Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПредварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Масса | Количество контактов | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FJNS4201RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns4201rbu-datasheets-9503.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 20 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS4202RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns4202rta-datasheets-9495.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS3213RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3213rta-datasheets-9462.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS4201RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns4201rbu-datasheets-9503.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 20 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJX4010RTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjx4010rtf-datasheets-9507.pdf | СК-70, СОТ-323 | СК-70 (СОТ323) | 200мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJV4110RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjv4110rmtf-datasheets-9466.pdf | -40В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | ПНП | 200мВт | Одинокий | 200мВт | СОТ-23-3 (ТО-236) | -100 мА | 200мВт | 40В | 40В | 100 мА | 40В | 100 мА | -5В | 100 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||
| FJN4301RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjn4301rbu-datasheets-9489.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | совместимый | 8541.21.00.75 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | FJN4301 | 150°С | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 300мВт | 200 МГц | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 20 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| FJN4308RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn4308rbu-datasheets-9400.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS4206RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjns4206rta-datasheets-9470.pdf | -50В | -100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | Без свинца | 3 | ПНП | 300мВт | Одинокий | 300мВт | -100 мА | 50В | 50В | 100 мА | -10 В | 68 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FJV4106RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjv4106rmtf-datasheets-9471.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СОТ-23-3 (ТО-236) | 200мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJV4107RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjv4107rmtf-datasheets-9473.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СОТ-23-3 (ТО-236) | 200мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS4206RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns4206rta-datasheets-9470.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS4213RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns4213rbu-datasheets-9476.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS3203RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3203rta-datasheets-9429.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS4205RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns4205rta-datasheets-9478.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS4211RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns4211rta-datasheets-9480.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | 300мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS4212RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns4212rta-datasheets-9481.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS4214RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns4214rbu-datasheets-9459.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJV4111RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjv4111rmtf-datasheets-9482.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СОТ-23-3 (ТО-236) | 200мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJV4103RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjv4103rmtf-datasheets-4594.pdf | -50В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 30мг | 3 | ПНП | 200мВт | Одинокий | 200мВт | -100 мА | 50В | 50В | 100 мА | -50В | -10 В | 56 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS4204RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns4204rbu-datasheets-9484.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS3213RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3213rta-datasheets-9462.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS3206RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjns3206rbu-datasheets-9424.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | Без свинца | 3 | НПН | 300мВт | Одинокий | 300мВт | ТО-92С | 100 мА | 300мВт | 50В | 50В | 100 мА | 50В | 100 мА | 50В | 10 В | 68 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||
| FJV4109RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjv4109rmtf-datasheets-9463.pdf | -40В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | ПНП | 200мВт | Одинокий | 200мВт | -100 мА | 40В | 40В | 100 мА | -5В | 100 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJV4112RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fjv4112rmtf-datasheets-9486.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СОТ-23-3 | 200мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJV4105RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СОТ-23-3 (ТО-236) | 200мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS3205RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3205rbu-datasheets-9430.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS3215RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjns3215rta-datasheets-9436.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | Без свинца | 3 | НПН | 300мВт | Одинокий | 300мВт | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 10 В | 33 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 33 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS3209RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3209rta-datasheets-9406.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS3204RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3204rta-datasheets-9446.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм |
