RF MOSFET-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по продаже электронных компонентов - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Напряжение - номинальное Частота Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/ключи Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ПДВ ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Полярность Справочный стандарт Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Рабочая температура (макс.) Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Прирост Статус квалификации Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Коэффициент шума Выходная мощность Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение проба-мин. Технология полевых транзисторов Максимальная выходная мощность Напряжение проба Мощность — Выход Самый высокий частотный диапазон Текущий рейтинг (А) Код JEDEC-95 Минимальное напряжение проба Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Частота смены Текущий — Тест Максимальный сток (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Обратная связь Cap-Max (Crss) Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение проба стока к источнику Базовое напряжение коллектора (VCBO) Базовое напряжение эмиттера (VEBO) Тип транзистора Напряжение – Тест
NTF5P03T3 NTF5P03T3 Рочестер Электроникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Не соответствует требованиям RoHS /files/rochesterelectronicsllc-ntf5p03t3-datasheets-9018.pdf 4 нет СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е0 Оловянный свинец ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 240 4 30 1 КОММЕРЧЕСКИЙ Р-ПДСО-Г4 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ П-КАНАЛ 30 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК ТО-261АА 3,7А 19А 0,1 Ом 250 мДж
475-102N21A-00 475-102Н21А-00 ИКСИС-РФ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать DE Трубка 1 (без блокировки) 1000В 6-SMD, открытая площадка с выводами 26 недель 1800 Вт 24А N-канал
PD55015STR-E PD55015STR-E СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 165°С -65°С 500 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-pd55015stre-datasheets-9025.pdf PowerSO-10 Открытая нижняя подушка Без свинца 2 25 недель 3 EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ не_совместимо е3 Матовое олово (Sn) - отожженное 73 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 250 PD55015 10 Одинокий 30 73 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 14 дБ Не квалифицирован Р-ПДСО-Ф2 20 В ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 40В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 15 Вт 40В 150 мА 40В ЛДМОС 12,5 В
BLF8G27LS-100GVJ БЛФ8Г27ЛС-100ГВДЖ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 65В 2,5 ГГц~2,7 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-blf8g27ls100v112-datasheets-7928.pdf СОТ-1244С 6 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН BLF8G27 НЕ УКАЗАН 1 17 дБ Р-CDSO-G6 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 25 Вт 900 мА ЛДМОС 28В
BLM10D1822-60ABGZ БЛМ10Д1822-60АБГЗ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 /files/ampleonusainc-blm10d182260abgz-datasheets-8904.pdf 13 недель
BLF6G22LS-40P,118 БЛФ6Г22ЛС-40П,118 Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 65В 2,11 ГГц~2,17 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blf6g22ls40p118-datasheets-8199.pdf СОТ-1121Б 4 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН БЛФ6Г22 НЕ УКАЗАН 2 19 дБ Р-CDFP-F4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 13,5 Вт 16А 410 мА 16А LDMOS (двойной), общий источник 28В
MMBF5484 ММБФ5484 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -55°С 400 МГц РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2008 год /files/onsemiconductor-mmbf5486-datasheets-8879.pdf 25В 10 мА ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2,92 мм 930 мкм 1,3 мм Без свинца 3 16 недель 30мг Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) да EAR99 Олово Нет 8541.21.00.95 е3 225 МВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ МБФ5484 Одинокий 225 МВт 1 Другие транзисторы 4 дБ 225 МВт 5мА -25В УСИЛИТЕЛЬ СОЕДИНЕНИЕ -25В 25В 1 пФ N-канальный JFET 15 В
PD85025TR-E PD85025TR-E СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 165°С -65°С 870 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-pd85025stre-datasheets-6977.pdf PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) 2 25 недель 3 EAR99 не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) 79 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН PD85025 10 Одинокий НЕ УКАЗАН 79 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 17,3 дБ Не квалифицирован Р-ПДСО-Г2 15 В ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 40В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 30 Вт 10 Вт 300 мА 40В ЛДМОС 13,6 В
BF256B БФ256Б ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Масса 1 (без блокировки) 150°С -55°С РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2015 год /files/onsemiconductor-bf256b-datasheets-8944.pdf 30 В 13 мА ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) 4,58 мм 4,58 мм 3,86 мм Без свинца 3 6 недель 200мг Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) да EAR99 Медь, Серебро, Олово Нет 8541.21.00.95 е3 Олово (Вс) 350 мВт НИЖНИЙ БФ256 Одинокий 350 мВт 1 Другие транзисторы 13 мА -30В УСИЛИТЕЛЬ 30 В СОЕДИНЕНИЕ СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б N-канальный JFET
ARF461AG АРФ461АГ Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Масса 1 (без блокировки) 150°С -55°С 1000В 65 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 1998 год /files/microsemicorporation-arf461ag-datasheets-8827.pdf 6,5 А ТО-247-3 Без свинца 3 25 недель В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) да EAR99 Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ 250 Вт ОДИНОКИЙ 3 1 Полевой транзистор общего назначения 15 дБ Р-ПСФМ-Т3 6,5 А ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 150 Вт 25 мкА ТО-247АД 1кВ N-канал 50В
BLC8G27LS-100AVY BLC8G27LS-100AVY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 2,5 ГГц~2,69 ГГц Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-blc8g27ls100avy-datasheets-8830.pdf СОТ1275-1 13 недель 15,5 дБ ДФМ6 17,8 Вт 250 мА LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLC8G27LS-180AVY BLC8G27LS-180AVY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 2,5 ГГц~2,69 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-blc8g27ls180avz-datasheets-7665.pdf СОТ1275-3 6 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА КВАД НЕУКАЗАНО НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 14 дБ Р-PQFP-X6 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 28 Вт 200 мА LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLF9G20LS-160VJ БЛФ9Г20ЛС-160ВДЖ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 65В 1,81 ГГц~1,88 ГГц Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-blf9g20ls160vj-datasheets-8326.pdf СОТ-1120Б 13 недель 19,8 дБ ЛДМОСТ 35,5 Вт 800мА ЛДМОС 28В
BLP0408H9S30Z BLP0408H9S30Z Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 13 недель
J211-D74Z J211-D74Z ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) 25В РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2012 год /files/onsemiconductor-mmbfj211-datasheets-8603.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) 3 38 недель АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) да НЕТ НИЖНИЙ ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ 150°С 1 Другие транзисторы Не квалифицирован О-PBCY-T3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ 0,35 Вт СОЕДИНЕНИЕ ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 20 мА N-канальный JFET
LET9045STR LET9045STR СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 80В 960 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-let9045str-datasheets-7046.pdf PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 прямых провода) 2 52 недели 3 EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ не_совместимо е3 Матовое олово (Sn) - отожженное ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 250 LET9045 10 165°С 30 1 Полевой транзистор общего назначения 18,5 дБ Не квалифицирован Р-ПДСО-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 160 Вт 80В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 45 Вт 1 мкА 300 мА ЛДМОС 28В
LET9120 ЛЭТ9120 СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Винт Поднос 1 (без блокировки) 150°С -65°С 860 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-let9120-datasheets-8854.pdf 18А М246 4 32 недели 246 АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) EAR99 200 Вт ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН ЛЭТ9120 4 Двойной НЕ УКАЗАН 2 Полевой транзистор общего назначения 18 дБ Не квалифицирован Р-ПДФМ-Ф4 18А 15 В ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 80В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 150 Вт 400 мА ЛДМОС 32В
BLC10G22XS-400AVTZ BLC10G22XS-400АВТЗ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 3 (168 часов) 65В 2,11 ГГц~2,2 ГГц /files/ampleonusainc-blc10g22xs400avtz-datasheets-8877.pdf СОТ-1258-4 13 недель 17 дБ 400 Вт 2,8 мкА 800мА ЛДМОС 28В
MMBF5486 ММБФ5486 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -55°С 400 МГц РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2008 год /files/onsemiconductor-mmbf5486-datasheets-8879.pdf 25В 10 мА ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2,92 мм 930 мкм 1,3 мм Без свинца 3 16 недель 30мг Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) да EAR99 Олово Нет 8541.21.00.95 е3 225 МВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ ММБФ5486 Одинокий 225 МВт 1 Другие транзисторы 4 дБ 225 МВт 20 мА -25В УСИЛИТЕЛЬ МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК -25В 1 пФ N-канальный JFET 15 В
LET9045C LET9045C СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Винт Поднос 1 (без блокировки) 150°С -65°С 960 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-let9045c-datasheets-8888.pdf М243 2 32 недели 3 АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) EAR99 Нет 108 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ LET9045 2 Одинокий 1 Полевой транзистор общего назначения 17,7 дБ Р-ПДФМ-Ф2 15 В ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 80В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 59 Вт 300 мА ЛДМОС 28В
934960262517 934960262517 Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 8 недель
BF888H6327XTSA1 BF888H6327XTSA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -55°С 47 ГГц Соответствует ROHS3 2010 год /files/infineontechnologies-bf888h6327xtsa1-datasheets-8901.pdf СОТ-343 4 4 недели да EAR99 НИЗКИЙ ШУМ Олово НПН 160мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 160мВт 1 Р-ПДСО-Г4 ОДИНОКИЙ ЭМИТТЕР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 мА 47000 МГц 13В 1,2 В
IXZ2210N50L2 IXZ2210N50L2 ИКСИС-РФ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Z-MOS™ Трубка 1 (без блокировки) 500В 70 МГц Соответствует ROHS3 2016 год /files/ixysrf-ixz2210n50l2-datasheets-8662.pdf 8-SMD, открытая площадка с выводом 10 недель 17 дБ 270 Вт 10А 2 N-канала (двойной) 100В
PTFC210202FC-V1-R0 PTFC210202FC-V1-R0 Кри/Вулфспид
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Полоска 3 (168 часов) 65В 2,2 ГГц Соответствует RoHS Н-37248-4 12 недель 21 дБ Н-37248-4 5 Вт 170 мА ЛДМОС (двойной) 28В
VRF151 ВРФ151 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Винт Трубка 1 (без блокировки) 200°С -65°С 170 В 175 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 1998 год /files/microsemicorporation-vrf151-datasheets-8686.pdf 16А М174 Без свинца 4 27 недель 4 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) EAR99 300 Вт РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 14 дБ Не квалифицирован 16А 40В ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ 180 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 150 Вт 1 мА 250 мА N-канал 50В
375-501N21A-00 375-501Н21А-00 ИКСИС-РФ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать DE Трубка 1 (без блокировки) 500В 50 МГц /files/ixysrf-375501n21a00-datasheets-8700.pdf 6-SMD, открытая площадка с выводами 26 недель 940 Вт 25А N-канал
VRF2944 ВРФ2944 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Масса 1 (без блокировки) 150°С -65°С 170 В 30 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 1998 год /files/microsemicorporation-vrf2944-datasheets-8717.pdf 50А М177 Без свинца 4 32 недели В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) ДА 795 Вт РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ 1 22 дБ О-ЦРФМ-Ф4 50А 40В ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 180 В 170 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 400 Вт 250 мА N-канал 50В
MRF148A МРФ148А Технологические решения МАКОМ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Винт Поднос 1 (без блокировки) 150°С -65°С 120 В 30–175 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год /files/macomtechnologysolutions-mrf148a-datasheets-8720.pdf 211-07 Без свинца 4 20 недель 4 да Соответствует EAR99 Нет 115 Вт РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ 4 Одинокий 1 Полевой транзистор общего назначения 15 дБ ~ 18 дБ 40В УСИЛИТЕЛЬ 125 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 30 Вт 100 мА 125 В N-канал 50В
MRFX1K80HR5 MRFX1K80HR5 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Разрезанная лента (CT) Непригодный 182В 1,8–470 МГц Соответствует ROHS3 2006 г. /files/nxpusainc-mrfx1k80hr5-datasheets-8443.pdf СОТ-979А 10 недель EAR99 260 40 24 дБ 1800 Вт 10 мкА 200 мА ЛДМОС (двойной) 65В
MW6S010GNR1 MW6S010GNR1 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 68В 960 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год /files/nxpusainc-mw6s010gnr1-datasheets-8724.pdf ТО-270БА 2 10 недель EAR99 не_совместимо 8541.29.00.75 е3 Олово (Вс) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 MW6S010 225°С 40 1 Полевой транзистор общего назначения 18 дБ Не квалифицирован Р-ПДСО-Г2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 61,4 Вт 68В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 10 Вт 125 мА ЛДМОС 28В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.