RF Mosfets Transistors - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

RF Mosfets Transistors (4200)

Срэвниваф Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Napraheneee - оинка ЧastoTA Опрегиону Статус Ройс Опуликовано Техниль Это PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН Колист Верна - МАССА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD КОД JESD-609 Спр Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Я Поседл Raboч -yemperatura (mamaks) Коунфигуразия Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Колист Подкейгория Прирост Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 ПАКЕТИВАЕТСЯ Ш Neprrerыwnыйtokdrenaжa (id) Вернека MATERIOLTRANSHOTORA Коунфигура Слюна Прилоэна Пола Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) DS Breakdown Tarstage-Min ТЕГЕЙНОЛОГИЯ ФЕТ Питани - В.О. Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Дренан-ток-ток (abs) (id) Это В конце
BLA9G1011LS-300U BLA9G1011LS-300U Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос 1 (neograniчennnый) 1,03 ~ 1,09 -ggц /files/ampleonusainc-la9g1011l300u-datasheets-7707.pdf SOT-502B 13 21.8db 317 Вт 4,2 мка 100 май LDMOS 32V
2SK3475TE12LF 2SK3475TE12LF Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Веса 1 (neograniчennnый) 20 520 мг ROHS COMPRINT 2007 243а 14.9db SC-62 630 м 1A 50 май N-канал 7,2 В.
BLA9H0912L-700U BLA9H0912L-700U Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 106 960 мг ~ 1 215 гг. /files/ampleonusainc-la9h0912ls700u-datasheets-7710.pdf SOT-502A 13 20 дБ 700 Вт 2,8 мка 100 май LDMOS 50
BLS9G3135LS-115U BLS9G3135LS-115U Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 28 3,1 -е ~ 3,5 -е /files/ampleonusainc bls9g3135ls115u-datasheets-7718.pdf SOT-1135B 13 11 дБ 115 Вт 600 май LDMOS 50
MRF8HP21130HR5 MRF8HP21130HR5 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) 65 2,17 -ggц Rohs3 2011 год NI780-4 MRF8HP21130 14 дБ 28 wt 360 май LDMOS (DVOйNOй) 28
BLF8G10LS-300PU BLF8G10LS-300PU Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос 1 (neograniчennnый) 65 760,5 мг ~ 800,5 мг. Rohs3 2011 год /files/ampleonusainc blf8g10ls300pu-datasheets-7720.pdf SOT539B 13 BLF8G10 20,5db SOT539B 65 Вт 2A Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik 28
RFM01U7P(TE12L,F) RFM01U7P (TE12L, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Веса 1 (neograniчennnый) 520 мг Rershym uluheEnjaina ROHS COMPRINT 2009 1A 243а НЕИ В дар 3W 150 ° С Скандал 10,8 ДБ 1A 10 В Одинокий 20 МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК 1,2 Вт 100 май 1A N-канал 7,2 В.
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 150 ° С -55 ° С 1 кг Rershymicehenipe Rohs3 2007 /files/onsemoronductor-2sk35576tbe-datasheets-7679.pdf 50 май Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2,9 мм 1,1 мм 1,5 мм СОУДНО ПРИОН 3 9 nedely 1.437803G 3 Активна (Постенни в в дар Ear99 Унихкин Оло 8541.21.00.95 E6 В дар 200 м Дон Крхлоп 2SK3557 3 Одинокий 200 м 1 1 дБ 50 май -15V Исилитель 15 Перегретель 1MA 0,05а N-kanol jfet 5в
2SK4085LS-1E 2SK4085LS-1E Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-2sk4085ls1e-datasheets-7780.pdf
BLA9H0912L-700GU BLA9H0912L-700GU Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 106 960 мг ~ 1 215 гг. /files/ampleonusainc-la9h0912ls700u-datasheets-7710.pdf SOT-502F 13 20 дБ 700 Вт 2,8 мка 100 май LDMOS 50
BLA8H0910L-500U BLA8H0910L-500U Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос 1 (neograniчennnый) 114,5. 900 мг ~ 930 мгест Rohs3 2011 год /files/ampleonusainc-la8h0910ls500u-datasheets-7704.pdf SOT-502A 13 19db 500 Вт 2,8 мка 90 май LDMOS 50
BLL9G1214LS-600U BLL9G1214LS-600U Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 65 1,2 Гер Rohs3 /files/ampleonusainc bll9g1214l600u-datasheets-7713.pdf SOT-502B 13 19db 600 Вт 5 Мка 400 май LDMOS 32V
BLF8G24LS-150GVQ BLF8G24LS-150GVQ Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Трубка 1 (neograniчennnый) 65 2,3 Гер Rershym uluheEnjaina Rohs3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blf8g24ls150vu-datasheets-7640.pdf SOT-1244C 6 13 Ear99 НЕИ IEC-60134 В дар Дон Крхлоп Nukahan Nukahan 1 19db R-CDSO-G6 Кремни Одинокий Истошик Исилитель N-канал 65 МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК 45 Вт 1.3a LDMOS 28
BLC10G20LS-240PWTZ BLC10G20LS-240PWTZ Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос 3 (168 чASOW) 65 1 805 ~ 1 995 гг. Rohs3 /files/ampleonusainc blc10g20ls240pwtz-datasheets-7742.pdf SOT1275-3 13 19.3db 60 1,4 мка 1.6a LDMOS 28
2SK3756(TE12L,F) 2SK3756 (TE12L, F) Toshiba semiconductor и хraneneee $ 5,47
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Веса 1 (neograniчennnый) 470 мг Rershym uluheEnjaina ROHS COMPRINT 2009 1A 243а 4 neDe Ear99 НЕИ В дар 3W 150 ° С Фебур 12 дБ 1A 3В Одинокий 7,5 В. МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК 32dbm 200 май 1A N-канал 4,5 В.
MRF8S26120HR3 MRF8S26120HR3 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 65 2,69 -е Rershym uluheEnjaina Rohs3 2010 ГОД SOT-957A 2 5A991 8541.29.00.75 В дар Дон Плоски 260 MRF8S26120 225 ° С 40 1 15,6db Н.Квалиирована R-CDFM-F2 Кремни Одинокий Истошик Исилитель N-канал 65 МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК 28 wt 900 май LDMOS 28
BLF8G20LS-400PVQ BLF8G20LS-400PVQ Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Трубка 1 (neograniчennnый) 65 1,81 ~ 1,88 гг. Rohs3 2010 ГОД /files/nxpusainc blf8g20ls400pvq-datasheets-7647.pdf SOT-1242B BLF8G20 8 19db 95 Вт 3.4a LDMOS (DVOйNOй) 28
MRF8S21120HSR3 MRF8S21120HSR3 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Lenta и катахка (tr) Neprigodnnый 65 2,17 -ggц Rershym uluheEnjaina Rohs3 2010 ГОД /files/nxpusainc-mrf8s21120hsr3-datasheets-7699.pdf Ni-780S 2 10 nedely Ear99 8541.29.00.75 В дар Дон Плоски 260 MRF8S21120 225 ° С 40 1 Скандал 17,6db Н.Квалиирована R-CDFP-F2 Кремни Одинокий Истошик Исилитель N-канал 65 МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК 28 wt 850 май LDMOS 28
BLF8G24LS-100VU BLF8G24LS-100VU Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос 1 (neograniчennnый) 65 2,3 Гер Rershym uluheEnjaina Rohs3 2014 /files/ampleonusainc blf8g24ls100vu-datasheets-7649.pdf SOT-1244B 6 13 Ear99 НЕИ IEC-60134 В дар Дон Плоски Nukahan Nukahan 1 18 дБ R-CDFP-F6 Кремни Одинокий Истошик Исилитель N-канал 65 МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК 25 Вт 900 май LDMOS 28
BLC8G27LS-240AVU BLC8G27LS-240AVU Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос 3 (168 чASOW) 65 2,5 -ggц ~ 2,69 ggц Rershym uluheEnjaina Rohs3 2011 год /files/ampleonusainc blc8g27ls240avu-datasheets-7701.pdf SOT-1252-1 8 13 Ear99 НЕИ IEC-60134 В дар Плоски Nukahan BLC8G27 Nukahan 2 14 дБ R-PDFP-F8 Кремни Обжиг, 2 Исилитель N-канал 65 МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК 56 Вт 500 май Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik 28
BLF8G22LS-310AVU BLF8G22LS-310AVU Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2011 год /files/nxpusainc blf8g22ls310avj-datasheets-7617.pdf
BLA8H0910LS-500U BLA8H0910LS-500U Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос 1 (neograniчennnый) 114,5. 900 мг ~ 930 мгест Rohs3 2011 год /files/ampleonusainc-la8h0910ls500u-datasheets-7704.pdf SOT-502B 13 19db 500 Вт 2,8 мка 90 май LDMOS 50
BLC8G27LS-245AVJ BLC8G27LS-245AVJ Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) 65 2,5 -ggц ~ 2,69 ggц Rohs3 2011 год /files/nxpusainc blc8g27ls245avj-datasheets-7654.pdf SOT-1251-2 BLC8G27 14.5db 56 Вт 500 май Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik 28
BLA9G1011L-300U BLA9G1011L-300U Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос 1 (neograniчennnый) 1,03 ~ 1,09 -ggц /files/ampleonusainc-la9g1011l300u-datasheets-7707.pdf SOT-502A 13 21.8db 317 Вт 4,2 мка 100 май LDMOS 32V
BLS9G2735LS-50U BLS9G2735LS-50U Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос 1 (neograniчennnый) 32V 2,7 Гер /files/ampleonusainc bls9g2735ls50u-datasheets-7656.pdf SOT-1135B 13 12 дБ 50 st LDMOS
BLA9H0912LS-700U BLA9H0912LS-700U Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 106 960 мг ~ 1 215 гг. /files/ampleonusainc-la9h0912ls700u-datasheets-7710.pdf SOT-502B 13 20 дБ 700 Вт 2,8 мка 100 май LDMOS 50
LET20045C Let20045c Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Винт МАССА 1 (neograniчennnый) 150 ° С -65 ° С 2 гер Rershym uluheEnjaina Rohs3 12A M243 СОУДНО ПРИОН 2 3 Ear99 Не 130 Вт Дон Плоски Let20045 2 Одинокий 1 Фебур 13.3db R-PDFM-F2 12A 15 Истошик Исилитель N-канал 80 МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК 54W 500 май LDMOS 28
BLL9G1214L-600U BLL9G1214L-600U Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос 1 (neograniчennnый) 65 1,2 Гер Rohs3 /files/ampleonusainc bll9g1214l600u-datasheets-7713.pdf SOT-502A 13 19db 600 Вт 5 Мка 400 май LDMOS 32V
BLC8G27LS-180AVZ BLC8G27LS-180AVZ Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос 3 (168 чASOW) 65 2,5 -ggц ~ 2,69 ggц Rershym uluheEnjaina Rohs3 2011 год /files/ampleonusainc blc8g27ls180avz-datasheets-7665.pdf SOT1275-3 6 13 Ear99 НЕИ IEC-60134 В дар Квадран НЕВЕКАНА Nukahan Nukahan 2 14 дБ R-PQFP-X6 Кремни Обжиг, 2 Исилитель N-канал 65 МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК 28 wt 200 май Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik 28
BLC9G20LS-160PVZ BLC9G20LS-160PVZ Ampleon USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос 3 (168 чASOW) 65 1805 ~ 2 ggц /files/ampleonusainc blc9g20ls160pvz-datasheets-7668.pdf SOT1275-1 13 20 дБ 38 Вт 1,4 мка 860 май LDMOS 28
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)