Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактRF MOSFET транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Коэффициент шума | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Максимальная выходная мощность | Мощность — Выход | Текущий рейтинг (А) | Текущий — Тест | Максимальный сток (Abs) (ID) | Напряжение проба стока к источнику | Тип транзистора | Напряжение – Тест |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БЛФ8Г10ЛС-300ПУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 760,5–800,5 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blf8g10ls300pu-datasheets-7720.pdf | СОТ539Б | 13 недель | BLF8G10 | 20,5 дБ | СОТ539Б | 65 Вт | 2А | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RFM01U7P(TE12L,F) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 520 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | 1А | ТО-243АА | неизвестный | ДА | 3 Вт | 150°С | Полевой транзистор общего назначения | 10,8 дБ | 1А | 10 В | Одинокий | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 Вт | 100 мА | 1А | N-канал | 7,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3557-6-ТБ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 1 кГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-2sk35576tbe-datasheets-7679.pdf | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | Без свинца | 3 | 9 недель | 1,437803г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | Олово | 8541.21.00.95 | е6 | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2СК3557 | 3 | Одинокий | 200мВт | 1 | 1 дБ | 50 мА | -15В | УСИЛИТЕЛЬ | 15 В | СОЕДИНЕНИЕ | 1 мА | 0,05А | N-канальный JFET | 5В | ||||||||||||||||||||||||||
| 2SK4085LS-1E | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-2sk4085ls1e-datasheets-7780.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛА9Х0912Л-700ГУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 106В | 960 МГц~1215 ГГц | /files/ampleonusainc-bla9h0912ls700u-datasheets-7710.pdf | СОТ-502Ф | 13 недель | 20 дБ | 700 Вт | 2,8 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛА8Х0910Л-500У | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 114,5 В | 900–930 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-bla8h0910ls500u-datasheets-7704.pdf | СОТ-502А | 13 недель | 19 дБ | 500 Вт | 2,8 мкА | 90 мА | ЛДМОС | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛЛ9Г1214ЛС-600У | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 65В | 1,2 ГГц~1,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/ampleonusainc-bll9g1214l600u-datasheets-7713.pdf | СОТ-502Б | 13 недель | 19 дБ | 600 Вт | 5мкА | 400 мА | ЛДМОС | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ8Г24ЛС-150ГВК | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | 65В | 2,3 ГГц~2,4 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blf8g24ls150vu-datasheets-7640.pdf | СОТ-1244С | 6 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 19 дБ | Р-CDSO-G6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 45 Вт | 1,3А | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC10G20LS-240PWTZ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | 1805–1995 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/ampleonusainc-blc10g20ls240pwtz-datasheets-7742.pdf | СОТ1275-3 | 13 недель | 19,3 дБ | 60 Вт | 1,4 мкА | 1,6 А | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3756(ТЭ12Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | $5,47 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 470 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | 1А | ТО-243АА | 4 недели | EAR99 | неизвестный | ДА | 3 Вт | 150°С | Полномочия общего назначения FET | 12 дБ | 1А | 3В | Одинокий | 7,5 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 32 дБм | 200 мА | 1А | N-канал | 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ8Г38ЛС-75ВУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 3,4 ГГц~3,6 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blf8g38ls75vu-datasheets-7748.pdf | СОТ-1239Б | 6 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | КВАД | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 15,5 дБ | Р-CQFP-X6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 Вт | 600 мА | ЛДМОС | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CE3514M4 | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Полоска | 1 (без блокировки) | 4В | 12 ГГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 15 мА | 4-SMD, плоские выводы | 4 | 7 недель | да | ДА | ДВОЙНОЙ | 125°С | -55°С | 1 | 12,2 дБ | Р-ПДСО-Ф4 | 0,62 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 3В | СОЕДИНЕНИЕ | 125 МВт | 10 мА | 0,015А | ФЭМТ ФТ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD20010TR-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 150°С | -65°С | 2 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd20010tre-datasheets-7729.pdf | 5А | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) | 2 | 25 недель | 3 | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 59 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | ПД20010 | 10 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 59 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 11 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г2 | 5А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 15 Вт | 10 Вт | 150 мА | 5А | 40В | ЛДМОС | 13,6 В | |||||||||||||||||||||||||||
| БЛА9Х0912Л-250ГУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 106В | 960 МГц~1215 ГГц | /files/ampleonusainc-bla9h0912l250u-datasheets-7689.pdf | СОТ-502Ф | 13 недель | 22 дБ | 250 Вт | 1,4 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLA9H0912LS-250ГУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 106В | 960 МГц~1215 ГГц | /files/ampleonusainc-bla9h0912l250u-datasheets-7689.pdf | СОТ-502Э | 13 недель | 22 дБ | 250 Вт | 1,4 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLS9G2735LS-50U | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 32В | 2,7 ГГц~3,5 ГГц | /files/ampleonusainc-bls9g2735ls50u-datasheets-7656.pdf | СОТ-1135Б | 13 недель | 12 дБ | 50 Вт | ЛДМОС | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLA9H0912LS-700U | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 106В | 960 МГц~1215 ГГц | /files/ampleonusainc-bla9h0912ls700u-datasheets-7710.pdf | СОТ-502Б | 13 недель | 20 дБ | 700 Вт | 2,8 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LET20045C | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 2 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 12А | М243 | Без свинца | 2 | 3 | EAR99 | Нет | 130 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | ЛЭТ20045 | 2 | Одинокий | 1 | Полномочия общего назначения FET | 13,3 дБ | Р-ПДФМ-Ф2 | 12А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 54 Вт | 500 мА | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛЛ9Г1214Л-600У | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 1,2 ГГц~1,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/ampleonusainc-bll9g1214l600u-datasheets-7713.pdf | СОТ-502А | 13 недель | 19 дБ | 600 Вт | 5мкА | 400 мА | ЛДМОС | 32В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC8G27LS-180AVZ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | 2,5 ГГц~2,69 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blc8g27ls180avz-datasheets-7665.pdf | СОТ1275-3 | 6 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | КВАД | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 14 дБ | Р-PQFP-X6 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 28 Вт | 200 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC9G20LS-160ПВЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | 1805–2 ГГц | /files/ampleonusainc-blc9g20ls160pvz-datasheets-7668.pdf | СОТ1275-1 | 13 недель | 20 дБ | 38 Вт | 1,4 мкА | 860 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC9G10XS-120AZ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | 920 МГц~960 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/ampleonusainc-blc9g10xs120az-datasheets-7672.pdf | СОТ1273-1 | 13 недель | 21 дБ | 120 Вт | 1,4 мкА | 120 мА | ЛДМОС (двойной) | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛС9Г2735Л-50У | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 32В | 2,7 ГГц~3,5 ГГц | /files/ampleonusainc-bls9g2735ls50u-datasheets-7656.pdf | СОТ-1135А | 13 недель | 12 дБ | 50 Вт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLS9G2934L-400U | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 2,9 ГГц~3,4 ГГц | /files/ampleonusainc-bls9g2934l400u-datasheets-7682.pdf | СОТ-502А | 13 недель | 12 дБ | 400 Вт | 4мкА | 400 мА | ЛДМОС | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF8G27LS-140,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 2,62 ГГц~2,69 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blf8g27ls140112-datasheets-7686.pdf | СОТ-502Б | 2 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | BLF8G27 | НЕ УКАЗАН | 1 | 17,4 дБ | Р-CDFP-F2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 45 Вт | 1,3А | ЛДМОС | 32В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛА9Х0912Л-250У | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 106В | 960 МГц~1215 ГГц | /files/ampleonusainc-bla9h0912l250u-datasheets-7689.pdf | СОТ-502А | 13 недель | 22 дБ | 250 Вт | 1,4 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛК10Г22ЛС-240ПВТЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | 2,11 ГГц~2,2 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/ampleonusainc-blc10g22ls240pvtz-datasheets-7692.pdf | СОТ1275-3 | 13 недель | 19,7 дБ | 60 Вт | 1,4 мкА | 1,6 А | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLA9H0912LS-250U | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 106В | 960 МГц~1215 ГГц | /files/ampleonusainc-bla9h0912l250u-datasheets-7689.pdf | СОТ-502Б | 13 недель | 22 дБ | 250 Вт | 1,4 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S26120HR3 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 2,69 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | СОТ-957А | 2 | 5А991 | 8541.29.00.75 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | MRF8S26120 | 225°С | 40 | 1 | 15,6 дБ | Не квалифицирован | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 28 Вт | 900 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF8G20LS-400PVQ | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | 65В | 1,81 ГГц~1,88 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nxpusainc-blf8g20ls400pvq-datasheets-7647.pdf | СОТ-1242Б | BLF8G20 | 8 | 19 дБ | 95 Вт | 3,4А | ЛДМОС (двойной) | 28В |
