RF MOSFET-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по продаже электронных компонентов - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

RF MOSFET транзисторы(4200)

Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Напряжение - номинальное Технология Частота Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Текущий рейтинг Пакет/ключи Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Рабочая температура (макс.) Рабочая температура (мин) Конфигурация элемента Строительство Тип ВЧ/СВЧ-устройства Входная мощность-Макс. (ПК) Характеристический импеданс Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов КСВ-Макс Подкатегория Источники питания Прирост Статус квалификации Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Коэффициент шума Особенности монтажа Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение проба-мин. Технология полевых транзисторов Максимальная выходная мощность Мощность — Выход Текущий рейтинг (А) Текущий — Тест Максимальный сток (Abs) (ID) Обратная связь Cap-Max (Crss) Напряжение проба стока к источнику Рассеяние активности в окружающей среде, макс. Тип транзистора Напряжение – Тест
CGH35015F CGH35015F Кри/Вулфспид
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Ган 1 (без блокировки) 84В 3,3 ГГц~3,9 ГГц Соответствует RoHS 440196 8 недель 12 дБ 440196 15 Вт 100 мА ХЕМТ 28В
BLF9G38-10GU БЛФ9Г38-10ГУ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поднос 1 (без блокировки) 28В 3,4 ГГц~3,8 ГГц СОТ-975С 26 недель 10 Вт ЛДМОС
BLM9D2327-25BZ БЛМ9Д2327-25БЗ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 28В 2,3 ГГц~2,7 ГГц /files/ampleonusainc-blm9d232725bz-datasheets-9700.pdf 20-QFN Открытая колодка 13 недель 25 Вт ЛДМОС
MMRF1315NR1 ММРФ1315НР1 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 66В 880 МГц Соответствует ROHS3 2014 год ТО-270-2 10 недель EAR99 8541.29.00.75 е3 Олово (Вс) 260 40 21,1 дБ 14 Вт 450 мА ЛДМОС 28В
BLP05M7200Y БЛП05М7200Y Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 440 МГц Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blp05m7200y-datasheets-9698.pdf 4-ХСОПФ, СОТ-1138 13 недель 21 дБ 4-ХСОП 210 Вт 2мА LDMOS (двойной), общий источник 28В
MWT-A973 МВТ-А973 Микроволновая техника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) 5В 500 МГц~18 ГГц РЕЖИМ Истощения Соответствует RoHS 2010 год 120 мА Нестандартный SMD 6 недель да НИЗКИЙ ШУМ неизвестный е4 Золото (Ау) НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 6,5 дБ Не квалифицированный 1,8 дБ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК 24,5 дБм 30 мА 0,1 пФ МЕСФЕТ 3В
MWT-773 МВТ-773 Микроволновая техника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 5В 500 МГц~26 ГГц РЕЖИМ Истощения Соответствует RoHS 2010 год 98 мА Нестандартный SMD 4 6 недель да неизвестный е4 Золото (Ау) ДА НЕУКАЗАНО ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 8 дБ Не квалифицированный X-CXMW-F4 12 дБ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК 20 дБм 10 мА МЕСФЕТ 3В
BLF640U БЛФ640У Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поднос 1 (без блокировки) 65В 2,11 ГГц~2,17 ГГц Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-blf640u-datasheets-9772.pdf СОТ-538А 13 недель EAR99 неизвестный НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 18,5 дБ 700мВт 100 мА ЛДМОС 28В
A2I25D025NR1 А2И25Д025НР1 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 2,69 ГГц Соответствует ROHS3 2009 год /files/nxpusainc-afic10275nr1-datasheets-8471.pdf Вариант ТО-270-17, плоские выводы 10 недель EAR99 8542.33.00.01 е3 Олово (Вс) 260 40 31,9 дБ 3,2 Вт 59 мА ЛДМОС (двойной) 28В
A2I25D025GNR1 А2И25Д025ГНР1 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 2,69 ГГц Соответствует ROHS3 2009 год /files/nxpusainc-afic10275nr1-datasheets-8471.pdf Вариант ТО-270-17, крыло чайки 10 недель EAR99 8542.33.00.01 е3 Олово (Вс) 260 40 31,9 дБ 3,2 Вт 59 мА ЛДМОС (двойной) 28В
LET9060TR LET9060TR СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 80В 960 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-let9060tr-datasheets-7244.pdf 12А PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) 2 3 EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН ЛЭТ9060 10 НЕ УКАЗАН 1 17,2 дБ Р-ПДСО-Г2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 80В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 60 Вт 300 мА ЛДМОС 28В
BLM10D3438-35ABZ БЛМ10Д3438-35АБЗ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) /files/ampleonusainc-blm10d343835abz-datasheets-9767.pdf 13 недель
PD57045TR-E PD57045TR-E СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Разрезанная лента (CT) 3 (168 часов) 165°С -65°С 65В 945 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-pd57045e-datasheets-9140.pdf 5А PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) 2 25 недель 3 EAR99 Нет е4 НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО 73 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ PD57045 10 1 Мощность полевого транзистора общего назначения 14,5 дБ Р-ПДСО-Г2 5А ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 45 Вт 250 мА 5А ЛДМОС 28В
BLM8G0710S-15PBY BLM8G0710S-15PBY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Разрезанная лента (CT) 3 (168 часов) 65В 957,5 МГц Соответствует ROHS3 2011 год /files/ampleonusainc-blm8g0710s15pbgy-datasheets-7882.pdf СОТ-1211-3 13 недель 36,1 дБ 16-ХСОПФ 1,5 Вт 15 мА ЛДМОС (двойной) 28В
MRF300BN МРФ300БН НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поднос Непригодный 27–250 МГц Соответствует RoHS /files/nxpusainc-mrf300an50mhz-datasheets-0035.pdf ТО-247-3 12 недель совместимый НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 18,7 дБ 300 Вт ЛДМОС 50В
BLP15M9S30GZ БЛП15М9С30ГЗ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 13 недель
BLP05H6150XRY BLP05H6150XRY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 135 В 108 МГц Не соответствует требованиям RoHS 2011 год /files/ampleonusainc-blp05h6150xrgy-datasheets-8080.pdf СОТ-1223-2 13 недель 27 дБ 4-HSOPF 150 Вт 100 мА LDMOS (двойной), общий источник 50В
MW7IC2020NT1 MW7IC2020NT1 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В МОС 2,14 ГГц Соответствует ROHS3 2009 год /files/nxpusainc-mw7ic2020nt1-datasheets-9654.pdf 24-PowerQFN 24 10 недель EAR99 8542.33.00.01 1 е3 Матовый олово (Sn) ДА MW7IC2020 КОМПОНЕНТ УЗКОПОЛОСНАЯ ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ 37 дБм 50Ом 10 Усилители ВЧ/СВЧ 28В 32,6 дБ ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ 2,4 Вт 40 мА ЛДМОС 28В
BLM10D2327-40ABZ БЛМ10Д2327-40АБЗ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) /files/ampleonusainc-blm10d232740abz-datasheets-9803.pdf 13 недель
MRFE6S9045NR1 MRFE6S9045NR1 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 66В 880 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-mrfe6s9045nr1-datasheets-9623.pdf ТО-270АА 2 10 недель EAR99 8541.29.00.75 е3 Матовый олово (Sn) ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 260 MRFE6S9045 225°С 40 1 Мощность полевого транзистора общего назначения 22,1 дБ Не квалифицированный Р-ПДФП-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 66В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 10 Вт 350 мА ЛДМОС 28В
CGH27030S CGH27030S Кри/Вулфспид
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Ган Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 84В 6 ГГц Соответствует RoHS 2015 год 12-ВФДФН Открытая площадка 8 недель 18,3 дБ 12-ДФН (4х3) 30 Вт 200 мА ХЕМТ 28В
VRF161 ВРФ161 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Масса 1 (без блокировки) 170 В 30 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 1998 год /files/microsemicorporation-vrf161-datasheets-9518.pdf 20А М174 4 32 недели ОТБОР ОБРАЗЦОВ (Последнее обновление: 3 недели назад) ДА РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ 200°С 1 24 дБ О-ЦРФМ-Ф4 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ 170 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 200 Вт 250 мА 350 Вт N-канал 50В
MRFE6VS25NR1 МРФЭ6ВС25НР1 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 133В 512 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. ТО-270АА 2 10 недель EAR99 8541.29.00.75 е3 Матовый олово (Sn) ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 260 MRFE6VS25 150°С -40°С 40 1 Мощность полевого транзистора общего назначения 25,4 дБ Р-ПДФМ-Ф2 Одинокий Н-КАНАЛЬНЫЙ 133В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 25 Вт 10 мА 25 Вт ЛДМОС 50В
BLC9G27LS-151AVY BLC9G27LS-151AVY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 2,5 ГГц~2,69 ГГц Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blc9g27ls151avy-datasheets-9525.pdf СОТ1275-3 13 недель 15,6 дБ ДФМ6 155 Вт 280 мА LDMOS (двойной), общий источник 28В
ST9060C ST9060C СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 94В 1,5 ГГц Соответствует RoHS /files/stmicroelectronics-st9060c-datasheets-9529.pdf М243 совместимый 17,3 дБ 80 Вт 12А ЛДМОС
PD85025C PD85025C СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Винт Масса 1 (без блокировки) 200°С -65°С 945 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-pd85025c-datasheets-9530.pdf 7А М243 2 52 недели 243 EAR99 93 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН PD85025 2 Одинокий НЕ УКАЗАН 93 Вт 1 Мощность полевого транзистора общего назначения 17,5 дБ Не квалифицированный Р-КДФМ-Ф2 7А 20 В ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 40В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 30 Вт 10 Вт 300 мА 7А 40В ЛДМОС 13,6 В
BLP9H10-30GZ БЛП9Х10-30ГЗ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) СОТ-1483-1 13 недель
MMRF1004NR1 ММРФ1004НР1 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 68В 2,17 ГГц Соответствует ROHS3 2014 год ТО-270АА 10 недель EAR99 8541.29.00.75 е3 Матовый олово (Sn) 260 40 15,5 дБ 10 Вт 130 мА ЛДМОС 28В
MRFE6VS25GNR1 MRFE6VS25GNR1 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 133В 512 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. ТО-270БА 2 10 недель EAR99 8541.29.00.75 е3 Матовый олово (Sn) ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 260 MRFE6VS25 150°С -40°С 40 1 Мощность полевого транзистора общего назначения 25,4 дБ Р-ПДФМ-Ф2 Одинокий Н-КАНАЛЬНЫЙ 133В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 25 Вт 10 мА 25 Вт ЛДМОС 50В
BLP15M9S30Z БЛП15М9С30З Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 13 недель
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)