Предварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)

Имя	Производитель	Количество	Размер (ДхШхВ)	Ряд	Тип монтажа	Пакет/ключи	Поставщик пакета оборудования	Мощность - Макс.	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Тип транзистора	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)	Производитель
ТДТА114Е,ЛМ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	СОТ-23-3	320 мВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	30 при 5 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	10 кОм		Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
ТДТА124Е,ЛМ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	СОТ-23-3	320 мВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	56 @ 5 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	22 кОм		Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
ТДТК124Е,ЛМ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	СОТ-23-3	320 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	49 @ 5 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	22 кОм		Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
ТДТК144Е,ЛМ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	СОТ-23-3	320 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	77 @ 5 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	47 кОм		Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
РН1313,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	УСМ	100 мВт	50 В	100 мА	100нА (ИКБО)	NPN — предварительный смещенный	120 при 1 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	47 кОм		Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
TDTC123J,ЛМ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	СОТ-23-3	320 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	2,2 кОм		Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
ТДТА143Е,ЛМ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	СОТ-23-3	320 мВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	30 @ 10 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	4,7 кОм		Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
РН2313,ЛФ	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	СК-70	100 мВт	50 В	100 мА	100нА (ИКБО)	ПНП — предварительный смещенный	120 при 1 мА, 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	47 кОм		Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
НСВММУН2132LT1G-M01	онсеми	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	СОТ-23-3 (ТО-236)	246 мВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	15 @ 5 мА, 10 В		250 мВ при 1 мА, 10 мА	4,7 кОм	4,7 кОм	онсеми
FA4L4L-T1B-A	Ренесас	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	СК-59	200 мВт	50 В	100 мА	100 нА	NPN — предварительный смещенный	90 при 5 мА, 5 В		200 мВ при 250 мкА, 5 мА	47 кОм	22 кОм	Ренесас
НСВМУН5116T1G-M02	онсеми	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	СК-70 (СОТ323)	202 МВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	160 при 5 мА, 10 В		250 мВ при 1 мА, 10 мА	4,7 кОм		онсеми
КСР1004БУ	Фэйрчайлд (ON Semiconductor)	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА)	ТО-92	300 мВт	50 В	100 мА	100 нА	NPN — предварительный смещенный	68 @ 5 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	47 кОм	47 кОм	Фэйрчайлд Полупроводник
SMUN5133T1G-M02	онсеми	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	СК-70 (СОТ323)	202 МВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	80 при 5 мА, 10 В		250 мВ при 300 мкА, 10 мА	4,7 кОм	47 кОм	онсеми
PDTA114EQCZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1412D-3	360 мВт	50 В	100 мА	100 нА	ПНП — предварительный смещенный	30 при 5 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ при 500 мкА, 10 мА	10 кОм	10 кОм	Нексперия США Инк.
PDTC143XQC-QZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1412D-3	360 мВт	50 В	100 мА	100 нА	NPN — предварительный смещенный	50 при 10 мА, 5 В	230 МГц	100 мВ при 500 мкА, 10 мА	4,7 кОм	10 кОм	Нексперия США Инк.
PDTA123JQB-QZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100 нА	ПНП — предварительный смещенный	100 при 10 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ при 250 мкА, 5 мА	2,2 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTA144EQB-QZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100 нА	ПНП — предварительный смещенный	80 при 5 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ при 500 мкА, 10 мА	47 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
ADTA144WCAQ-13	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	СОТ-23-3	310 мВт	50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	56 @ 10 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	47 кОм	22 кОм	Диодс Инкорпорейтед
ADTC124EUAQ-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	СОТ-323	330 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	56 @ 5 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	22 кОм	22 кОм	Диодс Инкорпорейтед
ADTC143ECAQ-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	СОТ-23-3	310 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	20 @ 10 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	4,7 кОм	4,7 кОм	Диодс Инкорпорейтед
ADTA143ECAQ-13	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	СОТ-23-3	310 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	20 @ 10 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	4,7 кОм	4,7 кОм	Диодс Инкорпорейтед
DDTC115EUAQ-7-F	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	СОТ-323	200 мВт	50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	82 @ 5 мА, 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	100 кОм	100 кОм	Диодс Инкорпорейтед
PDTC124XQB-QZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100 нА	NPN — предварительный смещенный	80 при 5 мА, 5 В	230 МГц	100 мВ при 500 мкА, 10 мА	22 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTC143ZQCZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1412D-3	360 мВт	50 В	100 мА	100 нА	NPN — предварительный смещенный	100 при 10 мА, 5 В	230 МГц	100 мВ при 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTA144EQCZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1412D-3	360 мВт	50 В	100 мА	100 нА	ПНП — предварительный смещенный	80 при 5 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ при 500 мкА, 10 мА	47 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTA124EQCZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1412D-3	360 мВт	50 В	100 мА	100 нА	ПНП — предварительный смещенный	60 при 5 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ при 500 мкА, 10 мА	22 кОм	22 кОм	Нексперия США Инк.
PDTC144EQCZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	-	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1412D-3	360 мВт	50 В	100 мА	100 нА	NPN — предварительный смещенный	80 при 5 мА, 5 В	230 МГц	100 мВ при 500 мкА, 10 мА	47 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTC114YQC-QZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1412D-3	360 мВт	50 В	100 мА	100 нА	NPN — предварительный смещенный	100 при 5 мА, 5 В	230 МГц	100 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTC123JQB-QZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100 нА	NPN — предварительный смещенный	100 при 10 мА, 5 В	230 МГц	100 мВ при 250 мкА, 5 мА	2,2 кОм	47 кОм	Нексперия США Инк.
PDTA143EQB-QZ	Нексперия США Инк.	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность	3-XDFN Открытая площадка	DFN1110D-3	340 мВт	50 В	100 мА	100 нА	ПНП — предварительный смещенный	30 @ 10 мА, 5 В	180 МГц	100 мВ при 500 мкА, 10 мА	4,7 кОм	4,7 кОм	Нексперия США Инк.

Предварительно смещенные BJT-транзисторы(3991)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии