Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2СБ1648 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/sanken-2sb1648-datasheets-3481.pdf | 3-ЭСИП | Без свинца | 3 | 12 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | 200 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 200 Вт | 150 В | 2,5 В | 17А | 45 МГц | 100 мкА ИКБО | PNP - Дарлингтон | 5000 @ 10А 4В | 45 МГц | 2,5 В при 1,2 А, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД241Ф-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 1993 год | ТО-220-3 | 3 | Нет | НПН | 40 Вт | БД241 | Одинокий | ТО-220 | 2 Вт | 160 В | 160 В | 3А | 160 В | 3А | 5В | 300 мкА | НПН | 25 @ 1А 4В | 2,5 В при 750 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2607FU6 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-2sd2607fu6-datasheets-3490.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 2 Вт | ТО-220ФН | 2 Вт | 100В | 1,5 В | 8А | 100В | 8А | 10 мкА ИКБО | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 2А 3В | 40 МГц | 1,5 В при 6 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД708 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd708-datasheets-3494.pdf | ТО-220-3 | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 75 Вт | БД708 | 3 | Одинокий | 75 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | ТО-220АБ | 60В | 1В | 60В | 12А | 3 МГц | 60В | 5В | 1 В | 40 | 100 мА | ПНП | 15 @ 4А 4В | 1 В при 400 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСХ 56-10 Е6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bcx5410e6327-datasheets-1575.pdf | ТО-243АА | 3 | да | EAR99 | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | BCX56 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПССО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1 Вт | 2 Вт | 100 МГц | 80В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 63 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НО92 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 200°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-but92-datasheets-3503.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 39,5 мм | 8,7 мм | 26,2 мм | 2 | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НО92 | 2 | 250 Вт | 1 | Другие транзисторы | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250 В | 1,2 В | 250 В | 50А | 8 МГц | 20 | 350В | 7В | 200 мА | НПН | 1,2 В @ 3,5 А, 35 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА63 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/onsemiconductor-mmbta63-datasheets-3249.pdf | -30В | -1,2 А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | Нет | ПНП | 350мВт | ММБТА63 | Одинокий | 1 | СОТ-23-3 | 350мВт | 30В | 30В | 1,5 В | 30В | 1,2А | 30В | 1,2А | -30В | -10В | 10000 | 100на ИКБО | PNP - Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1295 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/sanken-2sa1295-datasheets-3537.pdf | 3-ЭСИП | 3 | 12 недель | 3 | да | EAR99 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 200 Вт | 200 Вт | 35 МГц | 230В | 17А | 100 мкА ИКБО | ПНП | 50 @ 5А 4В | 35 МГц | 2 В при 500 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3857 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/sanken-2sc3857-datasheets-3539.pdf | 3-ЭСИП | Без свинца | 3 | 12 недель | 3 | да | EAR99 | неизвестный | 150 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 150 Вт | 200В | 3В | 15А | 20 МГц | 100 мкА ИКБО | НПН | 50 @ 5А 4В | 20 МГц | 3 В при 1 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJV1845PMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fjv1845fmtf-datasheets-0966.pdf | 120 В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,04 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 13 недель | 30мг | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | FJV1845 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 100 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 120 В | 120 В | 70 мВ | 120 В | 50 мА | 110 МГц | 120 В | 5В | 200 | 50на ИКБО | НПН | 200 @ 1 мА 6 В | 110 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| КШ210ТФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksh210tf-datasheets-3444.pdf | -25В | -5А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,3 мм | 6,1 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 260,37 мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | КШ210 | Одинокий | 1,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 65 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 25 В | 25 В | -1,8 В | 25 В | 5А | 65 МГц | -40В | -8В | 45 | 100на ИКБО | ПНП | 45 @ 2А 1В | 1,8 В при 1 А, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2561 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-2sd2561-datasheets-3455.pdf | 3-ЭСИП | Без свинца | 3 | 12 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | неизвестный | 200 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 200 Вт | 150 В | 2,5 В | 17А | 70 МГц | 100 мкА ИКБО | NPN – Дарлингтон | 5000 @ 10А 4В | 70 МГц | 2,5 В при 10 мА, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC850AMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-bc846amtf-datasheets-9036.pdf | 45В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | Олово | е3 | 310мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BC850 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 310мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 45В | 200 мВ | 45В | 100 мА | 300 МГц | 50В | 5В | 110 | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| NZT6715 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-tn6715a-datasheets-9347.pdf | 40В | 1,5 А | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 6 недель | 188 мг | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | NZT6715 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 40В | 500мВ | 40В | 1,5 А | 50В | 5В | 50 | 100 мкА ИКБО | НПН | 50 @ 1А 1В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ4354 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-mmbt4354-datasheets-3306.pdf | -60В | -800мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБТ4354 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 60В | -500мВ | 60В | 800мА | 400 нс | -60В | -5В | 50 | 500нА ИКБО | ПНП | 50 @ 10 мА 5 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDP953E6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bdp953e6327htsa1-datasheets-3045.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | EAR99 | Нет | 5 Вт | БДП953 | 5 Вт | 1 | 100В | 100В | 800мВ | 3А | 120 В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 500 мА 1 В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП32Б-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-tip32as-datasheets-3295.pdf | ТО-220-3 | 3 | Нет | 40 Вт | СОВЕТ32 | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 40 Вт | 80В | 1,2 В | 3А | 120 В | 300 мкА | ПНП | 10 @ 3А 4В | 1,2 В при 375 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП30Б-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-tip30cs-datasheets-2891.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | Нет | 2 Вт | СОВЕТ30 | 30 Вт | 1 | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 2 Вт | 80В | 80В | 1А | 120 В | 5В | 300 мкА | ПНП | 15 @ 1А 4В | 700 мВ при 125 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD241E-S | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 1993 год | ТО-220-3 | 3 | Нет | НПН | 40 Вт | БД241 | Одинокий | 40 Вт | 1 | ТО-220 | 2 Вт | 140 В | 140 В | 3А | 140 В | 3А | 5В | 300 мкА | НПН | 25 @ 1А 4В | 2,5 В при 750 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД546А-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-bd546bs-datasheets-3019.pdf | ТО-218-3 | 3 | ПНП | 3,5 Вт | БД546 | Одинокий | СОТ-93 | 3,5 Вт | 60В | 1В | 15А | 60В | 15А | 60В | 5В | 700 мкА | ПНП | 10 @ 10 А 4 В | 1 В при 2 А, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСП52 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | 10 В | 1А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,5 мм | 1,6 мм | 3,56 мм | Без свинца | 4 | 6 недель | 188 мг | Нет СВХК | 4 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БСП52 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | 80В | 80В | 1,3 В | 80В | 800мА | 200 МГц | 90В | 5В | 2000 г. | 10 мкА | NPN – Дарлингтон | 2000 @ 500 мА 10 В | 1,3 В при 500 мкА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА05 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-mpsa05ra-datasheets-2341.pdf | 60В | 500 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 6 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | Олово | Нет | 100 МГц | НПН | 350мВт | ММБТА05 | Одинокий | 350мВт | 1 | СОТ-23-3 | 100 МГц | 350мВт | 60В | 60В | 250 мВ | 60В | 500 мА | 60В | 500 мА | 60В | 4В | 100 | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BCW68G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-bcw68g-datasheets-3239.pdf | -45В | -800мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 6 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | Олово | 100 МГц | ПНП | 350мВт | BCW68 | Одинокий | 350мВт | 1 | СОТ-23-3 | 100 МГц | 350мВт | 45В | 45В | 1,5 В | 45В | 800мА | 45В | 800мА | -60В | -5В | 160 | 20нА | ПНП | 160 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 1,5 В @ 30 мА, 300 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КСТ13МТФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-kst13mtf-datasheets-3380.pdf | 30В | 300 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | КСТ13 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 30В | 30В | 1,5 В | 30В | 300 мА | 125 МГц | 30В | 10 В | 10000 | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCP51 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-bcp51-datasheets-3397.pdf&product=onsemiconductor-bcp51-6319710 | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 27 недель | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BCP51 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1 Вт | 1 Вт | 45В | 1,5 А | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3264 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/sanken-2sc3264-datasheets-3412.pdf | 3-ЭСИП | 3 | 12 недель | 3 | да | EAR99 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 200 Вт | 200 Вт | 60 МГц | 230В | 17А | 100 мкА ИКБО | НПН | 50 @ 5А 4В | 60 МГц | 2 В при 500 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC2328AOTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 120 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksc2328aybu-datasheets-9293.pdf | 30В | 2А | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | 4,9 мм | 8 мм | 3,9 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 371,1027мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | НИЖНИЙ | KSC2328A | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 120 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 30В | 30В | 2В | 30В | 2А | 120 МГц | 30В | 5В | 100 | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 500 мА 2 В | 2 В @ 30 мА, 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC2330OTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-ksc2330obu-datasheets-9213.pdf | 300В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | Без свинца | 3 | 6 недель | 371,1027мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | НИЖНИЙ | КСЦ2330 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 300В | 300В | 500мВ | 300В | 100 мА | 50 МГц | 300В | 7В | 40 | 100на ИКБО | НПН | 70 @ 20 мА 10 В | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП32А-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-tip32as-datasheets-3295.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | Нет | 2 Вт | СОВЕТ32 | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 2 Вт | 60В | 60В | 3А | 100В | 5В | 300 мкА | ПНП | 25 @ 1А 4В | 1,2 В при 375 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП42Б-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-tip42s-datasheets-2942.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | Нет | 2 Вт | СОВЕТ42 | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 2 Вт | 80В | 1,5 В | 6А | 120 В | 700 мкА | ПНП | 15 @ 3А 4В | 1,5 В при 600 мА, 6 А |
