Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
SCRS Thyristors - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Статус Ройс Опуликовано Техниль Это PakeT / KORPUES Колист Верна МАССА Колист PBFREE CODE КОД ECCN DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Я Поседл Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 ПАКЕТИВАЕТСЯ ТИП ССЕЕМы RMS Current (IRMS) Коунфигура Ток DerжaTTHTOK МАКСИМАЛНА NeShaviymый pk -curte cur УДЕРИВОВОЙ Potrnoe pikowowowowowowowowowowowosepowosepowose obratnoe anpprayeseenee Зapypytth На Potrnoe pikowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowose Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (IH) (MMAKS) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Current - On State (It (av)) (MMAKS) ТИП СКР Naprayжeniee - na -coStoanaonik ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) Критистеска Айроф Сэма снета-с.
VS-ST1000C22K1 VS-ST1000C22K1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1000c14k1-datasheets-3997.pdf 1.473KA TO-200AC, K-PUK, A-24 12 A-24 (K-PUK) Скрип 2.913KA 600 май 2,2 К. 2,2 К. 2913A 600 май 17000 A 18100 200 май 1473. Станодано 1,8 В. 100 май
N3597ML020 N3597ML020 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 140 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AC, K-PUK 8 200 м 7030. 1A 50000a @ 50 gц 300 май 3597. Станодано 1,53 В. 100 май
T9K7300903DH T9K7300903DH Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 6 Станодано
N3597ML060 N3597ML060 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 140 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AC, K-PUK 8 600 м 7030. 1A 50000a @ 50 gц 300 май 3597. Станодано 1,53 В. 100 май
VS-ST1000C22K0L VS-ST1000C22K0L Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1000c14k1-datasheets-3997.pdf 1.473KA TO-200AC, K-PUK, A-24 12 453.59237G A-24 (K-PUK) Скрип 2.913KA 600 май 2,2 К. 2,2 К. 2913A 600 май 17000 A 18100 200 май 1473. Станодано 1,8 В. 100 май
VS-ST1280C06K0 VS-ST1280C06K0 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1280c04k0-datasheets-2155.pdf 2.31KA TO-200AC, K-PUK, A-24 12 Ear99 НЕИ Nukahan Nukahan Скрип 4.15ka 600 май 600 Скрип 600 4150A 42500A 44500A 200 май 2310a Станодано 1,44 100 май
VS-ST1000C24K0L VS-ST1000C24K0L Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1000c14k1-datasheets-3997.pdf 1.473KA TO-200AC, K-PUK, A-24 12 A-24 (K-PUK) Скрип 2.913KA 600 май 2,4 кв 2,4 кв 2913A 600 май 17000 A 18100 200 май 1473. Станодано 1,8 В. 100 май
C702CP C702CP Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2004 /files/powerexinc-c702cp-datasheets-4086.pdf TO-200AB, A-PUK 3 в дар НЕИ 8541.30.00.80 НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-CXDB-X3 1571ka Одинокий 65 май 15000 а 3000 Скрип 3 кв 3000 1571a 4,5 В. 20500a 21500a 200 май 1000A Станодано 1,85 150 май 200 В/С.С.А.
T9K7360803DH T9K7360803DH Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerex-t9k7360803dh-datasheets-5433.pdf 6 2 Станодано
T9K7340803DH T9K7340803DH Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerex-t9k7340803dh-datasheets-5434.pdf 6 2 Станодано
VS-ST1200C18K0P VS-ST1200C18K0P Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1200c20k0lp-datasheets-4014.pdf TO-200AC, K-PUK, A-24 12 2 A-24 (K-PUK) 3.08ka 600 май 1,8 кв 1,8 кв 3080a 600 май 25700a 26900a 200 май 1650a Станодано 1,73 В. 100 май
T9K7300803DH T9K7300803DH Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerex-t9k7300803dh-datasheets-5437.pdf 6 2 Станодано
R0964LC12E R0964LC12E Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 TO-200AB, B-PUK 8 Ear99 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite 70 май 10800 а 1000 мат Скрип 1,2 кв 1200 1971a 1A 10800a @ 50 gц 300 май 964a Станодано 1,96 70 май 200 В/С.С.А. 25 мкс
N3597ML040 N3597ML040 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 140 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AC, K-PUK 8 400 м 7030. 1A 50000a @ 50 gц 300 май 3597. Станодано 1,53 В. 100 май
T707023374BY T707023374BY Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t707023344by-datasheets-7591.pdf Do-200ab, b-puk 3 6 в дар Ear99 НЕИ 8541.30.00.80 Вергини Перо Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-XUPM-D3 500A Одинокий 30 май 8000 а 200 Скрип 200 200 8000a @ 60 gц 150 май 325а Станодано 1,4 В. 30 май 300 v/sшa
VS-ST700C20L0L VS-ST700C20L0L Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst700c12l0-datasheets-7740.pdf DO 200AC, B-PUK 18 2 Ear99 НЕИ Nukahan Nukahan 1857ka 600 май 2 К. Скрип 2 К. 1857a 13200a 13800a 200 май 910a Станодано 1,8 В. 80 май
N2367MK220 N2367MK220 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AC, K-PUK 8 WP3 2,2 К. 4642a 1A 35700a @ 50 gц 300 май 2367a Станодано 2,4 В. 100 май
VS-ST1000C18K1 VS-ST1000C18K1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1000c14k1-datasheets-3997.pdf 1.473KA TO-200AC, K-PUK, A-24 12 A-24 (K-PUK) Скрип 2.913KA 600 май 1,8 кв 2913A 600 май 17000 A 18100 200 май 1473. Станодано 1,8 В. 100 май
VS-ST1200C20K0LP VS-ST1200C20K0LP Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1200c20k0lp-datasheets-4014.pdf TO-200AC, K-PUK, A-24 12 2 A-24 (K-PUK) 3.08ka 600 май 2 К. 2 К. 3080a 600 май 25700a 26900a 200 май 1650a Станодано 1,73 В. 100 май
VS-ST1230C14K1P VS-ST1230C14K1P Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1230c16k0-datasheets-2263.pdf TO-200AC, K-PUK, A-24 12 2 A-24 (K-PUK) 3.2ka 600 май 1,4 кв 1,4 кв 3200A 600 май 28200A 29500A 200 май 1745. Станодано 1,62 В. 100 май
VS-ST1280C06K1 VS-ST1280C06K1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1280c04k0-datasheets-2155.pdf 2.31KA TO-200AC, K-PUK, A-24 12 453.59237G Ear99 НЕИ Nukahan Nukahan Скрип 4.15ka 600 май 600 Скрип 600 4150A 35700A 37400A 200 май 2310a Станодано 1,44 100 май
T9K7320803DH T9K7320803DH Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerex-t9k7320803dh-datasheets-5401.pdf 6 2 Станодано
VS-ST1200C14K0P VS-ST1200C14K0P Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1200c20k0lp-datasheets-4014.pdf TO-200AC, K-PUK, A-24 12 2 A-24 (K-PUK) 3.08ka 600 май 1,4 кв 1,4 кв 3080a 600 май 25700a 26900a 200 май 1650a Станодано 1,73 В. 100 май
VS-ST1200C16K0P VS-ST1200C16K0P Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1200c20k0lp-datasheets-4014.pdf TO-200AC, K-PUK, A-24 12 2 A-24 (K-PUK) 3.08ka 600 май 1,6 кв 1,6 кв 3080a 600 май 25700a 26900a 200 май 1650a Станодано 1,73 В. 100 май
VS-ST1230C14K0LP VS-ST1230C14K0LP Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1230c16k0-datasheets-2263.pdf TO-200AC, K-PUK, A-24 12 2 A-24 (K-PUK) 3.2ka 600 май 1,4 кв 1,4 кв 3200A 600 май 28200A 29500A 200 май 1745. Станодано 1,62 В. 100 май
T9K7340903DH T9K7340903DH Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 6 Станодано
VS-ST1000C22K1L VS-ST1000C22K1L Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1000c14k1-datasheets-3997.pdf 1.473KA TO-200AC, K-PUK, A-24 12 A-24 (K-PUK) Скрип 2.913KA 600 май 2,2 К. 2,2 К. 2913A 600 май 17000 A 18100 200 май 1473. Станодано 1,8 В. 100 май
VS-ST333S04PFM0 VS-ST333S04PFM0 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2014 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst333s08pfl0p-datasheets-7778.pdf TO-209ae, до 118-4, Stud 18 4 ST333S TO-209ae (DO 118) 518а 600 май 400 400 518а 600 май 11000a 11520a 200 май 330. Станодано 1,96 50 май
VS-ST1000C16K1 VS-ST1000C16K1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1000c14k1-datasheets-3997.pdf 1.473KA TO-200AC, K-PUK, A-24 12 A-24 (K-PUK) Скрип 2.913KA 600 май 1,6 кв 1,6 кв 2913A 600 май 17000 A 18100 200 май 1473. Станодано 1,8 В. 100 май
VS-ST300S18M0PBF VS-ST300S18M0PBF Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2017 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst300s12p0pbf-datasheets-7714.pdf TO-209ae, до 118-4, Stud 14 Ear99 НЕИ Nukahan Nukahan 470a 600 май Скрип 1,8 кв 470a 6730A 7040A 200 май 300A Станодано 1,66 30 май

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.