Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактПредвариолно -смогал.
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | МОНТАНАНГИП | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | На | Это | PakeT / KORPUES | Делина | Вес | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | Верна - | Колист | Статус жIзnennogogo цikla | PBFREE CODE | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | HTS -KOD | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Полаяня | Спр | БЕЗОПАСНЫЙ | Пефер | МАКСИМАЛЕВАЯ | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Я | Поседл | Коунфигуразия | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | R. | Колист | Подкейгория | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | МАКСИМАЛНГАН | MATERIOLTRANSHOTORA | Коунфигура | Прилоэна | Пола | Power Dissipation-Max (ABS) | Коллеркшионер-имиттер-naprayonee-maks | Neprerыvnыйtokkollekshyorana | Синла - МАКС | МАКСИМАЛИН | Naprahenee raзobipkiklouhatelelelelelelekelelelelelekelelelelelelekelelelelekeleleleles | Napryaenee hanshenhyna anassheonhyna -ollekshyonera | NapraheneEnee -yзlouhatelelelekelekshyonera (vceo) | МАККСКОЛЕРНА | ASTOTA -PRERESHODA | Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | Current - Collector (IC) (MMAKS) | Hfe Min | Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | Это | DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | ASTOTA - PRERESHOD | Vce saturation (max) @ ib, ic | Rerзystor - baзa (r1) | Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN2106, LF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | $ 0,09 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | SC-75, SOT-416 | 12 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 80 @ 10ma 5v | 200 мг | 300 м. | 4,7 к ω | 47 к -ош | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTA143XUA-TP | МИКРОКОМЕРЕСКИЕ КОМПОНЕННТ (MCC) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Веса | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | /files/microcommercialco-dta143xuatp-datasheets-7054.pdf | SC-70, SOT-323 | 3 | 8 | Ear99 | В.К.К.Ко -Фуигиэнт -Истошиосостик | В дар | Дон | Крхлоп | 260 | 10 | 1 | R-PDSO-G3 | Кремни | Одеяно -наз | Псевдон | Pnp | 200 м | 250 мг | 50 | 100 май | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 30 @ 10ma 5V | 250 мг | 300 мВ 500 мк, 10 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC143ZE-TP | МИКРОКОМЕРЕСКИЕ КОМПОНЕННТ (MCC) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Веса | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | /files/microcommercialco-dtc143zetp-datasheets-7038.pdf | SOT-523 | 3 | 8 | в дар | Ear99 | Вестронн. | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | В дар | Дон | Крхлоп | 260 | 3 | 10 | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | Н.Квалиирована | R-PDSO-G3 | Кремни | Одеяно -наз | Псевдон | Npn | 0,15 | 150 м | 250 мг | 50 | 100 май | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 80 @ 10ma 5v | 250 мг | 300 м. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMUN5213T1G | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | Rohs3 | 2010 ГОД | /files/onsemoronductor-mmun2213lt1g-datasheets-1617.pdf | SC-70, SOT-323 | СОУДНО ПРИОН | 3 | 4 neDe | 3 | Активна (Постенни в | в дар | Ear99 | В.К.К.К.К. | Не | E3 | Олово (sn) | Npn | AEC-Q101 | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | 202 м | Дон | Крхлоп | MUN52 ** | 3 | Одинокий | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | Псевдон | 50 | 50 | 50 | 100 май | 80 | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 80 @ 5ma 10 | 250 мВ @ 300 мк, 10 мая | 47 к -ош | 47 к -ош | |||||||||||||||||||||||||||||
| RN1417, LF | Toshiba semiconductor и хraneneee | $ 0,11 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 12 | 200 м | 50 | 100 май | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 30 @ 10ma 5V | 250 мг | 300 м. | 10 КОм | 4,7 к ω | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2407, LF | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 10 nedely | 200 м | 50 | 100 май | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 80 @ 10ma 5v | 200 мг | 300 м. | 10 КОм | 47 к -ош | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2304, LF | Toshiba semiconductor и хraneneee | $ 0,17 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | SC-70, SOT-323 | 10 nedely | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 80 @ 10ma 5v | 200 мг | 300 м. | 47 к -ош | 47 к -ош | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2311, LF | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | SC-70, SOT-323 | 10 nedely | 100 м | 50 | 100 май | 100NA ICBO | Pnp - prervariotelno-cmepts | 120 @ 1MA 5V | 200 мг | 300 м. | 10 КОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1101MFV, L3F (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 1 (neograniчennnый) | SOT-723 | 10 nedely | 150 м | 50 | 100 май | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 30 @ 10ma 5V | 300 мВ 500 мк, 5 | 4,7 к ω | 4,7 к ω | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2406, LF | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 12 | 200 м | 50 | 100 май | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 80 @ 10ma 5v | 200 мг | 300 м. | 4,7 к ω | 47 к -ош | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTA114EU3T106 | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | /files/rohmsemiconductor-dta114eu3t106-datasheets-6798.pdf | SC-70, SOT-323 | 13 | Nukahan | Nukahan | 200 м | 100 май | Pnp - prervariotelnos -cmelый + diod | 30 @ 5MA 5V | 250 мг | 300 мВ 500 мк, 10 | 10 КОм | 10 КОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC123JU3T106 | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | /files/rohmsemiconductor-dtc123ju3t106-datasheets-6817.pdf | SC-70, SOT-323 | 3 | 13 | Ear99 | Vstroennnnыйcoэfihishent ustoshywostiте | В дар | Дон | Крхлоп | Nukahan | Nukahan | 1 | R-PDSO-G3 | Кремни | Одеяно -наз | Псевдон | Npn | 50 | 200 м | 250 мг | 100 май | Npn - prervariotelno -smelый + diod | 80 @ 10ma 5v | 250 мг | 300 м. | 2,2 к ω | 47 к -ош | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2308, LF | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | SC-70, SOT-323 | 10 nedely | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 80 @ 10ma 5v | 200 мг | 300 м. | 22 КОм | 47 к -ош | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC115GU3T106 | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | /files/rohmsemiconductor-dtc115gu3t106-datasheets-6830.pdf | SC-70, SOT-323 | 13 | Nukahan | Nukahan | 200 м | 50 | 100 май | 500NA ICBO | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 82 @ 5ma 5V | 250 мг | 300 мВ 500 мк, 10 | 100 к -ош | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMUN2134LT1G | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | Rohs3 | 2013 | /files/onsemyonductor-mmun2134lt1g-datasheets-6010.pdf | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | СОУДНО ПРИОН | 2 nede | 3 | Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) | в дар | Ear99 | Не | E3 | Олово (sn) | Pnp | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | 246 м | Mmun21 ** l | 3 | Одинокий | 1 | Bip obщego nahonaчenemenaenememane nebolhes signalы | 50 | 250 м | 50 | 100 май | 80 | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 80 @ 5ma 10 | 250 мВ @ 1MA, 10MA | 22 КОм | 47 к -ош | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTA123EU3T106 | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | /files/rohmsemiconductor-dta123eu3t106-datasheets-6776.pdf | SC-70, SOT-323 | 3 | 13 | Вестрон, | В дар | Дон | Крхлоп | Nukahan | Nukahan | 1 | R-PDSO-G3 | Кремни | Одеяно -наз | Псевдон | Pnp | 200 м | 250 мг | 50 | 100 май | Pnp - prervariotelno-cmepts | 20 @ 20 май 5в | 250 мг | 300 мВ 500 мк, 10 | 2,2 к ω | 2,2 к ω | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1411, LF | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 10 nedely | 200 м | 50 | 100 май | 100NA ICBO | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 120 @ 1MA 5V | 250 мг | 300 м. | 10 КОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTA123YU3T106 | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | /files/rohmsemiconductor-dta123yu3t106-datasheets-6719.pdf | SC-70, SOT-323 | 3 | 13 | Вестрон, выступая | В дар | Дон | Крхлоп | Nukahan | Nukahan | 1 | R-PDSO-G3 | Кремни | Одеяно -наз | Псевдон | Pnp | 200 м | 250 мг | 50 | 100 май | Pnp - prervariotelno-cmepts | 33 @ 10ma 5v | 250 мг | 300 мВ 500 мк, 10 | 2,2 к ω | 10 КОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TDTA114Y, LM | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 12 | 320 м | 50 | 100 май | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 90 @ 5ma 5V | 250 мг | 300 мВ 500 мк, 10 | 10 КОм | 10 КОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2416, LF | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 12 | 200 м | 50 | 100 май | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 50 @ 10ma 5 | 200 мг | 300 м. | 4,7 к ω | 10 КОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2410, LF | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 10 nedely | 200 м | 50 | 100 май | 100NA ICBO | Pnp - prervariotelno-cmepts | 120 @ 1MA 5V | 200 мг | 300 м. | 4,7 к ω | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2305, LF | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | SC-70, SOT-323 | 10 nedely | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 80 @ 10ma 5v | 200 мг | 300 м. | 2,2 к ω | 47 к -ош | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUN2215T1G | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | Rohs3 | 2006 | /files/onsemyonductor-dtc114tet1g-datasheets-3469.pdf | 50 | 100 май | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | СОУДНО ПРИОН | 3 | 2 nede | 3 | Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) | в дар | Ear99 | Вестронн Рушисторс | E3 | Олово (sn) | Npn | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | 338 м | Дон | Крхлоп | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 338 м | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | Н.Квалиирована | Псевдон | 100 май | 50 | 50 | 100 май | 160 | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 160 @ 5ma 10v | 250 мВ @ 1MA, 10MA | 10 КОм | |||||||||||||||||||||||||||
| RN1310, LF | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 1 (neograniчennnый) | SC-70, SOT-323 | 10 nedely | 100 м | 50 | 100 май | 100NA ICBO | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 120 @ 1MA 5V | 250 мг | 300 м. | 4,7 к ω | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1410, LF | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 10 nedely | 200 м | 50 | 100 май | 100NA ICBO | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 120 @ 1MA 5V | 250 мг | 300 м. | 4,7 к ω | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC113EET1G | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | Rohs3 | 2012 | /files/onsemyonductor-dtc113eet1g-datasheets-6559.pdf | SC-75, SOT-416 | СОУДНО ПРИОН | 3 | 2 nede | 3 | Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) | в дар | Ear99 | В.К.К.К.К. | Не | E3 | Олово (sn) | Npn | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | 200 м | Дон | Крхлоп | 3 | Одинокий | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | Псевдон | 50 | 250 м | 100 май | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 3 @ 5MA 10V | 250 мВ @ 5MA, 10 мА | 1 к -ош | 1 к -ош | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2303, LF | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | SC-70, SOT-323 | 12 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | Pnp - prervariotelno-cmepts | 70 @ 10ma 5v | 200 мг | 300 м. | 22 КОм | 22 КОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUN5230T1G | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | Rohs3 | 2009 | /files/onsemyonductor-dtc113eet1g-datasheets-6559.pdf | 50 | 100 май | SC-70, SOT-323 | 50 | СОУДНО ПРИОН | 3 | 2 nede | 3 | Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) | в дар | Ear99 | Вестрон, | Не | 8541.21.00.95 | E3 | Олово (sn) | Npn | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | 202 м | Дон | Крхлоп | 260 | MUN52 ** | 3 | Одинокий | 40 | 202 м | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | 100 май | Псевдон | 100 май | 50 | 50 | 50 | 100 май | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 3 @ 5MA 10V | 250 мВ @ 5MA, 10 мА | 1 к -ош | 1 к -ош | ||||||||||||||||||||||
| RN1413 (TE85L, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | ROHS COMPRINT | 2014 | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 11 nedely | 3 | в дар | Не | 200 м | Одинокий | 50 | 50 | 300 м | 100 май | 100NA ICBO | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 120 @ 1MA 5V | 250 мг | 300 м. | 47 к -ош | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUN5231T1G | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | Rohs3 | 2009 | /files/onsemoronductor-mmun2231lt1g-datasheets-1634.pdf | 50 | 100 май | SC-70, SOT-323 | СОУДНО ПРИОН | 3 | 2 nede | 3 | Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) | в дар | Ear99 | Вестрон, | Не | E3 | Олово (sn) | Npn | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | 202 м | Дон | Крхлоп | 260 | MUN52 ** | 3 | Одинокий | 40 | 202 м | 1 | Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal | Псевдон | 100 май | 50 | 50 | 100 май | 8 | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 8 @ 5ma 10 | 250 мВ @ 5MA, 10 мА | 2,2 к ω | 2,2 к ω |
