Предварительно смещенные транзисторы BJT - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Предвариолно -смогал.

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) В припании МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ПАКЕТИВАЕТСЯ Синла - МАКС Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Vce saturation (max) @ ib, ic Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) Млн
PDTC143EQC-QZ PDTC143EQC-QZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1412D-3 50 100 май 1 Млокс Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 30 @ 10ma, 5 В 230 мг 150 мв 500 мк, 10 4.7 Kohms 4.7 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTC144EQC-QZ PDTC144EQC-QZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1412D-3 360 м 50 100 май 100NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 80 @ 5ma, 5в 230 мг 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 47 Kohms 47 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTC124XQC-QZ PDTC124XQC-QZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1412D-3 360 м 50 100 май 100NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 80 @ 5ma, 5в 230 мг 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 22 Kohms 47 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTC124EQB-QZ PDTC124EQB-QZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 60 @ 5ma, 5 В 230 мг 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 22 Kohms 22 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTC123JQCZ PDTC123JQCZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1412D-3 360 м 50 100 май 100NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 100 @ 10ma, 5 В 230 мг 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 2.2 Ком 47 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTC114EQB-QZ PDTC114EQB-QZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 30 @ 5ma, 5в 230 мг 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 10 Kohms 10 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTA114YQCZ PDTA114YQCZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1412D-3 360 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 100 @ 5ma, 5 180 мг 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 10 Kohms 47 Kohms Nexperia USA Inc.
HR1F3P(0)-T1-AZ HR1F3P (0) -T1 -AZ RerneзAs
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - Пефер 243а SC-62 2 Вт 60 1 а 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 100 @ 500 май, 2 В 350 мВ @ 10ma, 500 мая 2 kohms 10 Kohms RerneзAs
GA4F3M(0)-T1-A GA4F3M (0) -T1 -A RerneзAs
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - Пефер SC-70, SOT-323 SC-70 150 м 50 100 май 100NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 50 @ 50 мА, 5 В 200 мВ @ 250 мк, 5 мая 2 kohms 2 kohms RerneзAs
PDTA144EQBZ PDTA144EQBZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 80 @ 5ma, 5в 180 мг 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 47 Kohms 47 Kohms Nexperia USA Inc.
RN1113,LXHF(CT RN1113, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 120 @ 1MA, 5V 250 мг 300 м. 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2413,LXHF RN2413, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 120 @ 1MA, 5V 200 мг 300 м. 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2401,LXHF RN2401, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 30 @ 10ma, 5 В 200 мг 300 м. 4.7 Kohms 4.7 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2406,LXHF RN2406, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 80 @ 10ma, 5в 200 мг 300 м. 4.7 Kohms 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2405,LXHF RN2405, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 80 @ 10ma, 5в 200 мг 300 м. 2.2 Ком 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1404,LXHF RN1404, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 80 @ 10ma, 5в 250 мг 300 м. 47 Kohms 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
PDTC143EQAZ PDTC143EQAZ Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 * Nxp poluprovoDonnyki
PDTC114EQBZ PDTC114EQBZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 30 @ 5ma, 5в 180 мг 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 10 Kohms 10 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTC124XQBZ PDTC124XQBZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 80 @ 5ma, 5в 180 мг 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 22 Kohms 47 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTC114YQBZ PDTC114YQBZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 100 @ 5ma, 5 180 мг 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 10 Kohms 47 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTC143XQBZ PDTC143XQBZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 50 @ 10ma, 5 В 180 мг 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 4.7 Kohms 10 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTA143EQBZ PDTA143EQBZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 30 @ 10ma, 5 В 180 мг 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 4.7 Kohms 4.7 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTA114EQBZ PDTA114EQBZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 30 @ 5ma, 5в 180 мг 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 10 Kohms 10 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTC143ZQBZ PDTC143ZQBZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 100 @ 10ma, 5 В 180 мг 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 4.7 Kohms 47 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTA143ZQBZ PDTA143ZQBZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 100 @ 10ma, 5 В 180 мг 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 4.7 Kohms 47 Kohms Nexperia USA Inc.
PDTA124EQBZ PDTA124EQBZ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 - PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o DFN1110D-3 340 м 50 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 60 @ 5ma, 5 В 180 мг 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 22 Kohms 22 Kohms Nexperia USA Inc.
RN1104MFV,L3XHF(CT RN1104MFV, L3XHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер SOT-723 Вер 150 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 80 @ 10ma, 5в 300 мВ 500 мк, 5 47 Kohms 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2410,LXHF RN2410, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 120 @ 1MA, 5V 200 мг 300 м. 4.7 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1102MFV,L3XHF(CT RN1102MFV, L3XHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер SOT-723 Вер 150 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 50 @ 10ma, 5 В 300 мВ 500 мк, 5 10 Kohms 10 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2402,LXHF RN2402, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 300 м. 10 Kohms 10 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)