Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактRF MOSFET транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ПДВ | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Коэффициент шума | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность — Выход | Самый высокий частотный диапазон | Текущий рейтинг (А) | Текущий — Тест | Максимальный сток (Abs) (ID) | Напряжение проба стока к источнику | Тип транзистора | Напряжение – Тест |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ВРФ151 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | 170 В | 175 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/microsemicorporation-vrf151-datasheets-8686.pdf | 16А | М174 | Без свинца | 4 | 27 недель | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 300 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 14 дБ | Не квалифицирован | 16А | 40В | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 180 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150 Вт | 1 мА | 250 мА | N-канал | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 375-501Н21А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | DE | Трубка | 1 (без блокировки) | 500В | 50 МГц | /files/ixysrf-375501n21a00-datasheets-8700.pdf | 6-SMD, открытая площадка с выводами | 26 недель | 940 Вт | 25А | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВРФ2944 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 170 В | 30 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/microsemicorporation-vrf2944-datasheets-8717.pdf | 50А | М177 | Без свинца | 4 | 32 недели | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | ДА | 795 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | 22 дБ | О-ЦРФМ-Ф4 | 50А | 40В | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 180 В | 170 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400 Вт | 250 мА | N-канал | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ148А | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Поднос | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 120 В | 30–175 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/macomtechnologysolutions-mrf148a-datasheets-8720.pdf | 6А | 211-07 | Без свинца | 4 | 20 недель | 4 | да | Соответствует | EAR99 | Нет | 115 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 4 | Одинокий | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 дБ ~ 18 дБ | 6А | 40В | УСИЛИТЕЛЬ | 125 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 Вт | 100 мА | 6А | 125 В | N-канал | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFX1K80HR5 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | Непригодный | 182В | 1,8–470 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/nxpusainc-mrfx1k80hr5-datasheets-8443.pdf | СОТ-979А | 10 недель | EAR99 | 260 | 40 | 24 дБ | 1800 Вт | 10 мкА | 200 мА | ЛДМОС (двойной) | 65В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MW6S010GNR1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 68В | 960 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nxpusainc-mw6s010gnr1-datasheets-8724.pdf | ТО-270БА | 2 | 10 недель | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MW6S010 | 225°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 18 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 61,4 Вт | 68В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10 Вт | 125 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BLM8G0710S-45ABGY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 957,5 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blm8g0710s45abgy-datasheets-8084.pdf | СОТ-1212-2 | 13 недель | 35 дБ | 16-ХСОП | 3 Вт | 30 мА | ЛДМОС (двойной) | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZ210N50L2 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без блокировки) | 500В | 70 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/ixysrf-ixz210n50l2-datasheets-8751.pdf | 6-SMD, открытая площадка с выводами | 10 недель | да | 17 дБ | 390 Вт | 10А | N-канал | 100В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 150-501Н04А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | DE | Трубка | 1 (без блокировки) | 500В | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixysrf-150501n04a00-datasheets-8755.pdf | 6-SMD, открытая площадка с выводами | 10 недель | 200 Вт | 4,5 А | 25 мкА | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММРФ1312HSR5 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Непригодный | 112В | 1034 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nxpusainc-mmrf1312gsr5-datasheets-6017.pdf | НИ-1230-4С | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 19,6 дБ | 1000 Вт | 100 мА | ЛДМОС (двойной) | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF188XRU | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 135 В | 108 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blf188xru-datasheets-8643.pdf | СОТ539А | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 24,4 дБ | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 135 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1400 Вт | 40 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLP05H675XRGY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 135 В | 108 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blp05h675xrgy-datasheets-8027.pdf | СОТ-1224-2 | 13 недель | 27 дБ | 75 Вт | 20 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLL8H1214LS-500U | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 100В | 1,2 ГГц~1,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-bll8h1214ls500u-datasheets-8577.pdf | СОТ539Б | 13 недель | 17 дБ | СОТ539Б | 500 Вт | 150 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ6ВП21ХР5 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 110 В | 225 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/nxpusainc-mrf6vp21khr5-datasheets-8587.pdf | НИ-1230 | 10 недель | EAR99 | МРФ6ВП21 | 225°С | Полевой транзистор общего назначения | 24 дБ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1000 Вт | 150 мА | ЛДМОС (двойной) | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF7S27130HSR5 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 2,7 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-mrf7s27130hsr5-datasheets-8594.pdf | НИ-780С | 16,5 дБ | НИ-780С | 23 Вт | 1,5 А | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФГ35010АР5 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 15 В | 3,55 ГГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-mrfg35010ar5-datasheets-8595.pdf | НИ-360ХФ | 2 | нет | НЕ УКАЗАН | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | 10 дБ | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-КДФМ-Ф2 | АРСЕНИД ГАЛЛИЯ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 15 В | ВЫСОКАЯ ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ | 1 Вт | 140 мА | ФЭМТ ФТ | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТАК1011-350 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | 80В | 1,03–1,09 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stac1011350-datasheets-8596.pdf | СТАК265Б | 2 | 32 недели | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | СТАК101 | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | 15 дБ | Р-ПДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350 Вт | 150 мА | ЛДМОС | 36В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 275-102Н06А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | DE | Трубка | 1 (без блокировки) | 1000В | /files/ixysrf-275102n06a00-datasheets-8599.pdf | 6-SMD, открытая площадка с выводами | 18 недель | 590 Вт | 8А | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CLF1G0035-200PU | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S27085HSR5 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 68В | 2,66 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-mrf6s27085hsr5-datasheets-8601.pdf | НИ-780С | 15,5 дБ | НИ-780С | 20 Вт | 900 мА | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДНЯО2021 | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 3 (168 часов) | 160 В | 0 Гц~2,2 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/macomtechnologysolutions-npt2021smbppr-datasheets-2497.pdf | 7А | ТО-272ВС | 3 недели | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 15 дБ | 50 Вт | 300 мА | ХЕМТ | 48В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE3515S02-T1C-A | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 4В | 12 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-ne3515s02t1ca-datasheets-8602.pdf | 4-SMD, плоские выводы | 12,5 дБ | S02 | 0,3 дБ | 14 дБм | 88мА | 10 мА | HFET | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLS8G2731LS-400PU | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 3,1 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/ampleonusainc-bls8g2731ls400pu-datasheets-8543.pdf | СОТ539Б | 13 дБ | СОТ539Б | 400 Вт | 200 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 32В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФДЖ211 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbfj211-datasheets-8603.pdf | 25В | 20 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 16 недель | 30мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 12 часов назад) | да | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | ММБФДЖ211 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 20 мА | -25В | УСИЛИТЕЛЬ | 25В | СОЕДИНЕНИЕ | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | N-канальный JFET | |||||||||||||||||||||||||||||
| BLS7G2729LS-350P,1 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 2,7 ГГц~2,9 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-bls7g2729ls350p1-datasheets-8550.pdf | СОТ539Б | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 13 дБ | Р-CDFP-F4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350 Вт | 200 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 32В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ6В3090НБР5 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 110 В | 860 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-mrf6v3090nbr5-datasheets-8617.pdf | ТО-272ББ | 22 дБ | ТО-272 ВБ-4 | 18 Вт | 350 мА | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLS7G3135LS-350P,1 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 3,5 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-bls7g3135ls350p1-datasheets-8552.pdf | СОТ539Б | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 10 дБ | Р-CDFP-F4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 320 Вт | 200 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 32В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8HP21080HR5 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 2,17 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-mrf8hp21080hr5-datasheets-8618.pdf | НИ780-4 | 4 | да | НЕ УКАЗАН | ДА | ПЛОСКИЙ | 260 | 4 | 40 | 2 | 14,4 дБ | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 16 Вт | 150 мА | ЛДМОС (двойной) | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММРФ1317HR5 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Непригодный | 105В | 1,03 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nxpusainc-mmrf1317hsr5-datasheets-6013.pdf | СОТ-979А | 10 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 18,2 дБ | 1300 Вт | 100 мА | ЛДМОС (двойной) | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE3509M04-T2-A | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 4В | 2 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | СОТ-343Ф | 17,5 дБ | М04 | 0,4 дБ | 11 дБм | 60 мА | 10 мА | HFET | 2В |
