Предварительно смещенные транзисторы BJT - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании МОНТАНАНГИП Упако Техниль PakeT / KORPUES Смерть ПАКЕТИВАЕТСЯ Синла - МАКС Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Vce saturation (max) @ ib, ic Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) Млн
PUMD48-QX PUMD48-QX Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
PUMH11-QX Pumh11-qx Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
PUMD48-QZ Pumd48-qz Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
PUMD6H-QX Pumd6h-qx Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
PUMB3H-QF PUMB3H-QF Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
PDTC124ET-QVL PDTC124ET-QVL Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
PUMD6H-QF Pumd6h-qf Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
PBRN123ET-QR PBRN123ET-QR Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
PUMB3H-QX PUMB3H-QX Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
PDTD143ET-QR PDTD143ET-QR Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
PDTC114ET-QVL PDTC114ET-QVL Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
PUMH7H-QX Pumh7h-qx Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
PBRP113ZT-QR PBRP113ZT-QR Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
PBRN113ET-QR PBRN113ET-QR Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
PUMH7H-QF Pumh7h-qf Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
PBRN123YT-QR PBRN123YT-QR Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
RN2109MFV(TL3,T) RN2109MFV (TL3, T) Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
SP000010759 SP000010759 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0
PDTA144WT,215 PDTA144WT, 215 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Транзисторы (bjt) - odinokyй, predvaritelgnый SOT-23 (TO-236AB) 250 м 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 60 @ 5ma, 5 В 150 мв 500 мк, 10
DTA143ECA-TP DTA143ECA-TP МИКРОКОМЕРЕСКИЕ КОМПОНЕННТ (MCC)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) /files/6986D929CB06E88A6F1941C425_A.PDF Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Транситер SOT-23 200 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 300 мВ 500 мк, 10
DTC114ECA-TP DTC114ECA-TP МИКРОКОМЕРЕСКИЕ КОМПОНЕННТ (MCC)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) /files/c0ee34148d230b40860399837a_a.pdf Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Транситер SOT-23 200 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 30 @ 5ma, 5в 250 мг 300 мВ 500 мк, 10
DTC114YCA-TP DTC114YCA-TP МИКРОКОМЕРЕСКИЕ КОМПОНЕННТ (MCC)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) /files/6A60031FD385F86CF61F8460A7_A.PDF Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Транситер SOT-23 200 м 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 300 м.
DTA114ECA-TP DTA114ECA-TP МИКРОКОМЕРЕСКИЕ КОМПОНЕННТ (MCC)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) /files/CC90AE20A53451ED44F21DC50B_A.PDF Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Транзисторы (bjt) - odinokyй, predvaritelgnый SOT-23 200 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 30 @ 5ma, 5в 250 мг 300 мВ 500 мк, 10
RN1314,LF RN1314, LF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер SC-70, SOT-323 USM 100 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 300 м. 1 kohms 10 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
TDTA144E,LM TDTA144E, LM Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 320 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 88 @ 5ma, 5V 250 мг 300 мВ 500 мк, 10 47 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
TDTC143Z,LM TDTC143Z, LM Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 320 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 80 @ 10ma, 5в 250 мг 300 мВ 500 мк, 10 4.7 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
TDTC114Y,LM TDTC114Y, LM Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 320 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 79 @ 5ma, 5в 250 мг 300 мВ 500 мк, 10 10 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
TDTA143Z,LM TDTA143Z, LM Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 320 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 80 @ 10ma, 5в 250 мг 300 мВ 500 мк, 10 4.7 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee
TDTA123J,LM TDTA123J, LM Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 320 м 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 80 @ 10ma, 5в 250 мг 300 мВ 500 мк, 10 2.2 Ком Toshiba semiconductor и хraneneee
TDTC143E,LM TDTC143E, LM Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 320 м 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 300 мВ 500 мк, 10 4.7 Kohms Toshiba semiconductor и хraneneee

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.