Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ТРД236ДТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-trd236dt4-datasheets-4525.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 35 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | ТРД236 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 35 Вт | 400В | 400В | 1,3 В | 4А | 9В | 8 | 250 мкА | НПН | 8 @ 2,5 А 5 В | 1,3 В при 600 мА, 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4115СТПС | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-2sc4115stpr-datasheets-1560.pdf | SC-72 Сформированные лидеры | 3 | EAR99 | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 260 | 2SC4115 | 3 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 0,3 Вт | 400мВт | 290 МГц | 20 В | 2А | 100на ИКБО | НПН | 270 @ 100 мА 2 В | 290 МГц | 500 мВ при 100 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2812N6-ТБ-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa1179n6cpatbe-datasheets-2487.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | да | е3 | Олово (Вс) | 200мВт | 3 | Одинокий | 100 МГц | 50В | 100 мВ | 500мВ | 150 мА | 150 мА | 55В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 135 @ 1 мА 6 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1768S-AN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa1768tan-datasheets-2459.pdf | СК-71 | Без свинца | 7 недель | 3 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 1 Вт | 3 | 1 Вт | 160 В | 500мВ | 700 мкА | 180 В | 6В | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 500 мВ при 25 мА, 250 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4115STPQ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-2sc4115stpr-datasheets-1560.pdf | SC-72 Сформированные лидеры | 3 | EAR99 | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 260 | 2SC4115 | 3 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 0,3 Вт | 400мВт | 290 МГц | 20 В | 2А | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 100 мА 2 В | 290 МГц | 500 мВ при 100 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТРД136ДТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-trd136dt4-datasheets-4541.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3 | Нет | 20 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | ТРД136 | Одинокий | 20 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 400В | 400В | 3А | 9В | 10 | НПН | 10 @ 2А 5В | 1 В при 500 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC856AT, 115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nxpusainc-bc856bt115-datasheets-0639.pdf | СК-75, СОТ-416 | 3 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC856 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 0,15 Вт | 150 мВт | 100 МГц | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 125 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA92RLRPG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-mpsa92rlra-datasheets-9566.pdf | -300В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA92 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 300В | 300В | -500мВ | 300В | 500 мА | 50 МГц | 300В | 5В | 25 | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5826TV2R | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-2sc5826tv2q-datasheets-4376.pdf | 3-SIP | 3 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 260 | 3 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1 Вт | 1 Вт | 200 МГц | 60В | 3А | 1 мкА ИКБО | НПН | 180 @ 100 мА 2 В | 200 МГц | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC546BZL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc547bg-datasheets-6720.pdf&product=onsemiconductor-bc546bzl1g-6319982 | 65В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ДЕТАЛИ | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | BC546 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 65В | 65В | 300мВ | 65В | 100 мА | 300 МГц | 80В | 6В | 200 | 15нА | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||
| BC548BZL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc547bg-datasheets-6720.pdf | 30В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | BC548 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 30В | 30В | 300мВ | 30В | 100 мА | 300 МГц | 30В | 6В | 200 | 15нА | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| MPSA92ZL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/onsemiconductor-mpsa92rlra-datasheets-9566.pdf | -300В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA92 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 300В | 300В | -500мВ | 300В | 500 мА | 50 МГц | 300В | 5В | 25 | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| СТТ13005Д-К | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-225АА, ТО-126-3 | 3 | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 45 Вт | СТТ13 | Одинокий | 45 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 1,5 В | 400В | 2А | 9В | 8 | 250 мкА | НПН | 10 @ 500 мА 5 В | 1,5 В при 400 мА, 1,6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1515СТПР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/rohmsemiconductor-2sb1237tv2p-datasheets-0179.pdf | SC-72 Сформированные лидеры | 3 | 3 | да | EAR99 | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 300мВт | 260 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 32В | 500мВ | 1А | 150 МГц | 1А | 40В | 5В | 500нА ИКБО | ПНП | 180 @ 100 мА 3 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСК5А01Т0Л | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-dsc5a01s0l-datasheets-4533.pdf | СК-85 | 2 мм | 800 мкм | 1,25 мм | 3 | 11 недель | 85 | EAR99 | 150 МГц | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ДСК5А01 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50 мА | 40В | 40В | 200 мВ | 40В | 50 мА | 150 МГц | 50В | 15 В | 400 | 1 мкА | НПН | 1000 при 2 мА 10 В | 200 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2389СТПС | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-2sc2389stps-datasheets-4513.pdf | SC-72 Сформированные лидеры | 3 | 3 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 300мВт | 260 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 140 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 120 В | 500мВ | 50 мА | 140 МГц | 50 мА | 120 В | 5В | 500нА ИКБО | НПН | 180 @ 2 мА 6 В | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СБ1143С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-2sb1143s-datasheets-4519.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | НЕТ | 1,5 Вт | 3 | Одинокий | 1 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -4А | 1,5 Вт | 50В | 50В | -350мВ | 700мВ | 4А | 150 МГц | -60В | -6В | 100 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 140 @ 100 мА 2 В | 700 мВ при 100 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2093TV2Q | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-2sa2093tv2q-datasheets-4521.pdf | 3-SIP | 3 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т3 | 310 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 500мВ | 2А | 310 МГц | 2А | 60В | 6В | 1 мкА ИКБО | ПНП | 120 @ 100 мА 2 В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ423ЗЛ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 60 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bf423zl1g-datasheets-4432.pdf | -250В | -50мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ДЕТАЛИ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 830мВт | НИЖНИЙ | 260 | БФ423 | 3 | Одинокий | 40 | 830мВт | 1 | Другие транзисторы | 60 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 250 В | 250 В | -500мВ | 250 В | 500 мА | 60 МГц | 250 В | 5В | 50 | 10на ИКБО | ПНП | 50 при 25 мА 20 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||
| 2SC1741ASTPR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-2sc1741astpq-datasheets-1469.pdf | СК-72 | 3 | EAR99 | 8541.21.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 300мВт | 260 | 2SC1741A | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т3 | 250 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 400мВ | 500 мА | 250 МГц | 500 мА | 50В | 5В | 180 | 500нА ИКБО | НПН | 120 @ 100 мА 3 В | 400 мВ при 15 мА, 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA42RL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mpsa42-datasheets-6567.pdf&product=onsemiconductor-mpsa42rl1g-6319975 | 300В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 19 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA42 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 300В | 300В | 500мВ | 300В | 500 мА | 50 МГц | 300В | 6В | 25 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| BC547BZL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-bc547bg-datasheets-6720.pdf | 45В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ДЕТАЛИ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | BC547 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 45В | 45В | 300мВ | 45В | 100 мА | 300 МГц | 50В | 6В | 200 | 15нА | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||
| MPS2907ARLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует RoHS | 1996 год | /files/onsemiconductor-mps2907arlra-datasheets-9511.pdf | -60В | -600мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 1,5 Вт | НИЖНИЙ | 260 | MPS2907A | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 60В | 60В | -1,6 В | 60В | 600 мА | 200 МГц | 45нс | 60В | 5В | 75 | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||
| BC337-40ZL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 210 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-bc337g-datasheets-6727.pdf | 45В | 800мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ДЕТАЛИ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | BC337 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 210 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 45В | 45В | 700мВ | 45В | 800мА | 210 МГц | 50В | 5В | 250 | 100нА | НПН | 250 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||
| 2SA2112-АН | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | СК-71 | 6,9 мм | 4,5 мм | 2,5 мм | Без свинца | 4 недели | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | 390 МГц | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | ДА | 1 Вт | 3 | Одинокий | Другие транзисторы | 390 МГц | ПНП | 50В | -135мВ | 50В | 3А | 3А | -50В | -6В | 200 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 10 В | 700 мВ при 100 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC857CT,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nxpusainc-bc856bt115-datasheets-0639.pdf | СК-75, СОТ-416 | 3 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC857 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 0,15 Вт | 150 мВт | 100 МГц | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 420 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2099 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-2sa2099-datasheets-4406.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 3 | EAR99 | Нет | 8541.29.00.75 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 2 Вт | 3 | Одинокий | 1 | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 2 Вт | ТО-220АБ | 50В | 50В | 10А | 130 МГц | 60В | 5В | 10 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 1А 2В | 130 МГц | 500 мВ при 250 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2126-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa2126h-datasheets-1718.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 4 недели | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 800мВт | 2SA2126 | 3 | Одинокий | 800мВт | 1 | 390 МГц | -3А | 50В | 520 мВ | 3А | 3А | 50В | -6В | 1 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 520 мВ при 100 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5880TV2Q | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/rohmsemiconductor-2sc5880tv2r-datasheets-4363.pdf | 3-SIP | 3 | да | EAR99 | 8541.29.00.75 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т3 | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 500мВ | 2А | 200 МГц | 2А | 60В | 6В | 1 мкА ИКБО | НПН | 120 @ 100 мА 2 В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2705STP | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | SC-72 Сформированные лидеры | 3 | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 300мВт | НИЖНИЙ | 260 | 3 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 300мВт | 20 В | 100 мВ | 300 мА | 35 МГц | 100на ИКБО | НПН | 820 при 4 мА 2 В | 35 МГц | 100 мВ при 3 мА, 30 мА |
