RF MOSFET-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по продаже электронных компонентов - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Напряжение - номинальное Частота Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/ключи Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Полярность Справочный стандарт Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Рабочая температура (макс.) Конфигурация элемента Строительство Тип ВЧ/СВЧ-устройства Входная мощность-Макс. (ПК) Характеристический импеданс Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Прирост Статус квалификации Код JESD-30 Дата проведения проверки исходного URL Поставщик пакета оборудования Коэффициент шума Выходная мощность Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки отключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение проба-мин. Технология полевых транзисторов Максимальная выходная мощность Напряжение проба Мощность — Выход Самый высокий частотный диапазон Текущий рейтинг (А) Код JEDEC-95 Минимальное напряжение проба Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Частота смены Текущий — Тест Максимальный сток (Abs) (ID) Обратная связь Cap-Max (Crss) Напряжение проба стока к источнику Базовое напряжение коллектора (VCBO) Базовое напряжение эмиттера (VEBO) Тип транзистора Напряжение – Тест
SKY65050-372LF SKY65050-372LF Скайворкс Солюшнс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 85°С -40°С 2,4 ГГц Соответствует ROHS3 2008 год /files/skyworkssolutionsinc-sky65050372lfevb-datasheets-7157.pdf 55 мА СК-82А, СОТ-343 10 недель да е3 Олово (Вс) КОМПОНЕНТ ШИРОКОПОЛОСНАЯ СРЕДНЯЯ МОЩНОСТЬ 10 дБм 50Ом 15,5 дБ 0,4 дБ 10,5 дБм 20 мА ФЭМТ ФТ
BF556A,235 БФ556А,235 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 30 В Соответствует ROHS3 /files/nxpusainc-bf556c215-datasheets-6143.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 8 недель е3 Олово (Вс) ДА БФ556 3 150°С Другие транзисторы 2013-06-14 00:00:00 0,25 Вт СОЕДИНЕНИЕ 7мА N-канальный JFET
CGH21240F CGH21240F Кри/Вулфспид
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Ган 1 (без блокировки) 84В 1,8–2,3 ГГц 440117 15 дБ 440117 240 Вт ХЕМТ 28В
LET9045C LET9045C СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Винт Поднос 1 (без блокировки) 150°С -65°С 960 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-let9045c-datasheets-8888.pdf М243 2 32 недели 3 АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) EAR99 Нет 108 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ LET9045 2 Одинокий 1 Полевой транзистор общего назначения 17,7 дБ Р-ПДФМ-Ф2 15 В ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 80В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 59 Вт 300 мА ЛДМОС 28В
934960262517 934960262517 Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 8 недель
BF888H6327XTSA1 BF888H6327XTSA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -55°С 47 ГГц Соответствует ROHS3 2010 год /files/infineontechnologies-bf888h6327xtsa1-datasheets-8901.pdf СОТ-343 4 4 недели да EAR99 НИЗКИЙ ШУМ Олово НПН 160мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 160мВт 1 Р-ПДСО-Г4 ОДИНОКИЙ ЭМИТТЕР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 мА 47000 МГц 13В 1,2 В
BLF8G27LS-100GVJ БЛФ8Г27ЛС-100ГВДЖ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 65В 2,5 ГГц~2,7 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-blf8g27ls100v112-datasheets-7928.pdf СОТ-1244С 6 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН BLF8G27 НЕ УКАЗАН 1 17 дБ Р-CDSO-G6 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 25 Вт 900 мА ЛДМОС 28В
BLM10D1822-60ABGZ БЛМ10Д1822-60АБГЗ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 /files/ampleonusainc-blm10d182260abgz-datasheets-8904.pdf 13 недель
BLF6G22LS-40P,118 БЛФ6Г22ЛС-40П,118 Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 65В 2,11 ГГц~2,17 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blf6g22ls40p118-datasheets-8199.pdf СОТ-1121Б 4 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН БЛФ6Г22 НЕ УКАЗАН 2 19 дБ Р-CDFP-F4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 13,5 Вт 16А 410 мА 16А LDMOS (двойной), общий источник 28В
MMBF5484 ММБФ5484 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -55°С 400 МГц РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2008 год /files/onsemiconductor-mmbf5486-datasheets-8879.pdf 25В 10 мА ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2,92 мм 930 мкм 1,3 мм Без свинца 3 16 недель 30мг Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) да EAR99 Олово Нет 8541.21.00.95 е3 225 МВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ МБФ5484 Одинокий 225 МВт 1 Другие транзисторы 4 дБ 225 МВт 5мА -25В УСИЛИТЕЛЬ СОЕДИНЕНИЕ -25В 25В 1 пФ N-канальный JFET 15 В
PD85025TR-E PD85025TR-E СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 165°С -65°С 870 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-pd85025stre-datasheets-6977.pdf PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) 2 25 недель 3 EAR99 не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) 79 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН PD85025 10 Одинокий НЕ УКАЗАН 79 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 17,3 дБ Не квалифицирован Р-ПДСО-Г2 15 В ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 40В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 30 Вт 10 Вт 300 мА 40В ЛДМОС 13,6 В
BF256B БФ256Б ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Масса 1 (без блокировки) 150°С -55°С РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2015 год /files/onsemiconductor-bf256b-datasheets-8944.pdf 30 В 13 мА ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) 4,58 мм 4,58 мм 3,86 мм Без свинца 3 6 недель 200мг Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) да EAR99 Медь, Серебро, Олово Нет 8541.21.00.95 е3 Олово (Вс) 350 мВт НИЖНИЙ БФ256 Одинокий 350 мВт 1 Другие транзисторы 13 мА -30В УСИЛИТЕЛЬ 30 В СОЕДИНЕНИЕ СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б N-канальный JFET
ARF461AG АРФ461АГ Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Масса 1 (без блокировки) 150°С -55°С 1000В 65 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 1998 год /files/microsemicorporation-arf461ag-datasheets-8827.pdf 6,5 А ТО-247-3 Без свинца 3 25 недель В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) да EAR99 Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ 250 Вт ОДИНОКИЙ 3 1 Полевой транзистор общего назначения 15 дБ Р-ПСФМ-Т3 6,5 А ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 150 Вт 25 мкА ТО-247АД 1кВ N-канал 50В
BLC8G27LS-100AVY BLC8G27LS-100AVY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 2,5 ГГц~2,69 ГГц Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-blc8g27ls100avy-datasheets-8830.pdf СОТ1275-1 13 недель 15,5 дБ ДФМ6 17,8 Вт 250 мА LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLC8G27LS-180AVY BLC8G27LS-180AVY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 2,5 ГГц~2,69 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-blc8g27ls180avz-datasheets-7665.pdf СОТ1275-3 6 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА КВАД НЕУКАЗАНО НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 14 дБ Р-PQFP-X6 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 28 Вт 200 мА LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLF9G20LS-160VJ БЛФ9Г20ЛС-160ВДЖ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 65В 1,81 ГГц~1,88 ГГц Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-blf9g20ls160vj-datasheets-8326.pdf СОТ-1120Б 13 недель 19,8 дБ ЛДМОСТ 35,5 Вт 800мА ЛДМОС 28В
BLP0408H9S30Z BLP0408H9S30Z Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 13 недель
J211-D74Z J211-D74Z ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 25В РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2012 год /files/onsemiconductor-mmbfj211-datasheets-8603.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) 3 38 недель АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) да НЕТ НИЖНИЙ ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ 150°С 1 Другие транзисторы Не квалифицирован О-PBCY-T3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ 0,35 Вт СОЕДИНЕНИЕ ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 20 мА N-канальный JFET
LET9045STR LET9045STR СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 80В 960 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-let9045str-datasheets-7046.pdf PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 прямых провода) 2 52 недели 3 EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ не_совместимо е3 Матовое олово (Sn) - отожженное ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 250 LET9045 10 165°С 30 1 Полевой транзистор общего назначения 18,5 дБ Не квалифицирован Р-ПДСО-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 160 Вт 80В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 45 Вт 1 мкА 300 мА ЛДМОС 28В
LET9120 ЛЭТ9120 СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Винт Поднос 1 (без блокировки) 150°С -65°С 860 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-let9120-datasheets-8854.pdf 18А М246 4 32 недели 246 АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) EAR99 200 Вт ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН ЛЭТ9120 4 Двойной НЕ УКАЗАН 2 Полевой транзистор общего назначения 18 дБ Не квалифицирован Р-ПДФМ-Ф4 18А 15 В ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 80В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 150 Вт 400 мА ЛДМОС 32В
BLC10G22XS-400AVTZ BLC10G22XS-400АВТЗ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 3 (168 часов) 65В 2,11 ГГц~2,2 ГГц /files/ampleonusainc-blc10g22xs400avtz-datasheets-8877.pdf СОТ-1258-4 13 недель 17 дБ 400 Вт 2,8 мкА 800мА ЛДМОС 28В
MMBF5486 ММБФ5486 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -55°С 400 МГц РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2008 год /files/onsemiconductor-mmbf5486-datasheets-8879.pdf 25В 10 мА ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2,92 мм 930 мкм 1,3 мм Без свинца 3 16 недель 30мг Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) да EAR99 Олово Нет 8541.21.00.95 е3 225 МВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ ММБФ5486 Одинокий 225 МВт 1 Другие транзисторы 4 дБ 225 МВт 20 мА -25В УСИЛИТЕЛЬ МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК -25В 1 пФ N-канальный JFET 15 В
AFT05MP075NR1 АФТ05МП075НР1 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 40В 520 МГц Соответствует ROHS3 2009 год ТО-270АБ 10 недель EAR99 8541.29.00.40 е3 Матовый олово (Sn) ДА 260 225°С 40 Полевой транзистор общего назначения 18,5 дБ Одинокий Н-КАНАЛЬНЫЙ 690 Вт МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 70 Вт 400 мА ЛДМОС (двойной) 12,5 В
MRF6V10010NR4 МРФ6В10010НР4 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 100 В 1,09 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год /files/nxpusainc-mrf6v10010nr4-datasheets-8776.pdf ПЛД-1,5 4 10 недель EAR99 не_совместимо 8541.29.00.75 е3 Олово (Вс) ДА КВАД НЕТ ЛИДЕСА 260 МРФ6В10010 200°С 40 1 Полевой транзистор общего назначения 25 дБ Не квалифицирован Р-PQCC-N4 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 100 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 10 Вт 10 мА ЛДМОС 50В
LET9045F LET9045F СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поднос 1 (без блокировки) 200°С -65°С 960 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-let9045f-datasheets-8652.pdf М250 Без свинца 2 32 недели Нет СВХК 3 АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) EAR99 Нет 108 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ LET9045 2 Одинокий 1 Полевой транзистор общего назначения 17,7 дБ Р-ПДФП-Ф2 15 В ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 80В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 59 Вт 300 мА ЛДМОС 28В
MRFE6S9060NR1 MRFE6S9060NR1 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 66В 880 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2007 год /files/nxpusainc-mrfe6s9060nr1-datasheets-8679.pdf ТО-270АА 2 10 недель EAR99 не_совместимо 8541.29.00.75 е3 Олово (Вс) ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 260 MRFE6S9060 225°С 40 1 Полевой транзистор общего назначения 21,1 дБ Не квалифицирован Р-ПДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 66В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 14 Вт 450 мА ЛДМОС 28В
3SK293(TE85L,F) 3СК293(ТЭ85Л,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) 125°С -55°С 800 МГц Соответствует RoHS 2010 год 30 мА СК-82А, СОТ-343 52 недели 4 неизвестный 100мВт 22 дБ 2,5 дБ 30 мА 12,5 В 10 мА N-канальный двойной клапан
ARF463AP1G АРФ463AP1G Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Масса 1 (без блокировки) 150°С -55°С 81,36 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 1998 год /files/microsemicorporation-arf463ap1g-datasheets-8788.pdf ТО-247-3 Без свинца 3 25 недель 38.000013г В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) да EAR99 е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ 180 Вт ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения 15 дБ Не квалифицирован Р-ПСФМ-Т3 5,6 нс 4,3 нс 4,2 нс 13,5 нс 30 В ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ 500В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 100 Вт ТО-247АД N-канал 125 В
IXZ2210N50L2 IXZ2210N50L2 ИКСИС-РФ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Z-MOS™ Трубка 1 (без блокировки) 500В 70 МГц Соответствует ROHS3 2016 год /files/ixysrf-ixz2210n50l2-datasheets-8662.pdf 8-SMD, открытая площадка с выводом 10 недель 17 дБ 270 Вт 10А 2 N-канала (двойной) 100 В
PTFC210202FC-V1-R0 PTFC210202FC-V1-R0 Кри/Вулфспид
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Полоска 3 (168 часов) 65В 2,2 ГГц Соответствует RoHS Н-37248-4 12 недель 21 дБ Н-37248-4 5 Вт 170 мА ЛДМОС (двойной) 28В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.