RF MOSFET-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по продаже электронных компонентов - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Напряжение - номинальное Частота Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Код Pbfree ECCN-код Достичь соответствия кода Код HTS Справочный стандарт Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Рабочая температура (макс.) Тип ВЧ/СВЧ-устройства Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Количество элементов Подкатегория Прирост Статус квалификации Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Коэффициент шума Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) DS Напряжение проба-мин. Технология полевых транзисторов Мощность — Выход Текущий рейтинг (А) Текущий — Тест Тип транзистора Напряжение - Тест
BF2040WH6814XTSA1 BF2040WH6814XTSA1 Рочестер Электроникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 800 МГц Соответствует ROHS3 /files/rochesterelectronicsllc-bf2040wh6814xtsa1-datasheets-0715.pdf СК-82А, СОТ-343 23 дБ PG-SOT343-4 1,6 дБ 40 мА 15 мА N-канал
CGHV35060MP CGHV35060MP Кри/Вулфспид
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Ган Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 150 В 2,7 ГГц~3,5 ГГц Соответствует RoHS 2016 год 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) Открытая колодка 8 недель 14,5 дБ 20-ЦСОП 60 Вт 125 мА ХЕМТ 50В
BLF8G22LS-270J BLF8G22LS-270J Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 65В 2,11 ГГц~2,17 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-blf8g22ls270j-datasheets-0080.pdf СОТ-502Б 2 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLF8G22 НЕ УКАЗАН 1 17,7 дБ Р-CDFP-F2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 80 Вт 2,4А ЛДМОС 28В
MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HR6 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) Непригодный 133В 230 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. /files/nxpusainc-mrfe6vp61k25vhf-datasheets-2359.pdf НИ-1230 4 10 недель EAR99 8541.29.00.75 ДА ПЛОСКИЙ 260 МРФЭ6ВП61К25 225°С 40 2 Полевой транзистор общего назначения 24 дБ Не квалифицирован Р-КДФМ-Ф4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 1300 Вт 125 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 1250 Вт 100 мА ЛДМОС (двойной) 50В
BLC8G22LS-450AVY BLC8G22LS-450AVY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 2,11 ГГц~2,17 ГГц Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-blc8g22ls450avy-datasheets-0434.pdf СОТ-1258-3 13 недель 14 дБ СОТ-1258-3 85 Вт LDMOS (двойной), общий источник 28В
MRF1K50GNR5 МРФ1К50ГНР5 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 1,8–500 МГц Соответствует ROHS3 2009 год /files/nxpusainc-mrf1k50ntf4-datasheets-5515.pdf ОМ-1230Г-4Л 10 недель да 260 40 23 дБ 1500 Вт ЛДМОС 50В
MMRF2010NR1 ММРФ2010НР1 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 100 В 1,09 ГГц Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-mmrf2010gnr1-datasheets-5926.pdf Вариант ТО-270-14, плоские выводы 10 недель да УЗКОПОЛОСНАЯ ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ 32,1 дБ 250 Вт 10 мкА 80 мА ЛДМОС 50В
BLF0910H6LS500U BLF0910H6LS500U Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 1 (без блокировки) 65В 2,5 ГГц~2,69 ГГц Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blf0910h6ls500u-datasheets-0468.pdf СОТ1275-1 13 недель 14,8 дБ 150 Вт 400 мА LDMOS (двойной), общий источник 28В
MRF6VP11KHR5 МРФ6ВП11ХР5 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) Непригодный 110 В 130 МГц Соответствует ROHS3 2010 год /files/nxpusainc-mrf6vp11khr5-datasheets-0585.pdf НИ-1230С-4 ГВт 10 недель EAR99 8541.29.00.75 260 МРФ6ВП11 225°С 40 Полевой транзистор общего назначения 26 дБ Н-КАНАЛЬНЫЙ МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 1000 Вт 150 мА ЛДМОС (двойной) 50В
MRF085HR5 МРФ085HR5 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Разрезанная лента (CT) Непригодный 133В 1,8 МГц~1,215 ГГц Соответствует ROHS3 2006 г. /files/nxpusainc-mrf085hr5-datasheets-0454.pdf НИ-650Х-4Л 10 недель 260 40 25,6 дБ 85 Вт 7мкА 100 мА ЛДМОС (двойной) 50В
GTVA104001FA-V1-R0 GTVA104001FA-V1-R0 Кри/Вулфспид
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Ган Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 125 В 960 МГц~1215 ГГц Соответствует RoHS H-37265J-2 8 недель 19,5 дБ H-37265J-2 400 Вт 100 мА ХЕМТ 50В
BLL8H0514LS-130U BLL8H0514LS-130U Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 1 (без блокировки) 100 В 1,2 ГГц~1,4 ГГц Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-bll8h0514ls130u-datasheets-0494.pdf СОТ-1135Б 13 недель 17 дБ CDFM2 130 Вт 50 мА ЛДМОС 50В
MRFX1K80NR5 MRFX1K80NR5 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 1,8–470 МГц Соответствует ROHS3 2017 год /files/nxpusainc-mrfx1k80n88mhz-datasheets-2388.pdf ОМ-1230-4Л 10 недель 260 40 24 дБ 1800 Вт ЛДМОС 65В
PTVA123501EC-V2-R0 PTVA123501EC-V2-R0 Кри/Вулфспид $360,18
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 105В 1,2 ГГц~1,4 ГГц Соответствует RoHS Н-36248-2 12 недель 17 дБ Н-36248-2 350 Вт 150 мА ЛДМОС 50В
BLF6G13LS-250PGJ BLF6G13LS-250PGJ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 100 В 1,3 ГГц Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-blf6g13ls250pgj-datasheets-0528.pdf СОТ-1121Э 13 недель 17 дБ ЛДМОСТ 250 Вт 100 мА ЛДМОС 50В
PTVA104501EH-V1-R0 PTVA104501EH-V1-R0 Кри/Вулфспид
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 105В 960 МГц~1215 ГГц Соответствует RoHS Н-33288-2 12 недель 17,5 дБ Н-33288-2 450 Вт 200 мА ЛДМОС 50В
MRF6V12500HR5 МРФ6В12500HR5 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) Непригодный 110 В 1,03 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год /files/nxpusainc-mrf6v12500hsr5-datasheets-5962.pdf СОТ-957А 2 10 недель EAR99 8541.29.00.75 ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 260 МРФ6В12500 225°С 40 1 Полевой транзистор общего назначения 19,7 дБ Не квалифицирован Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 110 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 500 Вт 200 мА ЛДМОС 50В
MRFX1K80GNR5 MRFX1K80GNR5 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 1,8–470 МГц Соответствует ROHS3 2017 год /files/nxpusainc-mrfx1k80n88mhz-datasheets-2388.pdf ОМ-1230Г-4Л 10 недель 260 40 24 дБ 1800 Вт ЛДМОС 65В
MRF6V12250HR5 МРФ6В12250HR5 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) Непригодный 100 В 1,03 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год СОТ-957А 2 10 недель EAR99 8541.29.00.75 ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 260 МРФ6В12250 225°С 40 1 Полевой транзистор общего назначения 20,3 дБ Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 110 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 275 Вт 100 мА ЛДМОС 50В
CGH35060F2 CGH35060F2 Кри/Вулфспид
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Ган 1 (без блокировки) 125 В 3,1 ГГц~3,5 ГГц Соответствует RoHS 440193 8 недель 13 дБ 440193 47,6 дБм 200 мА ХЕМТ 28В
MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HR5 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) Непригодный 130 В 860 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. НИ-1230 4 10 недель EAR99 8541.29.00.75 ДА ПЛОСКИЙ 260 MRFE6VP8600 150°С 40 2 Полевой транзистор общего назначения 19,3 дБ Не квалифицирован Р-КДФМ-Ф4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 1052 Вт 130 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 125 Вт 1,4 А ЛДМОС (двойной) 50В
MRF1K50NR5 МРФ1К50НР5 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 1,8–500 МГц Соответствует ROHS3 2009 год /files/nxpusainc-mrf1k50ntf4-datasheets-5515.pdf ОМ-1230-4Л 10 недель да 260 40 23 дБ 1500 Вт ЛДМОС 50В
MMRF1312HR5 ММРФ1312HR5 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) Непригодный 112В 1,03 ГГц Соответствует ROHS3 2013 год /files/nxpusainc-mmrf1312gsr5-datasheets-6017.pdf СОТ-979А 10 недель EAR99 8541.29.00.75 НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 19,6 дБ 1000 Вт 100 мА ЛДМОС (двойной) 50В
BLF188XRGJ BLF188XRGJ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 135 В 108 МГц Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blf188xrgj-datasheets-0407.pdf СОТ-1248С 13 недель 24,4 дБ 1400 Вт 40 мА LDMOS (двойной), общий источник 50В
BLC9G20XS-550AVTZ BLC9G20XS-550АВТЗ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 3 (168 часов) 65В 1,81 ГГц~1,88 ГГц Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blc9g20xs550avtz-datasheets-0600.pdf СОТ-1258-7 13 недель 15,4 дБ 580 Вт 1,1А LDMOS (двойной), общий источник 28В
MRFE6VP6600NR3 MRFE6VP6600NR3 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 133В 230 МГц Соответствует ROHS3 2007 год /files/nxpusainc-afic10275nr1-datasheets-8471.pdf ОМ780-4 10 недель EAR99 8541.29.00.75 НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 24,7 дБ 600 Вт 100 мА ЛДМОС (двойной) 50В
A2G35S160-01SR3 А2Г35С160-01СР3 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) Непригодный 125 В 3,4 ГГц~3,6 ГГц Соответствует ROHS3 2014 год /files/nxpusainc-a2g35s16001sr3-datasheets-0289.pdf НИ-400С-2С 16 недель EAR99 260 40 15,7 дБ 51 дБм 190 мА ЛДМОС 48В
MRFX600HR5 MRFX600HR5 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) Непригодный 179В 1,8–400 МГц Соответствует ROHS3 /files/nxpusainc-mrfx600h88mhz-datasheets-2294.pdf НИ780-4 10 недель 26,4 дБ 600 Вт 10 мкА 100 мА ЛДМОС (двойной) 65В
BLF174XRS,112 BLF174XRS,112 Амплеон США Инк. $149,01
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 1 (без блокировки) 110 В 108 МГц Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blf174xrs112-datasheets-0301.pdf СОТ-1214Б 13 недель 28,5 дБ 600 Вт 100 мА LDMOS (двойной), общий источник 50В
MRFX600GSR5 MRFX600GSR5 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) Непригодный 179В 1,8–400 МГц Соответствует ROHS3 /files/nxpusainc-mrfx600h88mhz-datasheets-2294.pdf НИ-780ГС-4Л 10 недель 26,4 дБ 600 Вт 10 мкА 100 мА ЛДМОС (двойной) 65В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.