| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Ряд | Тип монтажа | Пакет/ключи | Поставщик пакета оборудования | Мощность - Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| РН1405,ЛХХФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | S-Мини | 200 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN2417,LXHF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | S-Мини | 200 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 4,7 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN1116,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 50 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| RN2107MFV,L3XHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | СОТ-723 | ВЕСМ | 150 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 10 мА, 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||||
| RN2412,LXHF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | S-Мини | 200 мВт | 50 В | 100 мА | 100нА (ИКБО) | ПНП — предварительный смещенный | 120 при 1 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||||
| РН1410,ЛХХФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | S-Мини | 200 мВт | 50 В | 100 мА | 100нА (ИКБО) | NPN — предварительный смещенный | 120 при 1 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||||
| RN1115,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 50 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| RN1417,LXHF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | S-Мини | 200 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 4,7 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| RN2418,LXHF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | S-Мини | 200 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 50 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 10 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| RN2415,LXHF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | S-Мини | 200 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 50 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| RN1104,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| RN1101MFV,L3XHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | СОТ-723 | ВЕСМ | 150 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА, 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||||
| RN1416,LXHF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | S-Мини | 200 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 50 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| RN2104,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| RN1107MFV,L3XHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | СОТ-723 | ВЕСМ | 150 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 10 мА, 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||||
| RN1111,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 100нА (ИКБО) | NPN — предварительный смещенный | 120 при 1 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||||
| RN2106MFV,L3XHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | СОТ-723 | ВЕСМ | 150 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| RN1102,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 50 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| RN2102MFV,L3XHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | СОТ-723 | ВЕСМ | 150 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 50 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| РН1402,ЛХХФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | S-Мини | 200 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 50 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| RN1112,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 100нА (ИКБО) | NPN — предварительный смещенный | 120 при 1 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||||
| RN2109,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 70 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN2103MFV,L3XHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | СОТ-723 | ВЕСМ | 150 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 70 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| RN2416,LXHF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | S-Мини | 200 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 50 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| RN2113,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 100нА (ИКБО) | ПНП — предварительный смещенный | 120 при 1 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| RN2110,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 100нА (ИКБО) | ПНП — предварительный смещенный | 120 при 1 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||||
| RN1408,LXHF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | S-Мини | 200 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 80 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 47 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN1415,LXHF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | S-Мини | 200 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 50 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| RN2101,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 30 @ 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| RN2106,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.