Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактRF MOSFET транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ПДВ | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Коэффициент шума | Выходная мощность | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Максимальная выходная мощность | Напряжение проба | Мощность — Выход | Самый высокий частотный диапазон | Текущий рейтинг (А) | Код JEDEC-95 | Минимальное напряжение проба | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Текущий — Тест | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | Тип транзистора | Напряжение – Тест |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTF5P03T3 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-ntf5p03t3-datasheets-9018.pdf | 4 | нет | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 4 | 30 | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-261АА | 3,7А | 19А | 0,1 Ом | 250 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 475-102Н21А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | DE | Трубка | 1 (без блокировки) | 1000В | 6-SMD, открытая площадка с выводами | 26 недель | 1800 Вт | 24А | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD55015STR-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 500 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd55015stre-datasheets-9025.pdf | 5А | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | Без свинца | 2 | 25 недель | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 73 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 250 | PD55015 | 10 | Одинокий | 30 | 73 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 14 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф2 | 5А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 15 Вт | 40В | 150 мА | 7А | 40В | ЛДМОС | 12,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ8Г27ЛС-100ГВДЖ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 2,5 ГГц~2,7 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blf8g27ls100v112-datasheets-7928.pdf | СОТ-1244С | 6 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BLF8G27 | НЕ УКАЗАН | 1 | 17 дБ | Р-CDSO-G6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 25 Вт | 900 мА | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛМ10Д1822-60АБГЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/ampleonusainc-blm10d182260abgz-datasheets-8904.pdf | 13 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ6Г22ЛС-40П,118 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 2,11 ГГц~2,17 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blf6g22ls40p118-datasheets-8199.pdf | СОТ-1121Б | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | БЛФ6Г22 | НЕ УКАЗАН | 2 | 19 дБ | Р-CDFP-F4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 13,5 Вт | 16А | 410 мА | 16А | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ5484 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 400 МГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbf5486-datasheets-8879.pdf | 25В | 10 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБФ5484 | Одинокий | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | 4 дБ | 225 МВт | 5мА | -25В | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | -25В | 25В | 1 пФ | N-канальный JFET | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD85025TR-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 870 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd85025stre-datasheets-6977.pdf | 7А | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) | 2 | 25 недель | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 79 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | PD85025 | 10 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 79 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17,3 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г2 | 7А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 Вт | 10 Вт | 300 мА | 7А | 40В | ЛДМОС | 13,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ256Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-bf256b-datasheets-8944.pdf | 30 В | 13 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 200мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 350 мВт | НИЖНИЙ | БФ256 | Одинокий | 350 мВт | 1 | Другие транзисторы | 13 мА | -30В | УСИЛИТЕЛЬ | 30 В | СОЕДИНЕНИЕ | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | N-канальный JFET | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АРФ461АГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 1000В | 65 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/microsemicorporation-arf461ag-datasheets-8827.pdf | 6,5 А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 25 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 250 Вт | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 дБ | Р-ПСФМ-Т3 | 6,5 А | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150 Вт | 25 мкА | ТО-247АД | 1кВ | N-канал | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC8G27LS-100AVY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,5 ГГц~2,69 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blc8g27ls100avy-datasheets-8830.pdf | СОТ1275-1 | 13 недель | 15,5 дБ | ДФМ6 | 17,8 Вт | 250 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC8G27LS-180AVY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,5 ГГц~2,69 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blc8g27ls180avz-datasheets-7665.pdf | СОТ1275-3 | 6 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | КВАД | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 14 дБ | Р-PQFP-X6 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 28 Вт | 200 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ9Г20ЛС-160ВДЖ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 1,81 ГГц~1,88 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blf9g20ls160vj-datasheets-8326.pdf | СОТ-1120Б | 13 недель | 19,8 дБ | ЛДМОСТ | 35,5 Вт | 800мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLP0408H9S30Z | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 13 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J211-D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 25В | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mmbfj211-datasheets-8603.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | 38 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 150°С | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,35 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 20 мА | N-канальный JFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LET9045STR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 80В | 960 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-let9045str-datasheets-7046.pdf | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 прямых провода) | 2 | 52 недели | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 250 | LET9045 | 10 | 165°С | 30 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 18,5 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 160 Вт | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 45 Вт | 1 мкА | 300 мА | 9А | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛЭТ9120 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Поднос | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 860 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-let9120-datasheets-8854.pdf | 18А | М246 | 4 | 32 недели | 246 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | 200 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ЛЭТ9120 | 4 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 18 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДФМ-Ф4 | 18А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150 Вт | 400 мА | ЛДМОС | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC10G22XS-400АВТЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | 2,11 ГГц~2,2 ГГц | /files/ampleonusainc-blc10g22xs400avtz-datasheets-8877.pdf | СОТ-1258-4 | 13 недель | 17 дБ | 400 Вт | 2,8 мкА | 800мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ5486 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 400 МГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbf5486-datasheets-8879.pdf | 25В | 10 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБФ5486 | Одинокий | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | 4 дБ | 225 МВт | 20 мА | -25В | УСИЛИТЕЛЬ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -25В | 1 пФ | N-канальный JFET | 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LET9045C | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Поднос | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 960 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-let9045c-datasheets-8888.pdf | 9А | М243 | 2 | 32 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 108 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | LET9045 | 2 | Одинокий | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17,7 дБ | Р-ПДФМ-Ф2 | 9А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 59 Вт | 300 мА | 9А | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 934960262517 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 8 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF888H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 47 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-bf888h6327xtsa1-datasheets-8901.pdf | СОТ-343 | 4 | 4 недели | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | Олово | НПН | 160мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 160мВт | 1 | Р-ПДСО-Г4 | ОДИНОКИЙ | ЭМИТТЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 30 мА | 47000 МГц | 13В | 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZ2210N50L2 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без блокировки) | 500В | 70 МГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/ixysrf-ixz2210n50l2-datasheets-8662.pdf | 8-SMD, открытая площадка с выводом | 10 недель | 17 дБ | 270 Вт | 10А | 2 N-канала (двойной) | 100В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFC210202FC-V1-R0 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Полоска | 3 (168 часов) | 65В | 2,2 ГГц | Соответствует RoHS | Н-37248-4 | 12 недель | 21 дБ | Н-37248-4 | 5 Вт | 170 мА | ЛДМОС (двойной) | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВРФ151 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | 170 В | 175 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/microsemicorporation-vrf151-datasheets-8686.pdf | 16А | М174 | Без свинца | 4 | 27 недель | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 300 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 14 дБ | Не квалифицирован | 16А | 40В | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 180 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150 Вт | 1 мА | 250 мА | N-канал | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 375-501Н21А-00 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | DE | Трубка | 1 (без блокировки) | 500В | 50 МГц | /files/ixysrf-375501n21a00-datasheets-8700.pdf | 6-SMD, открытая площадка с выводами | 26 недель | 940 Вт | 25А | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВРФ2944 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 170 В | 30 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/microsemicorporation-vrf2944-datasheets-8717.pdf | 50А | М177 | Без свинца | 4 | 32 недели | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | ДА | 795 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | 22 дБ | О-ЦРФМ-Ф4 | 50А | 40В | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 180 В | 170 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400 Вт | 250 мА | N-канал | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ148А | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Поднос | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 120 В | 30–175 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/macomtechnologysolutions-mrf148a-datasheets-8720.pdf | 6А | 211-07 | Без свинца | 4 | 20 недель | 4 | да | Соответствует | EAR99 | Нет | 115 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 4 | Одинокий | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 дБ ~ 18 дБ | 6А | 40В | УСИЛИТЕЛЬ | 125 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 Вт | 100 мА | 6А | 125 В | N-канал | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFX1K80HR5 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | Непригодный | 182В | 1,8–470 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/nxpusainc-mrfx1k80hr5-datasheets-8443.pdf | СОТ-979А | 10 недель | EAR99 | 260 | 40 | 24 дБ | 1800 Вт | 10 мкА | 200 мА | ЛДМОС (двойной) | 65В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MW6S010GNR1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 68В | 960 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nxpusainc-mw6s010gnr1-datasheets-8724.pdf | ТО-270БА | 2 | 10 недель | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MW6S010 | 225°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 18 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 61,4 Вт | 68В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10 Вт | 125 мА | ЛДМОС | 28В |
