Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРЧ МОП-транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Строительство | Тип ВЧ/СВЧ-устройства | Входная мощность-Макс. (ПК) | Характеристический импеданс | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Коэффициент шума | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Прирост активности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Максимальная выходная мощность | Напряжение проба | Мощность — Выход | Самый высокий частотный диапазон | Текущий рейтинг (А) | Код JEDEC-95 | Минимальное напряжение проба | Частота перехода | Текущий — Тест | Максимальный сток (Abs) (ID) | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип транзистора | Напряжение – Тест |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXZR18N50A-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без блокировки) | 500В | 65 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/ixysrf-ixzr18n50a00-datasheets-9109.pdf | ТО-247-3 | 10 недель | 23 дБ | 350 Вт | 19А | N-канал | 100 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD85035A-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 3 (168 часов) | 40В | 870 МГц | Соответствует ROHS3 | 8А | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) | 52 недели | PD85035 | 15 дБ ~ 17 дБ | 35 Вт | 350 мА | ЛДМОС | 13,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD55035S-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 500 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 40В | 7А | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | Без свинца | 2 | 52 недели | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | 95 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 225 | PD55035 | 10 | Одинокий | 95 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф2 | 7А | 20 В | 16,9 дБ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 35 Вт | 200 мА | 7А | 40В | ЛДМОС | 12,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТФ-501П8-БЛК | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 2 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | 4,5 В | 1А | 8-WFDFN Открытая площадка | Без свинца | 8 | 6 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | Олово | Нет | 280 мА | е3 | 3,5 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,5 Вт | 1 | Малый сигнал ФТ РФ | 15 дБ | 1 дБ | 1А | 800мВ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 4,5 В | 7В | ВЫСОКАЯ ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ | 29 дБм | МО-229 | 1А | Э-pHEMT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZR08N120A-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без блокировки) | 1200В | 65 МГц | /files/ixysrf-ixzr08n120a00-datasheets-9119.pdf | ТО-247-3 | 10 недель | 23 дБ | ПЛЮС247™-3 | 250 Вт | 8А | N-канал | 100 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 934960263517 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 8 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АРФ461БГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 1000В | 65 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/microsemicorporation-arf461ag-datasheets-8827.pdf | 6,5 А | ТО-247-3 | Содержит свинец | 3 | 25 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 250 Вт | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 дБ | Р-ПСФМ-Т3 | 6,5 А | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150 Вт | 25 мкА | ТО-247АД | 1кВ | N-канал | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD54008-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 500 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd54008e-datasheets-9060.pdf | 25 В | 5А | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | 7,5 мм | 3,5 мм | 9,4 мм | Без свинца | 2 | 25 недель | 4 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 73 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | PD54008 | 10 | Одинокий | 73 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 11,5 дБ | Р-ПДСО-Г2 | 91пФ | 5А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8 Вт | 150 мА | 5А | 25 В | ЛДМОС | 7,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD54008TR-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 500 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd54008e-datasheets-9060.pdf | 5А | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) | 2 | 25 недель | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 73 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 250 | PD54008 | 10 | Одинокий | 30 | 73 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 11,5 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г2 | 5А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8 Вт | 150 мА | 5А | 25 В | ЛДМОС | 7,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD85006TR-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 150°С | -65°С | 870 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd85006tre-datasheets-9046.pdf | 2А | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) | 2 | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 36,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 250 | PD85006 | 10 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 36,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17 дБ | Р-ПДСО-Г2 | 2А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5 Вт | 200 мА | 2А | 40В | ЛДМОС | 13,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD85006-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 870 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd85006tre-datasheets-9046.pdf | 2А | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | 2 | 11 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 36,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 250 | PD85006 | 10 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 36,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г2 | 2А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6 Вт | 200 мА | 2А | 40В | ЛДМОС | 13,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК209-БЛ(ТЭ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | 1 кГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 52 недели | 7,994566мг | 3 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1 | 1 дБ | 14 мА | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | 500 мкА | N-канальный JFET | 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛП10Х603З | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 104В | 860 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 12-ВДФН Открытая площадка | 12 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 22,8 дБ | Р-ПДСО-Н12 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 104В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 Вт | МО-229 | 15 мА | ЛДМОС | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD85015TR-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 870 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd85015stre-datasheets-6993.pdf | 5А | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) | 2 | 25 недель | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 59 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | PD85015 | 10 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 59 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 16 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г2 | 5А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 Вт | 15 Вт | 150 мА | 5А | 40В | ЛДМОС | 13,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD55015STR-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 500 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd55015stre-datasheets-9025.pdf | 5А | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | Без свинца | 2 | 25 недель | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 73 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 250 | PD55015 | 10 | Одинокий | 30 | 73 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 14 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф2 | 5А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 15 Вт | 40В | 150 мА | 7А | 40В | ЛДМОС | 12,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXЖ10Н50Л2А | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без блокировки) | 500В | 70 МГц | /files/ixysrf-ixzh10n50l2a-datasheets-9029.pdf | ТО-247-3 | 10 недель | 17 дБ | ТО-247 (IXFH) | 200 Вт | 10А | N-канал | 100 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ556А,215 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 30 В | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/nxpusainc-bf556c215-datasheets-6143.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 8 недель | 8541.21.00.75 | е3 | ИНН | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БФ556 | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,25 Вт | 30 В | СОЕДИНЕНИЕ | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 7мА | ТО-236АБ | N-канальный JFET | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXЖ10Н50Л2Б | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без блокировки) | 500В | 70 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/ixysrf-ixzh10n50l2a-datasheets-9029.pdf | ТО-247-3 | 10 недель | 17 дБ | ТО-247 (IXFH) | 200 Вт | 10А | N-канал | 100 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LET9045TR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 80В | 960 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-let9045tr-datasheets-7074.pdf | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) | 2 | 52 недели | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 79 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 250 | LET9045 | 10 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 18,5 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г2 | 5А | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 59 Вт | 45 Вт | 1 мкА | 300 мА | 9А | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ6ВП41ХР7 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 110 В | 450 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-mrf6vp41khr7-datasheets-9038.pdf | НИ-1230 | 20 дБ | НИ-1230 | 1000 Вт | 150 мА | ЛДМОС (двойной) | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ879П,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 104В | 860 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/ampleonusainc-blf879p112-datasheets-8962.pdf | СОТ539А | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 21 дБ | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 104В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 200 Вт | 1,3А | LDMOS (двойной), общий источник | 42В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛП10Х605З | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 104В | 860 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 12-ВДФН Открытая площадка | 13 недель | 22,4 дБ | 12-ХВСОН (6х5) | 5 Вт | 30 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ4416А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 400 МГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbf4416a-datasheets-8892.pdf | 35В | 10 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,04 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБФ4416А | Одинокий | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | 4 дБ | 15 мА | -35В | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | -35В | 5мА | 0,8 пФ | N-канальный JFET | 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF999E6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 45 МГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-bf999e6327htsa1-datasheets-9051.pdf | 20 В | 30 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 6 недель | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Не содержит галогенов | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | 1 | 27 дБ | 2,1 дБ | 30 мА | 12 В | ОДИНОКИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10 мА | N-канал | 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD54003-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 500 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd54003e-datasheets-8996.pdf | 25 В | 4А | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | Без свинца | 2 | 25 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 52,8 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | PD54003 | 10 | Одинокий | 52,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 4А | 20 В | 12 дБ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3 Вт | 50 мА | 4А | 25 В | ЛДМОС | 7,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF886H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | СОТ-343 | 4 | 6 недель | НИЗКИЙ ШУМ | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,025А | 4В | ФУНТ | 45000 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD2955-001 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-ntd2955001-datasheets-9002.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛП7Г22-05З | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,14 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blp7g2205z-datasheets-9003.pdf | 12-ВДФН Открытая площадка | 12 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | БЛП7Г22 | НЕ УКАЗАН | 1 | 16 дБ | Р-ПДСО-Н12 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 Вт | МО-229 | 55 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SKY65050-372LF | Скайворкс Солюшнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 6В | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/skyworkssolutionsinc-sky65050372lfevb-datasheets-7157.pdf | 55 мА | СК-82А, СОТ-343 | 10 недель | да | е3 | Олово (Вс) | КОМПОНЕНТ | ШИРОКОПОЛОСНАЯ СРЕДНЯЯ МОЩНОСТЬ | 10 дБм | 50Ом | 15,5 дБ | 0,4 дБ | 10,5 дБм | 20 мА | ФЭМТ ФТ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ556А,235 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 30 В | Соответствует ROHS3 | /files/nxpusainc-bf556c215-datasheets-6143.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 8 недель | е3 | Олово (Вс) | ДА | БФ556 | 3 | 150°С | Другие транзисторы | 2013-06-14 00:00:00 | 0,25 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 7мА | N-канальный JFET |
