Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактRF MOSFET транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Строительство | Тип ВЧ/СВЧ-устройства | Входная мощность-Макс. (ПК) | Характеристический импеданс | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Поставщик пакета оборудования | Коэффициент шума | Выходная мощность | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Максимальная выходная мощность | Напряжение проба | Мощность — Выход | Самый высокий частотный диапазон | Текущий рейтинг (А) | Код JEDEC-95 | Минимальное напряжение проба | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Текущий — Тест | Максимальный сток (Abs) (ID) | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | Тип транзистора | Напряжение – Тест |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SKY65050-372LF | Скайворкс Солюшнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 6В | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/skyworkssolutionsinc-sky65050372lfevb-datasheets-7157.pdf | 55 мА | СК-82А, СОТ-343 | 10 недель | да | е3 | Олово (Вс) | КОМПОНЕНТ | ШИРОКОПОЛОСНАЯ СРЕДНЯЯ МОЩНОСТЬ | 10 дБм | 50Ом | 15,5 дБ | 0,4 дБ | 10,5 дБм | 20 мА | ФЭМТ ФТ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ556А,235 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 30 В | Соответствует ROHS3 | /files/nxpusainc-bf556c215-datasheets-6143.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 8 недель | е3 | Олово (Вс) | ДА | БФ556 | 3 | 150°С | Другие транзисторы | 2013-06-14 00:00:00 | 0,25 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 7мА | N-канальный JFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGH21240F | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ган | 1 (без блокировки) | 84В | 1,8–2,3 ГГц | 440117 | 15 дБ | 440117 | 240 Вт | 1А | ХЕМТ | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LET9045C | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Поднос | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 960 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-let9045c-datasheets-8888.pdf | 9А | М243 | 2 | 32 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 108 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | LET9045 | 2 | Одинокий | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17,7 дБ | Р-ПДФМ-Ф2 | 9А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 59 Вт | 300 мА | 9А | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 934960262517 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 8 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF888H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 47 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-bf888h6327xtsa1-datasheets-8901.pdf | СОТ-343 | 4 | 4 недели | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | Олово | НПН | 160мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 160мВт | 1 | Р-ПДСО-Г4 | ОДИНОКИЙ | ЭМИТТЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 30 мА | 47000 МГц | 13В | 1,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ8Г27ЛС-100ГВДЖ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 2,5 ГГц~2,7 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blf8g27ls100v112-datasheets-7928.pdf | СОТ-1244С | 6 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BLF8G27 | НЕ УКАЗАН | 1 | 17 дБ | Р-CDSO-G6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 25 Вт | 900 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛМ10Д1822-60АБГЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/ampleonusainc-blm10d182260abgz-datasheets-8904.pdf | 13 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ6Г22ЛС-40П,118 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 2,11 ГГц~2,17 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blf6g22ls40p118-datasheets-8199.pdf | СОТ-1121Б | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | БЛФ6Г22 | НЕ УКАЗАН | 2 | 19 дБ | Р-CDFP-F4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 13,5 Вт | 16А | 410 мА | 16А | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ5484 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 400 МГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbf5486-datasheets-8879.pdf | 25В | 10 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБФ5484 | Одинокий | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | 4 дБ | 225 МВт | 5мА | -25В | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | -25В | 25В | 1 пФ | N-канальный JFET | 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD85025TR-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 870 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd85025stre-datasheets-6977.pdf | 7А | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) | 2 | 25 недель | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 79 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | PD85025 | 10 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 79 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17,3 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г2 | 7А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 Вт | 10 Вт | 300 мА | 7А | 40В | ЛДМОС | 13,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ256Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-bf256b-datasheets-8944.pdf | 30 В | 13 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 200мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 350 мВт | НИЖНИЙ | БФ256 | Одинокий | 350 мВт | 1 | Другие транзисторы | 13 мА | -30В | УСИЛИТЕЛЬ | 30 В | СОЕДИНЕНИЕ | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | N-канальный JFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АРФ461АГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 1000В | 65 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/microsemicorporation-arf461ag-datasheets-8827.pdf | 6,5 А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 25 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 250 Вт | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 дБ | Р-ПСФМ-Т3 | 6,5 А | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150 Вт | 25 мкА | ТО-247АД | 1кВ | N-канал | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC8G27LS-100AVY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,5 ГГц~2,69 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blc8g27ls100avy-datasheets-8830.pdf | СОТ1275-1 | 13 недель | 15,5 дБ | ДФМ6 | 17,8 Вт | 250 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC8G27LS-180AVY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,5 ГГц~2,69 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blc8g27ls180avz-datasheets-7665.pdf | СОТ1275-3 | 6 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | КВАД | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 14 дБ | Р-PQFP-X6 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 28 Вт | 200 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ9Г20ЛС-160ВДЖ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 1,81 ГГц~1,88 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/ampleonusainc-blf9g20ls160vj-datasheets-8326.pdf | СОТ-1120Б | 13 недель | 19,8 дБ | ЛДМОСТ | 35,5 Вт | 800мА | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLP0408H9S30Z | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 13 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J211-D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 25В | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mmbfj211-datasheets-8603.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | 38 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 150°С | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,35 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 20 мА | N-канальный JFET | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LET9045STR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 80В | 960 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-let9045str-datasheets-7046.pdf | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 прямых провода) | 2 | 52 недели | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 250 | LET9045 | 10 | 165°С | 30 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 18,5 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 160 Вт | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 45 Вт | 1 мкА | 300 мА | 9А | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛЭТ9120 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Поднос | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 860 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-let9120-datasheets-8854.pdf | 18А | М246 | 4 | 32 недели | 246 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | 200 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ЛЭТ9120 | 4 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 18 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДФМ-Ф4 | 18А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150 Вт | 400 мА | ЛДМОС | 32В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC10G22XS-400АВТЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | 2,11 ГГц~2,2 ГГц | /files/ampleonusainc-blc10g22xs400avtz-datasheets-8877.pdf | СОТ-1258-4 | 13 недель | 17 дБ | 400 Вт | 2,8 мкА | 800мА | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ5486 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 400 МГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbf5486-datasheets-8879.pdf | 25В | 10 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБФ5486 | Одинокий | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | 4 дБ | 225 МВт | 20 мА | -25В | УСИЛИТЕЛЬ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -25В | 1 пФ | N-канальный JFET | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФТ05МП075НР1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 40В | 520 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-270АБ | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.40 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 260 | 225°С | 40 | Полевой транзистор общего назначения | 18,5 дБ | Одинокий | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 690 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 70 Вт | 400 мА | ЛДМОС (двойной) | 12,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ6В10010НР4 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 100 В | 1,09 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nxpusainc-mrf6v10010nr4-datasheets-8776.pdf | ПЛД-1,5 | 4 | 10 недель | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | МРФ6В10010 | 200°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 25 дБ | Не квалифицирован | Р-PQCC-N4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10 Вт | 10 мА | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LET9045F | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | 960 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-let9045f-datasheets-8652.pdf | 9А | М250 | Без свинца | 2 | 32 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 108 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | LET9045 | 2 | Одинокий | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17,7 дБ | Р-ПДФП-Ф2 | 9А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 59 Вт | 300 мА | 9А | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFE6S9060NR1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 66В | 880 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nxpusainc-mrfe6s9060nr1-datasheets-8679.pdf | ТО-270АА | 2 | 10 недель | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | MRFE6S9060 | 225°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 21,1 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 66В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 14 Вт | 450 мА | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3СК293(ТЭ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | 800 МГц | Соответствует RoHS | 2010 год | 30 мА | СК-82А, СОТ-343 | 52 недели | 4 | неизвестный | 100мВт | 22 дБ | 2,5 дБ | 30 мА | 8В | 12,5 В | 10 мА | N-канальный двойной клапан | 6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АРФ463AP1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 81,36 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/microsemicorporation-arf463ap1g-datasheets-8788.pdf | 9А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 25 недель | 38.000013г | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | EAR99 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 180 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 дБ | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 5,6 нс | 4,3 нс | 4,2 нс | 13,5 нс | 9А | 30 В | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 100 Вт | ТО-247АД | 9А | N-канал | 125 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZ2210N50L2 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-MOS™ | Трубка | 1 (без блокировки) | 500В | 70 МГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/ixysrf-ixz2210n50l2-datasheets-8662.pdf | 8-SMD, открытая площадка с выводом | 10 недель | 17 дБ | 270 Вт | 10А | 2 N-канала (двойной) | 100 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFC210202FC-V1-R0 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Полоска | 3 (168 часов) | 65В | 2,2 ГГц | Соответствует RoHS | Н-37248-4 | 12 недель | 21 дБ | Н-37248-4 | 5 Вт | 170 мА | ЛДМОС (двойной) | 28В |
