Предварительно смещенные транзисторы BJT - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Предвариолно -смогал.

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) В припании МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ПАКЕТИВАЕТСЯ Синла - МАКС Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Vce saturation (max) @ ib, ic Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) Млн
RN1405,LXHF RN1405, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 80 @ 10ma, 5в 250 мг 300 м. 2.2 Ком 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2417,LXHF RN2417, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 30 @ 10ma, 5 В 200 мг 300 м. 10 Kohms 4.7 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1116,LXHF(CT RN1116, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 300 м. 4.7 Kohms 10 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2107MFV,L3XHF(CT RN2107MFV, L3XHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер SOT-723 Вер 150 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 80 @ 10ma, 5в 300 мВ 500 мк, 5 10 Kohms 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2412,LXHF RN2412, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 120 @ 1MA, 5V 200 мг 300 м. 22 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1410,LXHF RN1410, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 120 @ 1MA, 5V 250 мг 300 м. 4.7 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1115,LXHF(CT RN1115, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 300 м. 2.2 Ком 10 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1417,LXHF RN1417, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 300 м. 10 Kohms 4.7 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2418,LXHF RN2418, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 300 м. 47 Kohms 10 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2415,LXHF RN2415, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 300 м. 2.2 Ком 10 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1107MFV,L3XHF(CT RN1107MFV, L3XHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер SOT-723 Вер 150 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 80 @ 10ma, 5в 300 мВ 500 мк, 5 10 Kohms 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1111,LXHF(CT RN1111, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 120 @ 1MA, 5V 250 мг 300 м. 10 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1104,LXHF(CT RN1104, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 80 @ 10ma, 5в 250 мг 300 м. 47 Kohms 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1101MFV,L3XHF(CT RN1101MFV, L3XHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер SOT-723 Вер 150 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 30 @ 10ma, 5 В 300 мВ 500 мк, 5 4.7 Kohms 4.7 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1416,LXHF RN1416, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 300 м. 4.7 Kohms 10 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2104,LXHF(CT RN2104, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 80 @ 10ma, 5в 200 мг 300 м. 47 Kohms 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2106MFV,L3XHF(CT RN2106MFV, L3XHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер SOT-723 Вер 150 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 80 @ 10ma, 5в 250 мг 300 мВ 500 мк, 5 4.7 Kohms 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1102,LXHF(CT RN1102, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 300 м. 10 Kohms 10 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2102MFV,L3XHF(CT RN2102MFV, L3XHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер SOT-723 Вер 150 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 300 мВ 500 мк, 5 10 Kohms 10 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1402,LXHF RN1402, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 300 м. 10 Kohms 10 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1112,LXHF(CT RN1112, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 120 @ 1MA, 5V 250 мг 300 м. 22 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2109,LXHF(CT RN2109, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 70 @ 10ma, 5v 200 мг 300 м. 47 Kohms 22 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2103MFV,L3XHF(CT RN2103MFV, L3XHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер SOT-723 Вер 150 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 70 @ 10ma, 5v 250 мг 300 мВ 500 мк, 5 22 Kohms 22 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2416,LXHF RN2416, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 300 м. 4.7 Kohms 10 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2113,LXHF(CT RN2113, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 120 @ 1MA, 5V 200 мг 300 м. 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2110,LXHF(CT RN2110, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 120 @ 1MA, 5V 200 мг 300 м. 4.7 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2101,LXHF(CT RN2101, LXHF (Ct Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер SC-75, SOT-416 SSM 100 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 30 @ 10ma, 5 В 200 мг 300 м. 4.7 Kohms 4.7 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1408,LXHF RN1408, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 80 @ 10ma, 5в 250 мг 300 м. 22 Kohms 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1415,LXHF RN1415, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 300 м. 2.2 Ком 10 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2409,LXHF RN2409, LXHF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 S-Mini 200 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 70 @ 10ma, 5v 200 мг 300 м. 47 Kohms 22 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)