Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРЧ МОП-транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Коэффициент шума | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность — Выход | Текущий рейтинг (А) | Текущий — Тест | Максимальный сток (Abs) (ID) | Тип транзистора | Напряжение – Тест |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БЛА9Х0912Л-250ГУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 106В | 960 МГц~1215 ГГц | /files/ampleonusainc-bla9h0912l250u-datasheets-7689.pdf | СОТ-502Ф | 13 недель | 22 дБ | 250 Вт | 1,4 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLA9H0912LS-250ГУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 106В | 960 МГц~1215 ГГц | /files/ampleonusainc-bla9h0912l250u-datasheets-7689.pdf | СОТ-502Э | 13 недель | 22 дБ | 250 Вт | 1,4 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8P26080HSR3 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,62 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | НИ-780С-4 | 4 | EAR99 | 8541.29.00.75 | ДА | ПЛОСКИЙ | 260 | МРФ8П26080 | 225°С | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 15 дБ | Не квалифицирован | Р-CDFP-F4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 14 Вт | 300 мА | ЛДМОС (двойной) | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛА9Г1011ЛС-300У | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 1,03–1,09 ГГц | /files/ampleonusainc-bla9g1011l300u-datasheets-7707.pdf | СОТ-502Б | 13 недель | 21,8 дБ | 317 Вт | 4,2 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3475ТЭ12ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 20 В | 520 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | ТО-243АА | 14,9 дБ | СК-62 | 630мВт | 1А | 50 мА | N-канал | 7,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛА9Х0912Л-700У | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 106В | 960 МГц~1215 ГГц | /files/ampleonusainc-bla9h0912ls700u-datasheets-7710.pdf | СОТ-502А | 13 недель | 20 дБ | 700 Вт | 2,8 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLS9G3135LS-115U | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 28В | 3,1 ГГц~3,5 ГГц | /files/ampleonusainc-bls9g3135ls115u-datasheets-7718.pdf | СОТ-1135Б | 13 недель | 11 дБ | 115 Вт | 600 мА | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8HP21130HR5 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,17 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | НИ780-4 | MRF8HP21130 | 14 дБ | 28 Вт | 360 мА | ЛДМОС (двойной) | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ8Г10ЛС-300ПУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 760,5–800,5 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blf8g10ls300pu-datasheets-7720.pdf | СОТ539Б | 13 недель | BLF8G10 | 20,5 дБ | СОТ539Б | 65 Вт | 2А | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RFM01U7P(TE12L,F) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 520 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | 1А | ТО-243АА | неизвестный | ДА | 3 Вт | 150°С | Полевой транзистор общего назначения | 10,8 дБ | 1А | 10 В | Одинокий | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 Вт | 100 мА | 1А | N-канал | 7,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3557-6-ТБ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 1 кГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-2sk35576tbe-datasheets-7679.pdf | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | Без свинца | 3 | 9 недель | 1,437803г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | Олово | 8541.21.00.95 | е6 | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2СК3557 | 3 | Одинокий | 200мВт | 1 | 1 дБ | 50 мА | -15В | УСИЛИТЕЛЬ | 15 В | СОЕДИНЕНИЕ | 1 мА | 0,05А | N-канальный JFET | 5В | |||||||||||||||||||||||
| 2SK4085LS-1E | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-2sk4085ls1e-datasheets-7780.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛА9Х0912Л-700ГУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 106В | 960 МГц~1215 ГГц | /files/ampleonusainc-bla9h0912ls700u-datasheets-7710.pdf | СОТ-502Ф | 13 недель | 20 дБ | 700 Вт | 2,8 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛА8Х0910Л-500У | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 114,5 В | 900–930 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-bla8h0910ls500u-datasheets-7704.pdf | СОТ-502А | 13 недель | 19 дБ | 500 Вт | 2,8 мкА | 90 мА | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛЛ9Г1214ЛС-600У | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 65В | 1,2 ГГц~1,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/ampleonusainc-bll9g1214l600u-datasheets-7713.pdf | СОТ-502Б | 13 недель | 19 дБ | 600 Вт | 5мкА | 400 мА | ЛДМОС | 32В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛА9Х0912Л-250У | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 106В | 960 МГц~1215 ГГц | /files/ampleonusainc-bla9h0912l250u-datasheets-7689.pdf | СОТ-502А | 13 недель | 22 дБ | 250 Вт | 1,4 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛК10Г22ЛС-240ПВТЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | 2,11 ГГц~2,2 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/ampleonusainc-blc10g22ls240pvtz-datasheets-7692.pdf | СОТ1275-3 | 13 недель | 19,7 дБ | 60 Вт | 1,4 мкА | 1,6А | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLA9H0912LS-250U | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 106В | 960 МГц~1215 ГГц | /files/ampleonusainc-bla9h0912l250u-datasheets-7689.pdf | СОТ-502Б | 13 недель | 22 дБ | 250 Вт | 1,4 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S26120HR3 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 2,69 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | СОТ-957А | 2 | 5А991 | 8541.29.00.75 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | MRF8S26120 | 225°С | 40 | 1 | 15,6 дБ | Не квалифицирован | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 28 Вт | 900 мА | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF8G20LS-400PVQ | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | 65В | 1,81 ГГц~1,88 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nxpusainc-blf8g20ls400pvq-datasheets-7647.pdf | СОТ-1242Б | BLF8G20 | 8 | 19 дБ | 95 Вт | 3,4А | ЛДМОС (двойной) | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S21120HSR3 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Непригодный | 65В | 2,17 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nxpusainc-mrf8s21120hsr3-datasheets-7699.pdf | НИ-780С | 2 | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | MRF8S21120 | 225°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17,6 дБ | Не квалифицирован | Р-CDFP-F2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 28 Вт | 850 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ8Г24ЛС-100ВУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 2,3 ГГц~2,4 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/ampleonusainc-blf8g24ls100vu-datasheets-7649.pdf | СОТ-1244Б | 6 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 18 дБ | Р-CDFP-F6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 25 Вт | 900 мА | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC8G27LS-240АВУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | 2,5 ГГц~2,69 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blc8g27ls240avu-datasheets-7701.pdf | СОТ-1252-1 | 8 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | BLC8G27 | НЕ УКАЗАН | 2 | 14 дБ | Р-ПДФП-Ф8 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 56 Вт | 500 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ8Г22ЛС-310АВУ | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nxpusainc-blf8g22ls310avj-datasheets-7617.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLA8H0910LS-500U | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 114,5 В | 900–930 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-bla8h0910ls500u-datasheets-7704.pdf | СОТ-502Б | 13 недель | 19 дБ | 500 Вт | 2,8 мкА | 90 мА | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC8G27LS-245AVJ | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,5 ГГц~2,69 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nxpusainc-blc8g27ls245avj-datasheets-7654.pdf | СОТ-1251-2 | BLC8G27 | 14,5 дБ | 56 Вт | 500 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛА9Г1011Л-300У | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 1,03–1,09 ГГц | /files/ampleonusainc-bla9g1011l300u-datasheets-7707.pdf | СОТ-502А | 13 недель | 21,8 дБ | 317 Вт | 4,2 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLS9G2735LS-50U | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 32В | 2,7 ГГц~3,5 ГГц | /files/ampleonusainc-bls9g2735ls50u-datasheets-7656.pdf | СОТ-1135Б | 13 недель | 12 дБ | 50 Вт | ЛДМОС | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLA9H0912LS-700U | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 106В | 960 МГц~1215 ГГц | /files/ampleonusainc-bla9h0912ls700u-datasheets-7710.pdf | СОТ-502Б | 13 недель | 20 дБ | 700 Вт | 2,8 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LET20045C | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 2 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 12А | М243 | Без свинца | 2 | 3 | EAR99 | Нет | 130 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | ЛЭТ20045 | 2 | Одинокий | 1 | Полномочия общего назначения FET | 13,3 дБ | Р-ПДФМ-Ф2 | 12А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 54 Вт | 500 мА | ЛДМОС | 28В |
