Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПредварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FJNS3209RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fjns3209rta-datasheets-9406.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS3208RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3208rbu-datasheets-9409.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | ТО-92С | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN4313RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn4313rta-datasheets-9410.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN3315RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn3315rta-datasheets-9362.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 33 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN4304RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn4304rta-datasheets-9414.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN4303RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjn4303rbu-datasheets-9416.pdf | -50В | -100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | ПНП | 300мВт | FJN4303 | Одинокий | 300мВт | ТО-92-3 | -100 мА | 300мВт | 50В | 50В | 100 мА | 50В | 100 мА | -10 В | 56 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS3212RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3212rbu-datasheets-9418.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | 300мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJV3106RMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fjv3106rmtf-datasheets-9419.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | НПН | 200мВт | Одинокий | 200мВт | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 10 В | 68 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN3302RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn3302rbu-datasheets-9421.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | FJN3302 | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJNS3210RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjns3210rta-datasheets-9423.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | 300мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДТА143ЭЭФ,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/nxpusainc-pdta143ek115-datasheets-8903.pdf | СК-89, СОТ-490 | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | неизвестный | е3 | ИНН | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | ПДТА143 | 3 | 150°С | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 250мВт | 50В | 100 мА | 1 мкА | ПНП — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||
| FJN3308RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn3308rbu-datasheets-9329.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XP0NG8A00L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-xp0ng8a00l-datasheets-9321.pdf | -50В | -100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 150 мВт | СМИНИ6-Г1 | 150 мВт | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 500нА | PNP — предварительное размещение + диод | 20 @ 5 мА 10 В | 80 МГц | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN4310RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | -40В | -100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | ПНП | 300мВт | Одинокий | 300мВт | -100 мА | 40В | 40В | 100 мА | -5В | 100 | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN3313RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn3313rbu-datasheets-9327.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN3305RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjn3305rbu-datasheets-9369.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 2,13. | совместимый | 8541.21.00.75 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | FJN3305 | 150°С | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 300мВт | 250 МГц | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||
| FJN3307RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn3307rta-datasheets-9346.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN4309RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn4309rbu-datasheets-9375.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | FJN4309 | ТО-92-3 | 300мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN3304RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fjn3304rbu-datasheets-9377.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN4302RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn4302rbu-datasheets-9379.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | FJN4302 | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN3303RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjn3303rbu-datasheets-9381.pdf | 50В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 36 недель | 3 | НПН | 300мВт | FJN3303 | Одинокий | 300мВт | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 10 В | 56 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 56 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN4312RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn4312rta-datasheets-9351.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92-3 | 300мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN4305RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjn4305rbu-datasheets-9385.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 2,13. | совместимый | 8541.21.00.75 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | FJN4305 | 150°С | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 300мВт | 200 МГц | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||
| FJN4306RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN4311RBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn4311rta-datasheets-9348.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92-3 | 300мВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 100 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УНР521Т00Л | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-unr521k00l-datasheets-5526.pdf | 50В | 100 мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 150 мВт | SMini3-G1 | 150 мВт | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 5 мА 10 В | 150 МГц | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN4307RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn4307rta-datasheets-9390.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN3304RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 50В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | НПН | 300мВт | Одинокий | 300мВт | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 10 В | 68 | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УНР911DJ0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-unr9114j0l-datasheets-5750.pdf | -50В | -100 мА | СК-89, СОТ-490 | Без свинца | 125 МВт | ССМини3-F1 | 125 МВт | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 30 при 5 мА 10 В | 80 МГц | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN3315RTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjn3315rta-datasheets-9362.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 300мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | NPN — предварительный смещенный | 33 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 10 кОм |
