Предварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)

Имя	Производитель	Количество	Размер (ДхШхВ)	Ряд	Тип монтажа	Пакет/ключи	Поставщик пакета оборудования	Мощность - Макс.	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Тип транзистора	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)	Производитель
PDTA123JQCZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1412D-3	360 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	100 при 10 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ @ 250 мкА, 5 мА	47 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTC144EQC-QZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1412D-3	360 мВт	50 В	100 мА	100нА	NPN — предварительный смещенный	80 при 5 мА, 5 В	230 МГц	100 мВ @ 500 мкА, 10 мА	47 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTC124XQC-QZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1412D-3	360 мВт	50 В	100 мА	100нА	NPN — предварительный смещенный	80 при 5 мА, 5 В	230 МГц	100 мВ @ 500 мкА, 10 мА	22 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTC124EQB-QZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	NPN — предварительный смещенный	60 при 5 мА, 5 В	230 МГц	100 мВ @ 500 мкА, 10 мА	22 кОм	22 кОм	Нексперия США Инк.
PDTC123JQCZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1412D-3	360 мВт	50 В	100 мА	100нА	NPN — предварительный смещенный	100 при 10 мА, 5 В	230 МГц	100 мВ @ 250 мкА, 5 мА	2,2 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTC114EQB-QZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	NPN — предварительный смещенный	30 при 5 мА, 5 В	230 МГц	100 мВ @ 500 мкА, 10 мА	10 кОм	10 кОм	Нексперия США Инк.
PDTA114YQCZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1412D-3	360 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	100 при 5 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ @ 250 мкА, 5 мА	10 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
HR1F3P(0)-T1-AZ	Ренесас	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж	ТО-243АА	СК-62	2 Вт	60 В	1 А	100нА	ПНП — предварительный смещенный	100 при 500 мА, 2 В		350 мВ при 10 мА, 500 мА	2 ком	10 кОм	Ренесас
ГА4Ф3М(0)-Т1-А	Ренесас	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	СК-70	150 мВт	50 В	100 мА	100нА	NPN — предварительный смещенный	50 при 50 мА, 5 В		200 мВ при 250 мкА, 5 мА	2 ком	2 ком	Ренесас
PDTA144EQBZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	80 при 5 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ @ 500 мкА, 10 мА	47 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
РН2401,ЛХХФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	S-Мини	200 мВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	30 при 10 мА, 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм	4,7 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
РН2406,ЛХХФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	S-Мини	200 мВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм	47 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN1113,LXHF(CT	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	ССМ	100 мВт	50 В	100 мА	100нА (ИКБО)	NPN — предварительный смещенный	120 при 1 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	47 кОм		Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN2413,LXHF	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	S-Мини	200 мВт	50 В	100 мА	100нА (ИКБО)	ПНП — предварительный смещенный	120 при 1 мА, 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	47 кОм		Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
РН2405,ЛХХФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	S-Мини	200 мВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	2,2 кОм	47 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN1404,LXHF	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	S-Мини	200 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	47 кОм	47 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
PDTC143EQAZ	НХП Полупроводники	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	*														НХП Полупроводники
PDTC114EQBZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	30 при 5 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ @ 500 мкА, 10 мА	10 кОм	10 кОм	Нексперия США Инк.
PDTC124XQBZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	80 при 5 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ @ 250 мкА, 5 мА	22 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTC114YQBZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	100 при 5 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ @ 250 мкА, 5 мА	10 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTC143XQBZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	50 при 10 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ @ 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм	10 кОм	Нексперия США Инк.
PDTA143EQBZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	30 при 10 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ @ 500 мкА, 10 мА	4,7 кОм	4,7 кОм	Нексперия США Инк.
PDTA114EQBZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	30 при 5 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ @ 500 мкА, 10 мА	10 кОм	10 кОм	Нексперия США Инк.
PDTC143ZQBZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	100 при 10 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ @ 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTA143ZQBZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	100 при 10 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ @ 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTA124EQBZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100нА	ПНП — предварительный смещенный	60 при 5 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ @ 500 мкА, 10 мА	22 кОм	22 кОм	Нексперия США Инк.
RN1102MFV,L3XHF(CT	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0		Поверхностный монтаж	СОТ-723	ВЕСМ	150 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	50 при 10 мА, 5 В		300 мВ при 500 мкА, 5 мА	10 кОм	10 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
RN1104MFV,L3XHF(CT	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0		Поверхностный монтаж	СОТ-723	ВЕСМ	150 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	80 при 10 мА, 5 В		300 мВ при 500 мкА, 5 мА	47 кОм	47 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
РН2410,ЛХХФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0		Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	S-Мини	200 мВт	50 В	100 мА	100нА (ИКБО)	ПНП — предварительный смещенный	120 при 1 мА, 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм		Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
РН2402,ЛХХФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0		Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	S-Мини	200 мВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	50 при 10 мА, 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	10 кОм	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных

Предварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии