Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Время падения-Макс (тс) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSP61H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineon-bsp61h6327xtsa1-datasheets-3968.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 4 недели | 4 | EAR99 | Нет | ПНП | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БСП61 | 1 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | 1,5 Вт | 60В | 1,3 В | 1,3 В | 1А | 200 МГц | 80В | 5В | 1000 | 10 мкА | PNP - Дарлингтон | 2000 @ 500 мА 10 В | 200 МГц | 1,8 В при 1 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1565FU6E | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-2sb1565fu6e-datasheets-4057.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ПНП | 2 Вт | Одинокий | ТО-220ФН | 15 МГц | -3А | 2 Вт | 60В | -1,5 В | 1,5 В | 3А | 60В | 3А | -60В | -7В | 100 | 10 мкА ИКБО | ПНП | 100 @ 500 мА 5 В | 15 МГц | 1,5 В @ 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC557CZL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 320 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc557czl1g-datasheets-3972.pdf&product=onsemiconductor-bc557czl1g-6319856 | -45В | -100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ДЕТАЛИ | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | BC557 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 320 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 45В | 45В | -300мВ | 45В | 100 мА | 320 МГц | 50В | 5В | 420 | 100нА | ПНП | 420 при 2 мА 5 В | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BULK128D-B | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bulk128db-datasheets-4063.pdf | СОТ-82 | 3 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 55 Вт | BULK128 | 3 | Одинокий | 55 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 400В | 4А | 700В | 9В | 250 мкА | НПН | 8 @ 2А 5В | 1,5 В при 500 мА, 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA42ZL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mpsa42-datasheets-6567.pdf | 300В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 20 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA42 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 300В | 300В | 500мВ | 300В | 500 мА | 50 МГц | 300В | 6В | 25 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STX13004-AP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stx13004gap-datasheets-3997.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | 3 | да | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | STX13004 | 3 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 400В | 400В | 2А | 9В | 1 мА | НПН | 10 @ 1А 5В | 1 В при 500 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУФ460АВ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-buf460av-datasheets-3999.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 3 | Нет СВХК | 4 | да | EAR99 | Нет | Никель (Ni) | 270 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | БУФ460 | 3 | 270 Вт | 1 | BIP Мощность общего назначения | Р-XUFM-X3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 450В | 500мВ | 450В | 80А | 1кВ | 7В | 2 В | 15 | 200 мкА | 200 нс | НПН | 15 @ 60А 5В | 500МВ при 12А, 60А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDP948H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bdp954e6327htsa1-datasheets-2393.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,5 мм | 1,6 мм | 3,5 мм | 4 | 26 недель | 4 | EAR99 | Олово | Нет | 5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БДП948 | Одинокий | 5 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 45В | 45В | 500мВ | 500мВ | 3А | 100 МГц | 45В | 5В | 100на ИКБО | ПНП | 85 @ 500 мА 1 В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КШ29CTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksh29itu-datasheets-9660.pdf | 100В | 1А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,3 мм | 6,1 мм | Без свинца | 2 | 6 недель | 260,37 мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1,56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | КШ29 | Одинокий | 1,56 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 3 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 100В | 100В | 700мВ | 100В | 1А | 3 МГц | 100В | 5В | 15 | 50 мкА | НПН | 15 @ 1А 4В | 700 мВ при 125 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC637RL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-bc637rl1g-datasheets-4019.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | BC637 | 3 | Одинокий | 625 МВт | 1 | 200 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 60В | 60В | 1А | 200 МГц | 60В | 5В | 25 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCP68 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-bcp68-datasheets-3546.pdf | 20 В | 1А | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 6 недель | 188 мг | 4 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BCP68 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 20 В | 20 В | 500мВ | 20 В | 1А | 30В | 5В | 85 | 10 мкА ИКБО | НПН | 85 @ 500 мА 1 В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCP5616E6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/infineontechnologies-bcp54e6327htsa1-datasheets-1680.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | EAR99 | совместимый | НЕ УКАЗАН | BCP56 | НЕ УКАЗАН | 2 Вт | 80В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDP947H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bdp953e6327htsa1-datasheets-3045.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 6 недель | 4 | EAR99 | Олово | Нет | 5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БДП947 | 3 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 5 Вт | 45В | 45В | 500мВ | 3А | 100 МГц | 45В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 500 мА 1 В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDP949H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bdp953e6327htsa1-datasheets-3045.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 26 недель | EAR99 | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БДП949 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 5 Вт | 60В | 3А | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 500 мА 1 В | 100 МГц | 500 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHE13003A,126 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/weensemiconductors-phe13003a126-datasheets-3919.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | EAR99 | 2,1 Вт | 400В | 1А | 1 мА | НПН | 10 @ 400 мА 5 В | 1,5 В @ 250 мА, 750 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSC2C01S0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-dsc2c01r0l-datasheets-9166.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | 3 | EAR99 | Олово | 140 МГц | 8541.21.00.75 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | ДСК2C01 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 140 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 20 мА | 100В | 100В | 200 мВ | 100В | 20 мА | 140 МГц | 100В | 15 В | 400 | 1 мкА | НПН | 600 при 2 мА 10 В | 200 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJB3307DTM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-fjb3307dtm-datasheets-3963.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 2 | 6 недель | 1,31247 г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | 1 МГц | е3 | Олово (Вс) | 1,72 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | FJB3307 | Одинокий | 1,72 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 8А | 400В | 400В | 3В | 400В | 8А | 700В | 9В | 8 | НПН | 5 @ 5А 5В | 3 В при 2 А, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDP950H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/infineontechnologies-bdp954e6327htsa1-datasheets-2393.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 4 недели | 4 | EAR99 | Олово | Нет | 5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БДП950 | 3 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 5 Вт | 60В | 60В | 500мВ | 3А | 100 МГц | 60В | 5В | 100на ИКБО | ПНП | 85 @ 500 мА 1 В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТБВ42Д | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stbv42d-datasheets-3982.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | СТБВ42 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | O-PBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1 Вт | 400В | 1,5 В | 1А | 5 | 1 мА | НПН | 10 @ 400 мА 5 В | 1,5 В @ 250 мА, 750 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2STC4793 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2stc4793-datasheets-3983.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 20 Вт | НЕ УКАЗАН | 2СТЦ | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ТО-220АБ | 230В | 1В | 1А | 100 МГц | 1А | 5В | 100 | 1 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 5 В | 1 В @ 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSP50H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-bsp50h6327xtsa1-datasheets-3892.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,5 мм | 1,6 мм | 3,5 мм | 26 недель | 4 | 1А | НПН | 45В | 1,5 Вт | БСП50 | Одинокий | 1 | ПГ-СОТ223-4 | 1,5 Вт | 45В | 45В | 1,8 В | 1,3 В | 1А | 45В | 1А | 60В | 5В | 1000 | 10 мкА | NPN – Дарлингтон | 2000 @ 500 мА 10 В | 200 МГц | 1,8 В при 1 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2STA1837 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2sta1837-datasheets-3984.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 20 Вт | НЕ УКАЗАН | 2СТА | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 70 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | ТО-220АБ | 230В | 1В | 1А | 70 МГц | 1А | -5В | 100 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 5 В | 1 В @ 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5233BTE85LF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | СК-70, СОТ-323 | неизвестный | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,1 Вт | 100мВт | 80 МГц | 12 В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 500 @ 10 мА 2 В | 130 МГц | 250 мВ при 10 мА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2154CT-Y(ТПЛ3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | СК-101, СОТ-883 | 3 | неизвестный | 100мВт | Одинокий | 80 МГц | 100мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | -50В | -5В | 120 | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 2 мА 6 В | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZTA42H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-pzta42h6327xtsa1-datasheets-3900.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,5 мм | 1,6 мм | 3,5 мм | 4 | 4 | EAR99 | 70 МГц | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | ПЗТА42 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 300В | 500мВ | 300В | 500 мА | 70 МГц | 300В | 6В | 25 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 70 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSP51H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-bsp51h6327xtsa1-datasheets-3905.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,5 мм | 1,6 мм | 3,5 мм | 4 | 26 недель | 4 | EAR99 | Нет | НПН | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БСП51 | Одинокий | 1 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 Вт | 60В | 1,8 В | 1,3 В | 1А | 200 МГц | 80В | 5В | 1000 | 10 мкА | NPN – Дарлингтон | 2000 @ 500 мА 10 В | 200 МГц | 1,8 В при 1 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDP954H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bdp954e6327htsa1-datasheets-2393.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,5 мм | 1,6 мм | 3,5 мм | 4 | 4 | EAR99 | Олово | Нет | 5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 5 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 100В | 500мВ | 500мВ | 3А | 100 МГц | 3А | 120 В | 5В | 100на ИКБО | ПНП | 85 @ 500 мА 1 В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSP62H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-bsp61e6327htsa1-datasheets-1766.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,5 мм | 1,6 мм | 3,5 мм | 4 | 12 недель | 4 | EAR99 | Нет | ПНП | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БСП62 | Одинокий | 1 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 Вт | 80В | 80В | 1,8 В | 80В | 1А | 200 МГц | 90В | 5В | 1000 | 10 мкА | PNP - Дарлингтон | 2000 @ 500 мА 10 В | 200 МГц | 1,8 В при 1 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ4400 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/onsemiconductor-2n4400bu-datasheets-1086.pdf | 40В | 600 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 24 недели | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 19 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБТ4400 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 40В | 750 мВ | 40В | 600 мА | 255 нс | 60В | 6В | 50 | НПН | 50 @ 150 мА 10 В | 750 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSA733YTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 180 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ksa733ybu-datasheets-8548.pdf | -50В | -150 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | НИЖНИЙ | КСА733 | Одинокий | 250 мВт | 1 | Другие транзисторы | 180 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 50В | 50В | -180мВ | 50В | 150 мА | 180 МГц | -60В | -5В | 40 | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 1 мА 6 В | 300 мВ при 10 мА, 100 мА |
