Предварительно смещенные транзисторы BJT - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Предвариолно -смогал.

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) В припании МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ПАКЕТИВАЕТСЯ Синла - МАКС Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Vce saturation (max) @ ib, ic Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) Млн
RN2409,LXHF RN2409, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 70 @ 10ma, 5v 200 мг 300 м. 47 Kohms 22 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
PDTD123YQAZ PDTD123YQAZ Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 * Nxp poluprovoDonnyki
PDTA114YQBZ PDTA114YQBZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 100 @ 5ma, 5 180 мг 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 10 Kohms 47 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTA124XQBZ PDTA124XQBZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 80 @ 5ma, 5в 180 мг 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 22 Kohms 47 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTC123JQBZ PDTC123JQBZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 100 @ 10ma, 5 В 180 мг 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 2.2 Ком 47 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTA123JQBZ PDTA123JQBZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 100 @ 10ma, 5 В 180 мг 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 2.2 Ком 47 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTC144EQBZ PDTC144EQBZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 80 @ 5ma, 5в 180 мг 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 47 Kohms 47 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTC124EQBZ PDTC124EQBZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 60 @ 5ma, 5 В 180 мг 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 22 Kohms 22 Kohms Nexperia USA Inc.
RN1107,LXHF(CT RN1107, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 80 @ 10ma, 5в 250 мг 300 м. 10 Kohms 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1403,LXHF RN1403, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 70 @ 10ma, 5v 250 мг 300 м. 22 Kohms 22 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2404,LXHF RN2404, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 80 @ 10ma, 5в 200 мг 300 м. 47 Kohms 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1106MFV,L3XHF(CT RN1106MFV, L3XHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер SOT-723 Вер 150 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 80 @ 1MA, 5V 300 мВ 500 мк, 5 4.7 Kohms 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
PDTA143XQBZ PDTA143XQBZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 50 @ 10ma, 5 В 180 мг 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 4.7 Kohms 10 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTC143EQBZ PDTC143EQBZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 30 @ 10ma, 5 В 180 мг 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 4.7 Kohms 4.7 Kohms Nexperia USA Inc.
RN1406,LXHF RN1406, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 80 @ 10ma, 5в 250 мг 300 м. 4.7 Kohms 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1110,LXHF(CT RN1110, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 120 @ 1MA, 5V 250 мг 300 м. 4.7 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1108,LXHF(CT RN1108, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 80 @ 10ma, 5в 250 мг 300 м. 22 Kohms 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1401,LXHF RN1401, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 300 м. 4.7 Kohms 4.7 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2107,LXHF(CT RN2107, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 80 @ 10ma, 5в 200 мг 300 м. 10 Kohms 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2115,LXHF(CT RN2115, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 300 м. 2.2 Ком 10 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2105MFV,L3XHF(CT RN2105MFV, L3XHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер SOT-723 Вер 150 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 80 @ 10ma, 5в 250 мг 300 мВ 500 мк, 5 2.2 Ком 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1105,LXHF(CT RN1105, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 80 @ 10ma, 5в 250 мг 300 м. 2.2 Ком 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2105,LXHF(CT RN2105, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 80 @ 10ma, 5в 200 мг 300 м. 2.2 Ком 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1412,LXHF RN1412, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 120 @ 1MA, 5V 250 мг 300 м. 22 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1407,LXHF RN1407, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 80 @ 10ma, 5в 250 мг 300 м. 10 Kohms 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2111,LXHF(CT RN2111, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 120 @ 1MA, 5V 200 мг 300 м. 10 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1103,LXHF(CT RN1103, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 70 @ 10ma, 5v 250 мг 300 м. 22 Kohms 22 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1109,LXHF(CT RN1109, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 70 @ 10ma, 5v 250 мг 300 м. 47 Kohms 22 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2407,LXHF RN2407, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 80 @ 10ma, 5в 200 мг 300 м. 10 Kohms 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2108,LXHF(CT RN2108, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 80 @ 10ma, 5в 200 мг 300 м. 22 Kohms 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)