Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактRF MOSFET транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Максимальная выходная мощность | Мощность — Выход | Текущий рейтинг (А) | Минимальное напряжение проба | Текущий — Тест | Максимальный сток (Abs) (ID) | Напряжение проба стока к источнику | Тип транзистора | Напряжение – Тест |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БЛФ6Г38С-25,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 3,4 ГГц~3,6 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/ampleonusainc-blf6g3825112-datasheets-7171.pdf | СОТ-608Б | 2 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | БЛФ6Г38 | НЕ УКАЗАН | 1 | 15 дБ | S-CDFP-F2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,5 Вт | 8,2А | 225 мА | 8,2А | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ8Г10ЛС-270ГВДЖ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 871,5–891,5 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blf8g10ls270gv12-datasheets-7992.pdf | СОТ-1244С | 6 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BLF8G10 | НЕ УКАЗАН | 1 | 19,5 дБ | Р-CDSO-G6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 67 Вт | 2А | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ175ЛУ | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Поднос | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | 400 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/macomtechnologysolutions-mrf175lu-datasheets-8243.pdf | 13А | 333-04 | Без свинца | 4 | 14 недель | 4 | да | EAR99 | Нет | 270 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 4 | Одинокий | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 10 дБ | 13А | 40В | УСИЛИТЕЛЬ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 100 Вт | 100 мА | N-канал | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| STAC3933 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Поднос | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | 20А | СТАК177Б | 32 недели | 5 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 795 Вт | СТАК393 | 795 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 29 дБ | 20А | 20 В | Одинокий | 250В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350 Вт | 250 мА | 250В | N-канал | 100В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLP05H6250XRGY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 135 В | 108 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blp05h6250xrgy-datasheets-8216.pdf | СОТ-1224-2 | 13 недель | 27 дБ | 250 Вт | 100 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC9G20LS-150ПВЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | Соответствует ROHS3 | СОТ1275-3 | 13 недель | 150 Вт | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF8G10LS-160,118 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 920 МГц~960 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blf8g10ls160118-datasheets-8249.pdf | СОТ-502Б | 2 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | BLF8G10 | НЕ УКАЗАН | 1 | 19,7 дБ | Р-CDFP-F2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 35 Вт | 1,1А | ЛДМОС | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC8G27LS-240AVJ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,5 ГГц~2,69 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blc8g27ls240avu-datasheets-7701.pdf | СОТ-1252-1 | 8 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | BLC8G27 | НЕ УКАЗАН | 2 | 14 дБ | Р-ПДФП-Ф8 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 56 Вт | 500 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLP05H6110XRY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 135 В | 108 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blp05h6110xrgy-datasheets-8087.pdf | СОТ-1223-2 | 13 недель | 27 дБ | 4-HSOPF | 110 Вт | 20 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АРФ466БГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 1000В | 40,68 МГц | Соответствует RoHS | 1998 год | 13А | ТО-264-3, ТО-264АА | 24 недели | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | Нет | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 16 дБ | 13А | Одинокий | 357 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150 Вт | N-канал | 150 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLM9D2327S-50PBGY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 13 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD57030-01 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | 945 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sd5703001-datasheets-8296.pdf | 65В | 4А | М250 | Без свинца | 2 | 32 недели | 250 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | 74 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | SD57030 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 74 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДФП-Ф2 | 58пФ | 4А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 Вт | 65В | 50 мА | 4А | 65В | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||
| BLP05H6250XRY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 135 В | 108 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blp05h6250xrgy-datasheets-8216.pdf | СОТ-1223-2 | 13 недель | 27 дБ | 4-HSOPF | 250 Вт | 100 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFE6VP5150NR1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 133В | 230 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | ТО-270АБ | 4 | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.40 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ПЛОСКИЙ | 260 | MRFE6VP5150 | 40 | 2 | 26,1 дБ | Р-ПДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 133В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150 Вт | 100 мА | ЛДМОС (двойной) | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ9Г38ЛС-90ПДж | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 3,4 ГГц~3,6 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blf9g38ls90pj-datasheets-8318.pdf | СОТ-1121Б | 13 недель | 15 дБ | ЛДМОСТ | 20 Вт | 600 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММРФ1019НР4 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 100В | 1,09 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ПЛД-1,5 | 4 | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 40 | 25 дБ | Р-PQSO-N4 | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10 Вт | 10 мА | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC8G27LS-140AVZ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | 2,5 ГГц~2,69 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blc8g27ls140avy-datasheets-8308.pdf | СОТ1275-1 | 13 недель | 14,5 дБ | ДФМ6 | 28 Вт | 320 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC8G27LS-140AVY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,5 ГГц~2,69 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blc8g27ls140avy-datasheets-8308.pdf | СОТ1275-1 | 13 недель | 14,5 дБ | ДФМ6 | 28 Вт | 320 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLP8G05S-200GY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 440 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blp8g05s200gy-datasheets-8101.pdf | СОТ-1204-2 | 13 недель | 21 дБ | 4-ХСОП | 210 Вт | 2мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF8G27LS-140,118 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 2,62 ГГц~2,69 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blf8g27ls140112-datasheets-7686.pdf | СОТ-502Б | 2 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | BLF8G27 | НЕ УКАЗАН | 1 | 17,4 дБ | Р-CDFP-F2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 45 Вт | 1,3А | ЛДМОС | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛМ8Д1822С-50ПБИ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 1,805–2,17 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | /files/ampleonusainc-blm8d1822s50pby-datasheets-8095.pdf | СОТ-1211-3 | 13 недель | 26 дБ | 16-ХСОПФ | 5 Вт | 1,4 мкА | 104 мА | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛМ7Г22С-60ПБИ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,14 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blm7g22s60pby-datasheets-8122.pdf | СОТ-1211-2 | 13 недель | 31,5 дБ | 16-ХСОПФ | 1,6 Вт | 75 мА | ЛДМОС (двойной) | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC9G21LS-60AVY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 1805 ГГц~2,2 ГГц | /files/ampleonusainc-blc9g21ls60avy-datasheets-8129.pdf | СОТ-1275-1 | 13 недель | 17,5 дБ | 60 Вт | 1,4 мкА | 100 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLP05H6350XRGY | Амплеон США Инк. | $59,71 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 135 В | 108 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blp05h6350xrgy-datasheets-8134.pdf | СОТ-1224-2 | 13 недель | 27 дБ | 350 Вт | 100 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLP05H6350XRY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 135 В | 108 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blp05h6350xrgy-datasheets-8134.pdf | СОТ-1223-2 | 13 недель | 27 дБ | 4-HSOPF | 350 Вт | 100 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLP05H6150XRGY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 135 В | 108 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blp05h6150xrgy-datasheets-8080.pdf | СОТ-1224-2 | 13 недель | 27 дБ | 150 Вт | 100 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛМ7Г1822С-80АБИ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,17 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blm7g1822s80aby-datasheets-8037.pdf | СОТ-1211-2 | 13 недель | 31 дБ | 16-ХСОПФ | 4 Вт | 40 мА | ЛДМОС (двойной) | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFE6VP5300GNR1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 133В | 230 МГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ТО-270ББ | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.40 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | MRFE6VP5300 | 40 | 27 дБ | 300 Вт | 100 мА | ЛДМОС (двойной) | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD20015C | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Масса | Непригодный | 200°С | -65°С | 2 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-pd20015c-datasheets-8180.pdf | 7А | М243 | 2 | 243 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 93 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ПД20015 | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 93 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 11 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДФМ-Ф2 | 7А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 23 Вт | 15 Вт | 350 мА | 7А | 40В | ЛДМОС | 13,6 В | |||||||||||||||||||||||||
| MRFX035HR5 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Непригодный | 179В | 1,8–512 МГц | Соответствует ROHS3 | НИ-360Х-2СБ | 10 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 24,8 дБ | 35 Вт | 10 мкА | 15 мА | ЛДМОС | 65В |
