Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРЧ МОП-транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Технология | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Строительство | Тип ВЧ/СВЧ-устройства | Входная мощность-Макс. (ПК) | Характеристический импеданс | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | КСВ-Макс | Подкатегория | Источники питания | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Коэффициент шума | Особенности монтажа | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Максимальная выходная мощность | Мощность — Выход | Текущий рейтинг (А) | Текущий — Тест | Максимальный сток (Abs) (ID) | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Выключить Тайм-Макс (toff) | Рассеиваемая мощность, окружающая среда-Макс. | Тип транзистора | Напряжение – Тест |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CGHV1F025S | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ган | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 100 В | 0 Гц~15 ГГц | Соответствует RoHS | 2А | 12-ВФДФН Открытая площадка | 8 недель | 11,6 дБм | 12-ДФН (4х3) | 29 Вт | 2А | 150 мА | ХЕМТ | 40В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МВТ-А973 | Микроволновая техника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 5В | 500 МГц~18 ГГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2010 год | 120 мА | Нестандартный SMD | 6 недель | да | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | е4 | Золото (Ау) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 6,5 дБ | Не квалифицирован | 1,8 дБ | АРСЕНИД ГАЛЛИЯ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК | 24,5 дБм | 30 мА | 0,1 пФ | МЕСФЕТ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МВТ-773 | Микроволновая техника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 5В | 500 МГц~26 ГГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2010 год | 98 мА | Нестандартный SMD | 4 | 6 недель | да | неизвестный | е4 | Золото (Ау) | ДА | НЕУКАЗАНО | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 8 дБ | Не квалифицирован | X-CXMW-F4 | 12 дБ | АРСЕНИД ГАЛЛИЯ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК | 20 дБм | 10 мА | МЕСФЕТ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ640У | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 2,11 ГГц~2,17 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blf640u-datasheets-9772.pdf | СОТ-538А | 13 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 18,5 дБ | 700мВт | 100 мА | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| А2И25Д025НР1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,69 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nxpusainc-afic10275nr1-datasheets-8471.pdf | Вариант ТО-270-17, плоские выводы | 10 недель | EAR99 | 8542.33.00.01 | е3 | Олово (Вс) | 260 | 40 | 31,9 дБ | 3,2 Вт | 59 мА | ЛДМОС (двойной) | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| А2И25Д025ГНР1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,69 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nxpusainc-afic10275nr1-datasheets-8471.pdf | Вариант ТО-270-17, крыло чайки | 10 недель | EAR99 | 8542.33.00.01 | е3 | Олово (Вс) | 260 | 40 | 31,9 дБ | 3,2 Вт | 59 мА | ЛДМОС (двойной) | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LET9060TR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 80В | 960 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-let9060tr-datasheets-7244.pdf | 12А | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) | 2 | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | ЛЭТ9060 | 10 | НЕ УКАЗАН | 1 | 17,2 дБ | Р-ПДСО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 60 Вт | 300 мА | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛМ10Д3438-35АБЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | /files/ampleonusainc-blm10d343835abz-datasheets-9767.pdf | 13 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD57045TR-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 65В | 945 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd57045e-datasheets-9140.pdf | 5А | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) | 2 | 25 недель | 3 | EAR99 | Нет | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | 73 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | PD57045 | 10 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 14,5 дБ | Р-ПДСО-Г2 | 5А | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 45 Вт | 250 мА | 5А | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLM8G0710S-15PBY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 65В | 957,5 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blm8g0710s15pbgy-datasheets-7882.pdf | СОТ-1211-3 | 13 недель | 36,1 дБ | 16-ХСОПФ | 1,5 Вт | 15 мА | ЛДМОС (двойной) | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ300БН | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | Непригодный | 27–250 МГц | Соответствует RoHS | /files/nxpusainc-mrf300an50mhz-datasheets-0035.pdf | ТО-247-3 | 12 недель | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 18,7 дБ | 300 Вт | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛП15М9С30ГЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 13 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLP05H6150XRY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 135 В | 108 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blp05h6150xrgy-datasheets-8080.pdf | СОТ-1223-2 | 13 недель | 27 дБ | 4-HSOPF | 150 Вт | 100 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MW7IC2020NT1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | МОС | 2,14 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nxpusainc-mw7ic2020nt1-datasheets-9654.pdf | 24-PowerQFN | 24 | 10 недель | EAR99 | 8542.33.00.01 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | MW7IC2020 | КОМПОНЕНТ | УЗКОПОЛОСНАЯ ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ | 37 дБм | 50Ом | 10 | Усилители ВЧ/СВЧ | 28В | 32,6 дБ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,4 Вт | 40 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛМ10Д2327-40АБЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | /files/ampleonusainc-blm10d232740abz-datasheets-9803.pdf | 13 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFE6S9045NR1 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 66В | 880 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-mrfe6s9045nr1-datasheets-9623.pdf | ТО-270АА | 2 | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | MRFE6S9045 | 225°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 22,1 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДФП-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 66В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10 Вт | 350 мА | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGH27030S | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ган | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 84В | 6 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | 12-ВФДФН Открытая площадка | 8 недель | 18,3 дБ | 12-ДФН (4х3) | 30 Вт | 200 мА | ХЕМТ | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ9Г38-10ГУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 28В | 3,4 ГГц~3,8 ГГц | СОТ-975С | 26 недель | 10 Вт | ЛДМОС | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛМ9Д2327-25БЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 28В | 2,3 ГГц~2,7 ГГц | /files/ampleonusainc-blm9d232725bz-datasheets-9700.pdf | 20-QFN Открытая колодка | 13 недель | 25 Вт | ЛДМОС | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММРФ1315НР1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 66В | 880 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | ТО-270-2 | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | 260 | 40 | 21,1 дБ | 14 Вт | 450 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛП05М7200Y | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 440 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blp05m7200y-datasheets-9698.pdf | 4-ХСОПФ, СОТ-1138 | 13 недель | 21 дБ | 4-ХСОП | 210 Вт | 2мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD85025C | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | 945 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd85025c-datasheets-9530.pdf | 7А | М243 | 2 | 52 недели | 243 | EAR99 | 93 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | PD85025 | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 93 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17,5 дБ | Не квалифицирован | Р-КДФМ-Ф2 | 7А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 Вт | 10 Вт | 300 мА | 7А | 40В | ЛДМОС | 13,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛП9Х10-30ГЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | СОТ-1483-1 | 13 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММРФ1004НР1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 68В | 2,17 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | ТО-270АА | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 40 | 15,5 дБ | 10 Вт | 130 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFE6VS25GNR1 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 133В | 512 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | ТО-270БА | 2 | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | MRFE6VS25 | 150°С | -40°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 25,4 дБ | Р-ПДФМ-Ф2 | Одинокий | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 133В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 25 Вт | 10 мА | 25 Вт | ЛДМОС | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛП15М9С30З | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 13 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD57030 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | 945 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sd57030-datasheets-9619.pdf | 65В | 4А | М243 | Без свинца | 2 | 32 недели | 243 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 74 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | SD57030 | 2 | Одинокий | 74 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 дБ | Р-ПДФМ-Ф2 | 58пФ | 4А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 Вт | 50 мА | 4А | 65В | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АРФ463БГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 500В | 81,36 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/microsemicorporation-arf463bg-datasheets-9476.pdf | 9А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 23 недели | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | 180 Вт | ОДИНОКИЙ | 1 | 15 дБ | Р-ПСФМ-Т3 | 9А | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 100 Вт | 50 мА | 9А | 28нс | N-канал | 125 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛМ9Д2325-20АБЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 28В | 2,3 ГГц~2,5 ГГц | /files/ampleonusainc-blm9d232520abz-datasheets-9628.pdf | 20-QFN Открытая колодка | 13 недель | 20 Вт | ЛДМОС | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD85015S-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 870 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd85015stre-datasheets-6993.pdf | 5А | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | 2 | 11 недель | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 59 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | PD85015 | 10 | Одинокий | 59 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 16 дБ | Р-ПДФП-Ф2 | 5А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 Вт | 15 Вт | 150 мА | 5А | 40В | ЛДМОС | 13,6 В |
