Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПредварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество контактов | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Конфигурация элемента | Рассеяние активности | Поставщик пакета оборудования | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FJNS3214RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3214rta-datasheets-9452.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||
| FJN4304RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn4304rta-datasheets-9414.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||
| FJV4108RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjv4108rmtf-datasheets-9456.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СОТ-23-3 (ТО-236) | 200мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||
| FJNS3207RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3207rta-datasheets-9439.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| FJNS3208RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3208rbu-datasheets-9409.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| FJNS3212RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3212rbu-datasheets-9418.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | 300мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| FJNS4214RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns4214rbu-datasheets-9459.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||
| FJNS3207RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3207rta-datasheets-9439.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||
| FJV3112RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fjv3112rmtf-datasheets-9442.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СОТ-23-3 (ТО-236) | 200мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||
| FJN4313RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn4313rta-datasheets-9410.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||
| FJNS3204RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3204rta-datasheets-9446.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||
| FJNS3202RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fjns3202rbu-datasheets-9426.pdf | 50В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | Без свинца | 3 | НПН | 300мВт | Одинокий | 300мВт | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 10 В | 30 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||
| FJNS3215RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjns3215rta-datasheets-9436.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | Без свинца | 3 | НПН | 300мВт | Одинокий | 300мВт | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 10 В | 33 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 33 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | |||||||||||
| FJNS3209RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3209rta-datasheets-9406.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| FJNS3204RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3204rta-datasheets-9446.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||
| FJNS3201RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3201rbu-datasheets-9451.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 20 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||
| FJV3108RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fjv3108rmtf-datasheets-9431.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СОТ-23-3 (ТО-236) | 200мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||
| FJNS3214RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3214rta-datasheets-9452.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| FJNS3211RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3211rta-datasheets-9425.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | 300мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| FJNS3201RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fjns3201rbu-datasheets-9451.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 20 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||
| FJN4313RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn4313rta-datasheets-9410.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||
| FJN3315RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn3315rta-datasheets-9362.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 33 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||
| FJN4304RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn4304rta-datasheets-9414.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||
| FJN4303RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjn4303rbu-datasheets-9416.pdf | -50В | -100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | ПНП | 300мВт | FJN4303 | Одинокий | 300мВт | ТО-92-3 | -100 мА | 300мВт | 50В | 50В | 100 мА | 50В | 100 мА | -10 В | 56 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||
| FJNS3212RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3212rbu-datasheets-9418.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | 300мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| FJV3106RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fjv3106rmtf-datasheets-9419.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | НПН | 200мВт | Одинокий | 200мВт | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 10 В | 68 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||
| FJN3302RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn3302rbu-datasheets-9421.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | FJN3302 | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||
| FJNS3210RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3210rta-datasheets-9423.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | 300мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| FJNS3206RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3206rbu-datasheets-9424.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||
| FJNS3211RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3211rta-datasheets-9425.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | 300мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 22 кОм |
