Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
SCRS Thyristors - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Статус Ройс Опуликовано Техниль Это PakeT / KORPUES Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC Колист PBFREE CODE КОД ECCN DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Я Поседл Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 ПАКЕТИВАЕТСЯ ТИП ССЕЕМы RMS Current (IRMS) Коунфигура Ток DerжaTTHTOK МАКСИМАЛНА NeShaviymый pk -curte cur Potrnoe pikowowowowowowowowowowowosepowosepowose obratnoe anpprayeseenee Зapypytth На Potrnoe pikowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowowose Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (IH) (MMAKS) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Current - On State (It (av)) (MMAKS) ТИП СКР Naprayжeniee - na -coStoanaonik ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) Критистеска Айроф
VS-ST1230C14K0P VS-ST1230C14K0P Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1230c16k0-datasheets-2263.pdf TO-200AC, K-PUK, A-24 12 2 A-24 (K-PUK) 3.2ka 600 май 1,4 кв 1,4 кв 3200A 600 май 28200A 29500A 200 май 1745. Станодано 1,62 В. 100 май
N2900QL060 N2900QL060 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° С ~ 150 ° С. 1 (neograniчennnый) Rohs3 TO-200AB, B-PUK 8 600 м 5520a 1A 30800a @ 50 gц 300 май 2900A Станодано 1,47 100 май
T9KC600603DH T9KC600603DH Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/powerexinc-t9kc600603dh-datasheets-4044.pdf Кермика 3 6 3 в дар НЕИ В дар НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan 3 Nukahan 1 Н.Квалиирована 1,1 К. А. Одинокий 6000 В Скрип 6 к 6000 В 1100A 7307A 7750A 200 май 700A Станодано 3,7 В. 180 май
T707023374BY T707023374BY Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t707023344by-datasheets-7591.pdf Do-200ab, b-puk 3 6 в дар Ear99 НЕИ 8541.30.00.80 Вергини Перо Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-XUPM-D3 500A Одинокий 30 май 8000 а 200 Скрип 200 200 8000a @ 60 gц 150 май 325а Станодано 1,4 В. 30 май 300 v/sшa
VS-ST700C20L0L VS-ST700C20L0L Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst700c12l0-datasheets-7740.pdf DO 200AC, B-PUK 18 2 Ear99 НЕИ Nukahan Nukahan 1857ka 600 май 2 К. Скрип 2 К. 1857a 13200a 13800a 200 май 910a Станодано 1,8 В. 80 май
T707123044BY T707123044BY Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t707023044by-datasheets-7491.pdf Do-200ab, b-puk 3 6 в дар НЕИ 8541.30.00.80 Вергини Перо Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-XUPM-D3 475а Одинокий 30 май 8000 а 1200 Скрип 1,2 кв 1200 8000a @ 60 gц 150 май 300A Станодано 1,45 30 май 300 v/sшa
T9K7260803DH T9K7260803DH Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerex-t9k7260803dh-datasheets-5381.pdf 6 2 Станодано
N1725MC320 N1725MC320 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AC, K-PUK 8 3,2 кв 3360a 1A 22000a @ 50 gц 300 май 1725. Станодано 150 май
VS-ST303C12LFK1L VS-ST303C12LFK1L Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2011 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst303c04cfl0-datasheets-7463.pdf TO-200AB, E-Puk 18 2 TO-200AB (E-PUK) 1,18 к.а. 600 май 1,2 кв 1,2 кв 1180a 600 май 6690a 7000a 200 май 620A Станодано 2.16 50 май
T9K7280803DH T9K7280803DH Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerex-t9k7280803dh-datasheets-5382.pdf 6 2 Станодано
N2600MC180 N2600MC180 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AC, K-PUK 8 1,8 кв 5200. 1A 33000a @ 50 gц 300 май 2600A Станодано 100 май
VS-ST300S18M0 VS-ST300S18M0 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) В 2017 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst300s12p0pbf-datasheets-7714.pdf TO-209ae, до 118-4, Stud 18 Ear99 НЕИ 470a 600 май Скрип 1,8 кв 470a 6730A 7040A 200 май 300A Станодано 1,66 30 май
VS-ST303C12LFK0L VS-ST303C12LFK0L Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2011 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst303c04cfl0-datasheets-7463.pdf TO-200AB, E-Puk 18 2 TO-200AB (E-PUK) 1,18 к.а. 600 май 1,2 кв 1,2 кв 1180a 600 май 6690a 7000a 200 май 620A Станодано 2.16 50 май
N1725MC360 N1725MC360 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AC, K-PUK 8 3,6 кв 3360a 1A 22000a @ 50 gц 300 май 1725. Станодано 150 май
VS-ST333S08MFL1 VS-ST333S08MFL1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2017 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst333s08pfl0p-datasheets-7778.pdf TO-209ae, до 118-4, Stud 18 TO-209ae (DO 118) 518а 600 май 800 518а 600 май 9250A 9700A 200 май 330. Станодано 1,96 50 май
T7071230B4BY T7071230B4BY Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t707023044by-datasheets-7491.pdf Do-200ab, b-puk 3 6 3 в дар НЕИ Вергини Перо Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована 475а Одинокий 8000 а 1200 Скрип 1,2 кв 1200 8000a @ 60 gц 150 май 300A Станодано 1,45 30 май
N2055MC260 N2055MC260 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AC, K-PUK 8 2,6 кв 4135а 1A 28400a @ 50 gц 300 май 2105. Станодано 2,47 120 май
VS-ST303S12PFK0 VS-ST303S12PFK0 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) В 2014 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst303s04pfn0p-datasheets-3803.pdf TO-209ae, до 118-4, Stud 14 4 Ear99 НЕИ Nukahan ST303S Nukahan 471. 600 май 1,2 кв Скрип 1,2 кв 7950a 8320a 200 май 300A Станодано 2.16 50 май
T7070833B4BY T7070833B4BY Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Шpiolga Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /files/powerexinc-t707023344by-datasheets-7591.pdf Do-200ab, b-puk 3 6 в дар НЕИ 8541.30.00.80 Вергини Перо Nukahan 3 Nukahan 1 Kremniewы yaprawlyemhemы vыprahamite Н.Квалиирована O-XUPM-D3 500A Одинокий 30 май 8000 а 800 Скрип 800 800 8000a @ 60 gц 150 май 325а Станодано 1,4 В. 30 май 300 v/sшa
VS-ST1000C14K1 VS-ST1000C14K1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) В 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1000c14k1-datasheets-3997.pdf 1.473KA TO-200AC, K-PUK, A-24 12 453.59237G Ear99 НЕИ Nukahan ST1000C*k Nukahan Скрип 2.913KA 600 май Скрип 1,4 кв 2913A 20А 21.2а 200 май 1473. Станодано 1,8 В. 100 май
VS-ST303C10LFJ0 VS-ST303C10LFJ0 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2011 год /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst303c04cfl0-datasheets-7463.pdf 620A TO-200AB, E-Puk 18 НЕИ 2 ST303C*L. TO-200AB (E-PUK) Скрип 995. 600 май 1 к 1 к 995. 600 май 7950a 8320a 200 май 515а Станодано 2.16 50 май
N2055MC280 N2055MC280 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AC, K-PUK 8 2,8 кв 4135а 1A 28400a @ 50 gц 300 май 2105. Станодано 2,47 120 май
VS-ST333S08PFL0 VS-ST333S08PFL0 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2014 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst333s08pfl0p-datasheets-7778.pdf TO-209ae, до 118-4, Stud 14 4 Ear99 НЕИ Nukahan ST333S Nukahan 518а 600 май 800 Скрип 800 11000a 11520a 200 май 330. Станодано 1,96 50 май
VS-ST1280C04K1 VS-ST1280C04K1 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2007 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst1280c04k0-datasheets-2155.pdf 2.31KA TO-200AC, K-PUK, A-24 12 Ear99 НЕИ Nukahan Nukahan Скрип 4.15ka 600 май 400 Скрип 400 4150A 35700A 37400A 200 май 2310a Станодано 1,44 100 май
N2600MC160 N2600MC160 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 125 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 DO 200AC, K-PUK 8 1,6 кв 5200. 1A 33000a @ 50 gц 300 май 2600A Станодано 100 май
VS-ST330S16M1L VS-ST330S16M1L Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С В 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst330s12p0pbf-datasheets-7701.pdf TO-209ae, до 118-4, Stud 18 TO-209ae (DO 118) 520A 600 май 1,6 кв 520A 600 май 7570A 7920A 200 май 330. Станодано 1,52 В. 50 май
T9K7260903DH T9K7260903DH Powerex Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 6 Станодано
VS-ST330S12Q0 VS-ST330S12Q0 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst330s12p0pbf-datasheets-7701.pdf TO-209ae, до 118-4, Stud 18 TO-209ae (DO 118) 520A 600 май 1,2 кв 520A 600 май 7570A 7920A 200 май 330. Станодано 1,52 В. 50 май
VS-ST330S14P0 VS-ST330S14P0 Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI, STAUD ШAsci, Стало -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) В 2014 /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsst330s12p0pbf-datasheets-7701.pdf TO-209ae, до 118-4, Stud 14 НЕИ 3 Ear99 Nukahan ST330S Nukahan 520A 600 май 1,4 кв Скрип 1,4 кв 9000a 9420a 200 май 330. Станодано 1,52 В. 50 май
N3229QK060 N3229QK060 Ixys / littelfuse
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ШASCI -40 ° C ~ 140 ° C. 1 (neograniчennnый) Rohs3 TO-200AB, B-PUK 8 WP2 600 м 6305. 1A 30800a @ 50 gц 300 май 3229а Станодано 1,57 100 май

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.