RF MOSFET-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по продаже электронных компонентов - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Напряжение - номинальное Частота Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Текущий рейтинг Пакет/ключи Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Количество контактов Статус жизненного цикла ECCN-код Дополнительная функция Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Справочный стандарт Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Рабочая температура (макс.) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Прирост Статус квалификации Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение проба-мин. Технология полевых транзисторов Мощность — Выход Текущий рейтинг (А) Текущий — Тест Максимальный сток (Abs) (ID) Напряжение проба стока к источнику Тип транзистора Напряжение - Тест
BLF8G20LS-400PVU БЛФ8Г20ЛС-400ПВУ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 1 (без блокировки) 65В 1,81 ГГц~1,88 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2015 год /files/ampleonusainc-blf8g20ls400pvu-datasheets-0059.pdf СОТ-1242Б 8 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLF8G20 НЕ УКАЗАН 2 19 дБ Р-CDFP-F8 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 95 Вт 3,4А LDMOS (двойной), общий источник 28В
MRF24G300HSR5 МРФ24Г300ХСР5 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/nxpusainc-mrf24g300hs2450-datasheets-2309.pdf 8 недель
STAC2932FW STAC2932FW СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 3 (168 часов) 150°С -65°С 175 МГц Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stac2932fw-datasheets-7250.pdf 40А СТАК244Ф 32 недели EAR99 625 Вт НЕ УКАЗАН СТАК293 НЕ УКАЗАН 625 Вт 20 дБ 40А 20 В 125 В 390 Вт 250 мА 125 В N-канал 50В
STAC3932F STAC3932F СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 3 (168 часов) 150°С -65°С 123 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stac3932f-datasheets-0164.pdf 20А СТАК244Ф 4 32 недели 4 АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) EAR99 ДА 625 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН СТАК393 4 НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения 24,6 дБ Не квалифицирован 20А 20 В ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ 250 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 580 Вт 250 мА N-канал 100 В
BLC9H10XS-300PY BLC9H10XS-300PY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 108В 600 МГц~960 МГц /files/ampleonusainc-blc9h10xs300py-datasheets-0075.pdf СОТ1273-1 13 недель 21 дБ 300 Вт 1,4 мкА 600 мА ЛДМОС 50В
VRF2933FL ВРФ2933ФЛ Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Масса 1 (без блокировки) 170 В 30 МГц Соответствует RoHS 42А М177 Без свинца 22 дБ М177 300 Вт 42А 250 мА N-канал 50В
BLF8G20LS-400PGVJ BLF8G20LS-400PGVJ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 65В 1,81 ГГц~1,88 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2015 год /files/ampleonusainc-blf8g20ls400pvu-datasheets-0059.pdf СОТ-1242С 8 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН BLF8G20 НЕ УКАЗАН 2 19 дБ Р-CDSO-G8 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 95 Вт 3,4А LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLF8G09LS-400PGWJ BLF8G09LS-400PGWJ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 65В 718,5–725,5 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blf8g09ls400pgwj-datasheets-0031.pdf СОТ-1242С 8 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН BLF8G09 НЕ УКАЗАН 2 20,6 дБ Р-CDSO-G8 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 95 Вт 3,4А LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLM9D1822S-60PBGY BLM9D1822S-60PBGY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 1,8 ГГц~2,2 ГГц /files/ampleonusainc-blm9d1822s60pbgy-datasheets-9793.pdf ОМП-780-16Г-1 13 недель 28,7 дБ 1,4 мкА 222 мА ЛДМОС (двойной) 28В
CGH35015F CGH35015F Кри/Вулфспид
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Ган 1 (без блокировки) 84В 3,3 ГГц~3,9 ГГц Соответствует RoHS 440196 8 недель 12 дБ 440196 15 Вт 100 мА ХЕМТ 28В
BLM8D1822S-50PBGY BLM8D1822S-50PBGY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 1,805–2,17 ГГц Не соответствует требованиям RoHS /files/ampleonusainc-blm8d1822s50pby-datasheets-8095.pdf СОТ-1212-3 13 недель 26 дБ 16-ХСОП 5 Вт 1,4 мкА 104 мА ЛДМОС 28В
AFT20P140-4WNR3 АФТ20П140-4ВНР3 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 1,88–1,91 ГГц Соответствует ROHS3 2006 г. ОМ780-4 10 недель EAR99 17,8 дБ 24 Вт 500 мА ЛДМОС (двойной) 28В
BLM7G1822S-40PBY БЛМ7Г1822С-40ПБИ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 1,81 ГГц~2,17 ГГц Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-blm7g1822s20pby-datasheets-7792.pdf СОТ-1211-1 13 недель EAR99 неизвестный НЕ УКАЗАН БЛМ7Г1822 НЕ УКАЗАН 31,5 дБ 4 Вт 40 мА ЛДМОС (двойной) 28В
MMRF1305HR5 ММРФ1305HR5 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 133В 512 МГц Соответствует ROHS3 2013 год НИ780-4 10 недель EAR99 8541.29.00.75 260 40 26 дБ 100 Вт 100 мА ЛДМОС (двойной) 50В
BLC8G21LS-160AVY BLC8G21LS-160AVY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 1,88–2,03 ГГц Соответствует ROHS3 2014 год /files/ampleonusainc-blc8g21ls160avz-datasheets-7833.pdf СОТ1275-1 13 недель 15 дБ ДФМ6 22,5 Вт 200 мА LDMOS (двойной), общий источник 28В
MRFE6VP5150GNR1 MRFE6VP5150GNR1 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 133В 230 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. ТО-270ББ 4 10 недель EAR99 8541.29.00.40 е3 Матовый олово (Sn) ДА КРЫЛО ЧАЙКИ 260 MRFE6VP5150 40 2 26,1 дБ Р-ПДФМ-Г4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 133В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 150 Вт 100 мА ЛДМОС (двойной) 50В
MRF6V2150NR1 МРФ6В2150НР1 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 110 В 220 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. /files/nxpusainc-mrf6v2150nr1-datasheets-9894.pdf ТО-270АБ 4 10 недель EAR99 8541.29.00.75 е3 Матовый олово (Sn) ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 260 МРФ6В2150 225°С 40 1 Полевой транзистор общего назначения 25 дБ Не квалифицирован Р-ПДФМ-Ф4 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 110 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 150 Вт 450 мА ЛДМОС 50В
CGHV1F025S CGHV1F025S Кри/Вулфспид
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Ган Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 100 В 0 Гц~15 ГГц Соответствует RoHS 12-ВФДФН Открытая площадка 8 недель 11,6 дБм 12-ДФН (4х3) 29 Вт 150 мА ХЕМТ 40В
MRF8S9120NR3 МРФ8С9120НР3 NXP США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70В 960 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. ОМ-780-2 2 10 недель EAR99 8541.29.00.75 е3 МАТОВАЯ ТУНКА ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 260 225°С 40 1 Полевой транзистор общего назначения 19,8 дБ Не квалифицирован Р-ПДФП-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 70В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 33 Вт 800 мА ЛДМОС 28В
BLC9G20LS-120VY BLC9G20LS-120VY Амплеон США Инк. $233,29
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Разрезанная лента (CT) 3 (168 часов) 65В 1,81 ГГц~1,88 ГГц Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blc9g20ls120vy-datasheets-9887.pdf СОТ1275-3 13 недель 19,2 дБ ДФМ6 120 Вт 700 мА ЛДМОС 28В
BLP7G10S-160PY БЛП7Г10С-160ПY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 600 МГц~960 МГц Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blp7g10s160py-datasheets-9841.pdf СОТ-1223-2 13 недель 19,4 дБ 160 Вт 1,4 мкА 100 мА ЛДМОС (двойной) 28В
BLF8G09LS-400PWJ BLF8G09LS-400PWJ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 65В 718,5–725,5 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blf8g09ls400pgwj-datasheets-0031.pdf СОТ-1242Б 8 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLF8G09 НЕ УКАЗАН 2 20,6 дБ Р-CDFP-F8 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 95 Вт 3,4А LDMOS (двойной), общий источник 28В
MRFE6VP5300NR1 MRFE6VP5300NR1 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 133В 230 МГц Соответствует ROHS3 2011 г. ТО-270АБ 10 недель EAR99 8541.29.00.40 е3 Матовый олово (Sn) 260 MRFE6VP5300 40 27 дБ 300 Вт 100 мА ЛДМОС (двойной) 50В
STAC2932F STAC2932F СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 3 (168 часов) 125 В 175 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stac2932f-datasheets-7247.pdf 40А СТАК244Ф 4 4 EAR99 ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН СТАК293 4 200°С НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения 20 дБ Не квалифицирован КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ 625 Вт 125 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 390 Вт 250 мА N-канал 50В
PTMA180402M-V1-R500 PTMA180402M-V1-R500 Кри/Вулфспид
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) 65В 1,8 ГГц~2,1 ГГц Соответствует ROHS3 20-SOIC (0,433, ширина 11,00 мм) Открытая площадка 30 дБ ПГ-ДСО-20-63 40 Вт 10 мкА 360 мА ЛДМОС 28В
BLP8G05S-200Y BLP8G05S-200Y Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 440 МГц 2010 год /files/ampleonusainc-blp8g05s200gy-datasheets-8101.pdf СОТ-1138-2 13 недель 21 дБ 210 Вт 2мА LDMOS (двойной), общий источник 28В
PTNC210604MD-V1-R5 PTNC210604MD-V1-R5 Кри/Вулфспид
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) 65В 1805 ГГц~2,2 ГГц Модуль 14-PowerSMD 27 дБ ПГ-ХБ1ДСО-14-1 20 Вт 40 Вт 1 мкА 150 мА ЛДМОС (двойной) 28В
LET9060STR LET9060STR СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 80В 960 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-let9060str-datasheets-7246.pdf 12А PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 прямых провода) 2 52 недели 3 EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ не_совместимо е3 Матовое олово (Sn) - отожженное ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 250 ЛЭТ9060 10 165°С 30 1 Полевой транзистор общего назначения 17,2 дБ Не квалифицирован Р-ПДСО-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 170 Вт 80В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 60 Вт 300 мА ЛДМОС 28В
BLC8G20LS-400AVY BLC8G20LS-400AVY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 1,81 ГГц~1,88 ГГц Не соответствует требованиям RoHS 2011 г. /files/ampleonusainc-blc8g20ls400avy-datasheets-9934.pdf СОТ-1258-3 13 недель 15,5 дБ СОТ-1258-3 85 Вт 800 мА LDMOS (двойной), общий источник 32В
BLC8G20LS-310AVY BLC8G20LS-310AVY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 1,93–1,99 ГГц Не соответствует требованиям RoHS 2011 г. /files/nxpusainc-blf8g22ls310avj-datasheets-7617.pdf СОТ-1258-3 13 недель 17 дБ СОТ-1258-3 56 Вт 650 мА LDMOS (двойной), общий источник 28В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.