Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактRF MOSFET транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Коэффициент шума | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Максимальная выходная мощность | Мощность — Выход | Текущий рейтинг (А) | Код JEDEC-95 | Текущий — Тест | Максимальный сток (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип транзистора | Напряжение – Тест |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SD2931-11 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Коробка | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | 175 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sd293111-datasheets-9212.pdf | 20А | М246 | 17 недель | 4 | 389 Вт | SD2931 | 389 Вт | 1 | 15 дБ | 20А | 20 В | 125 В | 150 Вт | 250 мА | 125 В | N-канал | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ7Г20ЛС-90П,118 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 1,81 ГГц~1,88 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ampleonusainc-blf7g20ls90p118-datasheets-9215.pdf | СОТ-1121Б | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | BLF7G20 | НЕ УКАЗАН | 2 | 19,5 дБ | Р-CDFP-F4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40 Вт | 18А | 550 мА | 18А | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF8G24LS-150VJ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 2,3 ГГц~2,4 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blf8g24ls150vu-datasheets-7640.pdf | СОТ-1244Б | 6 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 19 дБ | Р-CDFP-F6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 45 Вт | 1,3А | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC9G20XS-160AVY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 65В | 1,805–1,99 ГГц | /files/ampleonusainc-blc9g20xs160avy-datasheets-9217.pdf | СОТ1275-3 | 13 недель | 16,6 дБ | 190 Вт | 1,4 мкА | 300 мА | ЛДМОС | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ5485 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 400 МГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbf5486-datasheets-8879.pdf | 25В | 10 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 42 недели | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБФ5485 | Одинокий | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | 4 дБ | 10 мА | -25В | УСИЛИТЕЛЬ | 25В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 пФ | N-канальный JFET | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АРФ469БГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 500В | 45 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-arf469bg-datasheets-9218.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 25 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 150°С | -55°С | 1 | 16 дБ | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ОСУШАТЬ | УСИЛИТЕЛЬ | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350 Вт | 30А | 250 мкА | 30А | 0,28 Ом | N-канал | 150 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АРФ468АГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 500В | 40,68 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1998 год | 22А | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 29 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 150°С | -55°С | 1 | 15 дБ | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 300 Вт | 0,3 Ом | N-канал | 150 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АРФ466АГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 1000В | 40,68 МГц | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/microsemi-arf466ag-datasheets-7119.pdf | 13А | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 24 недели | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | Нет | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 16 дБ | 13А | Одинокий | 357 Вт | 1кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 300 Вт | N-канал | 150 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛП10Х630ПИ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 110 В | 1 ГГц | /files/ampleonusainc-blp10h630py-datasheets-9135.pdf | СОТ-1223-2 | 13 недель | 18 дБ | 30 Вт | 1,4 мкА | 20 мА | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АРФ465АГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 1200В | 40,68 МГц | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/microsemicorporation-arf465bg-datasheets-9127.pdf | 6А | ТО-247-3 | 24 недели | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | EAR99 | Нет | 250 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 дБ | 7 нс | 5нс | 12 нс | 21 нс | 6А | 30 В | Одинокий | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150 Вт | 6А | N-канал | 300В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZR08N120B-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без блокировки) | 1200В | 65 МГц | /files/ixysrf-ixzr08n120a00-datasheets-9119.pdf | ТО-247-3 | 10 недель | 23 дБ | ПЛЮС247™-3 | 250 Вт | 8А | N-канал | 100В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD57045-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 945 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd57045e-datasheets-9140.pdf | 5А | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | 2 | 25 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 73 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | PD57045 | 10 | Одинокий | 73 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 14,5 дБ | Р-ПДСО-Г2 | 5А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 45 Вт | 250 мА | 5А | 65В | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD57070S-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 945 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd57070e-datasheets-8204.pdf | 7А | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | 2 | 25 недель | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 95 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 250 | PD57070 | 10 | Одинокий | 30 | 95 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 14,7 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф2 | 7А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 70 Вт | 250 мА | 7А | 65В | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АРФ468БГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 500В | 40,68 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1998 год | 22А | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 29 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 150°С | -55°С | 1 | 15 дБ | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 300 Вт | 0,3 Ом | N-канал | 150 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛП8Г20С-80ПY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 1,88–1,92 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blp8g20s80py-datasheets-9149.pdf | СОТ-1223-1 | 13 недель | 17,5 дБ | 4-HSOPF | 10 Вт | 300 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD55015S-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 500 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd55015stre-datasheets-9025.pdf | 5А | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | 2 | 25 недель | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 73 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 250 | PD55015 | 10 | Одинокий | 30 | 73 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 14 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф2 | 5А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 15 Вт | 150 мА | 5А | 40В | ЛДМОС | 12,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD85035S-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 3 (168 часов) | 150°С | -65°С | 870 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stevaltdr031v1-datasheets-4788.pdf | 8А | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | 2 | 25 недель | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 95 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 250 | PD85035 | 10 | Одинокий | 30 | 95 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17 дБ | Р-ПДСО-Ф2 | 8А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40 Вт | 15 Вт | 350 мА | 8А | 40В | ЛДМОС | 13,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD57060TR-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 945 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd57060tre-datasheets-9123.pdf | 7А | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | 2 | 25 недель | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 79 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 250 | PD57060 | 10 | Одинокий | 30 | 79 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 14,3 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г2 | 7А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 60 Вт | 100 мА | 7А | 65В | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC9G20LS-120VTY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1805–1995 ГГц | /files/ampleonusainc-blc9g20ls120vty-datasheets-9160.pdf | СОТ-1271-2 | 13 недель | 18,5 дБ | 172 Вт | 2,8 мкА | 700 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АРФ465БГ | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 1200В | 40,68 МГц | Соответствует RoHS | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-arf465bg-datasheets-9127.pdf | 6А | ТО-247-3 | 24 недели | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | EAR99 | Нет | 250 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 дБ | 7 нс | 5нс | 12 нс | 21 нс | 6А | 30 В | Одинокий | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150 Вт | 6А | N-канал | 300В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛК10М6ХС200И | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 425–450 МГц | /files/ampleonusainc-blc10m6xs200y-datasheets-9161.pdf | СОТ-1270-1 | 13 недель | 19,5 дБ | 200 Вт | 4,2 мкА | 350 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ9Г38-10ГДЖ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 28В | 3,4 ГГц~3,8 ГГц | СОТ-975С | 13 недель | 10 Вт | ЛДМОС | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD55035STR-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 500 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 7А | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | 2 | 4 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 95 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | PD55035 | 10 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 95 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 16,9 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф2 | 7А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 35 Вт | 200 мА | 7А | 40В | ЛДМОС | 12,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF2425M9LS30J | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 2,45 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blf2425m9ls30j-datasheets-9130.pdf | СОТ-1135Б | 13 недель | 18,5 дБ | СОТ1135Б | 30 Вт | 20 мА | ЛДМОС | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD85050S | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 3 (168 часов) | 50В | 870 МГц | Соответствует ROHS3 | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 прямых провода) | 15,65 мм | 3,6 мм | 9,6 мм | 25 недель | 10 | EAR99 | 105 Вт | НЕ УКАЗАН | PD85050 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 12 дБ | 110пФ | 8А | 10 В | 55 Вт | 1 мкА | 500 мА | ЛДМОС | 13,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC9H10XS-60PY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | /files/ampleonusainc-blc9h10xs60py-datasheets-9131.pdf | 13 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛП10Х603З | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 104В | 860 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 12-ВДФН Открытая площадка | 12 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 22,8 дБ | Р-ПДСО-Н12 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 104В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 Вт | МО-229 | 15 мА | ЛДМОС | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD85015TR-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 870 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd85015stre-datasheets-6993.pdf | 5А | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) | 2 | 25 недель | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 59 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | PD85015 | 10 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 59 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 16 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г2 | 5А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 Вт | 15 Вт | 150 мА | 5А | 40В | ЛДМОС | 13,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD85035TR-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 150°С | 870 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stevaltdr031v1-datasheets-4788.pdf | 8А | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) | 2 | 25 недель | 3 | да | EAR99 | ДА | 95 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | PD85035 | 10 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 95 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г2 | 8А | 15 В | КРЕМНИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 15 Вт | 350 мА | 8А | 40В | ЛДМОС | 13,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛМ8Д1822-25БЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 28В | 1,8 ГГц~2,2 ГГц | 20-QFN Открытая колодка | 13 недель | 25 Вт | ЛДМОС |
