Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРЧ МОП-транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Коэффициент шума | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Максимальная выходная мощность | Мощность — Выход | Самый высокий частотный диапазон | Текущий рейтинг (А) | Код JEDEC-95 | Текущий — Тест | Максимальный сток (Abs) (ID) | Напряжение проба стока к источнику | Тип транзистора | Напряжение – Тест |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BLP05H675XRGY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 135 В | 108 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blp05h675xrgy-datasheets-8027.pdf | СОТ-1224-2 | 13 недель | 27 дБ | 75 Вт | 20 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФТ05МП075НР1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 40В | 520 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-270АБ | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.40 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 260 | 225°С | 40 | Полевой транзистор общего назначения | 18,5 дБ | Одинокий | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 690 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 70 Вт | 400 мА | ЛДМОС (двойной) | 12,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ6В10010НР4 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 100 В | 1,09 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nxpusainc-mrf6v10010nr4-datasheets-8776.pdf | ПЛД-1,5 | 4 | 10 недель | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | МРФ6В10010 | 200°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 25 дБ | Не квалифицирован | Р-PQCC-N4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10 Вт | 10 мА | ЛДМОС | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LET9045F | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | 960 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-let9045f-datasheets-8652.pdf | 9А | М250 | Без свинца | 2 | 32 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 108 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | LET9045 | 2 | Одинокий | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17,7 дБ | Р-ПДФП-Ф2 | 9А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 59 Вт | 300 мА | 9А | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFE6S9060NR1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 66В | 880 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nxpusainc-mrfe6s9060nr1-datasheets-8679.pdf | ТО-270АА | 2 | 10 недель | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | MRFE6S9060 | 225°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 21,1 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 66В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 14 Вт | 450 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3СК293(ТЭ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | 800 МГц | Соответствует RoHS | 2010 год | 30 мА | СК-82А, СОТ-343 | 52 недели | 4 | неизвестный | 100мВт | 22 дБ | 2,5 дБ | 30 мА | 8В | 12,5 В | 10 мА | N-канальный двойной клапан | 6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АРФ463AP1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 81,36 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/microsemicorporation-arf463ap1g-datasheets-8788.pdf | 9А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 25 недель | 38.000013г | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | EAR99 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 180 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 дБ | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 5,6 нс | 4,3 нс | 4,2 нс | 13,5 нс | 9А | 30 В | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 100 Вт | ТО-247АД | 9А | N-канал | 125 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZ2210N50L2 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без блокировки) | 500В | 70 МГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/ixysrf-ixz2210n50l2-datasheets-8662.pdf | 8-SMD, открытая площадка с выводом | 10 недель | 17 дБ | 270 Вт | 10А | 2 N-канала (двойной) | 100 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFC210202FC-V1-R0 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Полоска | 3 (168 часов) | 65В | 2,2 ГГц | Соответствует RoHS | Н-37248-4 | 12 недель | 21 дБ | Н-37248-4 | 5 Вт | 170 мА | ЛДМОС (двойной) | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВРФ151 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | 170 В | 175 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/microsemicorporation-vrf151-datasheets-8686.pdf | 16А | М174 | Без свинца | 4 | 27 недель | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 300 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 14 дБ | Не квалифицирован | 16А | 40В | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 180 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150 Вт | 1 мА | 250 мА | N-канал | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 375-501Н21А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | DE | Трубка | 1 (без блокировки) | 500В | 50 МГц | /files/ixysrf-375501n21a00-datasheets-8700.pdf | 6-SMD, открытая площадка с выводами | 26 недель | 940 Вт | 25А | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВРФ2944 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 170 В | 30 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/microsemicorporation-vrf2944-datasheets-8717.pdf | 50А | М177 | Без свинца | 4 | 32 недели | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | ДА | 795 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | 22 дБ | О-ЦРФМ-Ф4 | 50А | 40В | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 180 В | 170 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400 Вт | 250 мА | N-канал | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДНЯО2021 | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 3 (168 часов) | 160 В | 0 Гц~2,2 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/macomtechnologysolutions-npt2021smbppr-datasheets-2497.pdf | 7А | ТО-272ВС | 3 недели | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 15 дБ | 50 Вт | 300 мА | ХЕМТ | 48В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE3515S02-T1C-A | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 4В | 12 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-ne3515s02t1ca-datasheets-8602.pdf | 4-SMD, плоские выводы | 12,5 дБ | S02 | 0,3 дБ | 14 дБм | 88 мА | 10 мА | HFET | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLS8G2731LS-400PU | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 3,1 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/ampleonusainc-bls8g2731ls400pu-datasheets-8543.pdf | СОТ539Б | 13 дБ | СОТ539Б | 400 Вт | 200 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФДЖ211 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbfj211-datasheets-8603.pdf | 25 В | 20 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 16 недель | 30мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 12 часов назад) | да | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | ММБФДЖ211 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 20 мА | -25В | УСИЛИТЕЛЬ | 25 В | СОЕДИНЕНИЕ | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | N-канальный JFET | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLS7G2729LS-350P,1 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 2,7 ГГц~2,9 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-bls7g2729ls350p1-datasheets-8550.pdf | СОТ539Б | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 13 дБ | Р-CDFP-F4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350 Вт | 200 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ6В3090НБР5 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 110 В | 860 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-mrf6v3090nbr5-datasheets-8617.pdf | ТО-272ББ | 22 дБ | ТО-272 ВБ-4 | 18 Вт | 350 мА | ЛДМОС | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLS7G3135LS-350P,1 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 3,5 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-bls7g3135ls350p1-datasheets-8552.pdf | СОТ539Б | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 10 дБ | Р-CDFP-F4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 320 Вт | 200 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8HP21080HR5 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 2,17 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-mrf8hp21080hr5-datasheets-8618.pdf | НИ780-4 | 4 | да | НЕ УКАЗАН | ДА | ПЛОСКИЙ | 260 | 4 | 40 | 2 | 14,4 дБ | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 16 Вт | 150 мА | ЛДМОС (двойной) | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММРФ1317HR5 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Непригодный | 105В | 1,03 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nxpusainc-mmrf1317hsr5-datasheets-6013.pdf | СОТ-979А | 10 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 18,2 дБ | 1300 Вт | 100 мА | ЛДМОС (двойной) | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE3509M04-T2-A | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 4В | 2 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | СОТ-343Ф | 17,5 дБ | М04 | 0,4 дБ | 11 дБм | 60 мА | 10 мА | HFET | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLS7G2729L-350P,11 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 2,7 ГГц~2,9 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-bls7g2729ls350p1-datasheets-8550.pdf | СОТ539А | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 13 дБ | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350 Вт | 200 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGH40090PP | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ган | Трубка | 1 (без блокировки) | 84В | 0 Гц~4 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | 28А | 440199 | 8 недель | CGH40* | 12,5 дБ | 100 Вт | 1А | ХЕМТ | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ176ГВ | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Поднос | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | 225 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/macomtechnologysolutions-mrf176gv-datasheets-8561.pdf | 16А | 375-04 | Без свинца | 4 | 14 недель | 5 | да | EAR99 | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 17 дБ | Не квалифицирован | Р-КДФМ-Ф4 | 16А | 40В | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | 400 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 200 Вт | 100 мА | 125 В | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGHV96100F2 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ган | Поднос | 1 (без блокировки) | 100 В | 7,9 ГГц~9,6 ГГц | Соответствует RoHS | 2017 год | 12А | 440210 | 8 недель | 50Ом | 10,2 дБ | 440210 | 131 Вт | 12А | 1А | ХЕМТ | 40В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLS8G2731L-400PU | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 3,1 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/ampleonusainc-bls8g2731ls400pu-datasheets-8543.pdf | СОТ539А | 13 дБ | СОТ539А | 400 Вт | 200 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLL8H1214LS-500U | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 100 В | 1,2 ГГц~1,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-bll8h1214ls500u-datasheets-8577.pdf | СОТ539Б | 13 недель | 17 дБ | СОТ539Б | 500 Вт | 150 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ6ВП21ХР5 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 110 В | 225 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/nxpusainc-mrf6vp21khr5-datasheets-8587.pdf | НИ-1230 | 10 недель | EAR99 | МРФ6ВП21 | 225°С | Полевой транзистор общего назначения | 24 дБ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1000 Вт | 150 мА | ЛДМОС (двойной) | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF7S27130HSR5 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 2,7 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-mrf7s27130hsr5-datasheets-8594.pdf | НИ-780С | 16,5 дБ | НИ-780С | 23 Вт | 1,5 А | ЛДМОС | 28В |
