,14. | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 338мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 230мВт | 1 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||
| РН2411,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 200мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТДТК114Е,ЛМ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 320мВт | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC143TET1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmun2216lt1g-datasheets-1516.pdf | 50В | 100 мА | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DTC143 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Малые сигналы назначения общего BIP | Не квалифицированный | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм |
