Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходная мощность | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КШ50ТФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 10 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksh50tf-datasheets-5191.pdf | 400В | 1А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,3 мм | 6,1 мм | Без свинца | 2 | 6 недель | 260,37 мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 9 часов назад) | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | 1,56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | КШ50 | Одинокий | 1,56 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 1,56 Вт | 10 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 400В | 400В | 1В | 400В | 1А | 10 МГц | 500В | 5В | 30 | 200 мкА | НПН | 30 @ 300 мА 10 В | 1 В при 200 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1216S-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sb1216stlh-datasheets-2465.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | 31 неделя | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.75 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | НЕТ | 1 Вт | ОДИНОКИЙ | 2СБ1216 | 3 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1 Вт | 100В | 100В | 4А | 130 МГц | 120 В | -6В | 70 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 140 @ 500 мА 5 В | 130 МГц | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCW66G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bcw66gd87z-datasheets-6512.pdf | 45В | 1А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 8 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | Олово | 100 МГц | НПН | 350мВт | БЦВ66 | Одинокий | 350мВт | 1 | СОТ-23-3 | 170 МГц | 350мВт | 45В | 45В | 700мВ | 45В | 1А | 45В | 1А | 75В | 5В | 160 | 20нА | НПН | 160 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KST2907AMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-kst2907amtf-datasheets-5404.pdf | -60В | -600мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 970 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | KST2907 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 25 В | 60В | -1,6 В | 60В | 600мА | 200 МГц | 50 нс | -60В | -5В | 100 | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC5019МТА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksc5019nta-datasheets-8959.pdf | 10 В | 2А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 750 мВт | НИЖНИЙ | KSC5019 | Одинокий | 750 мВт | 1 | Другие транзисторы | 150 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 10 В | 10 В | 500мВ | 10 В | 2А | 150 МГц | 30 В | 6В | 140 | 100на ИКБО | НПН | 140 @ 500 мА 1 В | 500 мВ при 50 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STBV42G-AP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | НИЖНИЙ | СТБВ42 | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1 Вт | 400В | 400В | 400В | 1А | 9В | 1 мА | НПН | 10 @ 400 мА 5 В | 1,5 В @ 250 мА, 750 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX70H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 125 МГц | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bcx70hd87z-datasheets-7985.pdf | 45В | 200 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 59,987591мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | 1А | е3 | 45В | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BCX70 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 250 МГц | НПН | 25 В | 45В | 550 мВ | 45В | 200 мА | 125 МГц | 800 нс | 45В | 5В | 180 | 20нА | НПН | 180 @ 2 мА 5 В | 550 мВ при 1,25 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| KSC945GTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksc945cgbu-datasheets-8493.pdf | 50В | 150 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | НИЖНИЙ | КСЦ945 | Одинокий | 250 мВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50В | 50В | 150 мВ | 50В | 150 мА | 300 МГц | 60В | 5В | 40 | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 1 мА 6 В | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЦВ72 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-bcv72-datasheets-5564.pdf | 60В | 500 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 350мВт | НЕ УКАЗАН | БЦВ72 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | НПН | 60В | 60В | 250 мВ | 60В | 500 мА | 250 МГц | 60В | 5В | 200 | 100на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KST3904MTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kst3904lgemtf-datasheets-9088.pdf | 40В | 200 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 970 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | КСТ3904 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 30 В | 40В | 300мВ | 40В | 200 мА | 300 МГц | 250 нс | 70нс | 60В | 6В | 100 | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KST5087MTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | 40 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-kst5086mtf-datasheets-8850.pdf | -50В | -50мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 13 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | KST5087 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 40 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 50В | 50В | -300мВ | 50В | 50 мА | 40 МГц | -50В | -3В | 250 | 50на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мкА 5 В | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX70J | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 125 МГц | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-bcx70j-datasheets-5370.pdf | 45В | 200 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 39 недель | 59,987591мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 1А | е3 | 45В | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BCX70 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 125 МГц | НПН | 45В | 45В | 550 мВ | 45В | 200 мА | 125 МГц | 800 нс | 45В | 5В | 250 | 20нА | НПН | 250 при 2 мА 5 В | 550 мВ при 1,25 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| КСП94ТА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ksp94bu-datasheets-9019.pdf | -400В | -300мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 8 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | КСП94 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПНП | 400В | 400В | -750мВ | 400В | 300 мА | -400В | -6В | 50 | 1 мкА | ПНП | 50 @ 10 мА 10 В | 750 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJX2907ATF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fjx2907atf-datasheets-5306.pdf | -60В | -600мА | СК-70, СОТ-323 | 2 мм | 900 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 325 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | FJX2907 | Одинокий | 325 МВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 60В | 60В | -1,6 В | 60В | 600мА | 200 МГц | 45нс | -60В | -5В | 100 | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1179N6-ТБ-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 180 МГц | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa1179n6cpatbe-datasheets-2487.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,93 мм | 1 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | да | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | 200мВт | 3 | Одинокий | 200мВт | 1 | 180 МГц | 50В | -150 мВ | 50В | 150 мА | -55В | -5В | 100на ИКБО | ПНП | 135 @ 1 мА 6 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW01ARLRPG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mpsw01a-datasheets-9379.pdf | 40В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | 6,35 мм | 6,35 мм | 38,1 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 1 Вт | НИЖНИЙ | 260 | MPSW01A | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 50В | 40В | 500мВ | 40В | 1А | 50 МГц | 50В | 5В | 55 | 100на ИКБО | НПН | 60 @ 100 мА 1 В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA92RLRMG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-mpsa92rlra-datasheets-9566.pdf | -300В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Неизвестный | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA92 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 300В | 300В | -500мВ | 300В | 500 мА | 50 МГц | 300В | 5В | 25 | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA18RLRMG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 160 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mpsa18rlrag-datasheets-1312.pdf | 45В | 200 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA18 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 160 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 45В | 45В | 80мВ | 45В | 200 мА | 160 МГц | 45В | 6,5 В | 400 | 50на ИКБО | НПН | 500 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КШ2955ТФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ksh2955itu-datasheets-9777.pdf | -60В | -10А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 9 недель | 260,37 мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,75 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | КШ2955 | Одинокий | 1,75 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 2 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 100В | 60В | -1,1 В | 60В | 10А | 2 МГц | -70В | -5В | 20 | 50 мкА | ПНП | 20 @ 4А 4В | 8 В @ 3,3 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX70K | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 125 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bcx70k-datasheets-4936.pdf | 45В | 200 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 39 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BCX70 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 125 МГц | НПН | 45В | 45В | 550 мВ | 45В | 200 мА | 125 МГц | 800 нс | 45В | 5В | 380 | 20нА | НПН | 380 при 2 мА 5 В | 550 мВ при 1,25 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД910 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd912-datasheets-7591.pdf | ТО-220-3 | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 90 Вт | БД910 | 3 | Одинокий | 90 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | ТО-220АБ | 80В | 1В | 80В | 15А | 3 МГц | 80В | 5В | 3 В | 40 | 1 мА | ПНП | 15 @ 5А 4В | 3 В при 2,5 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСР15 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bsr15-datasheets-5271.pdf | -40В | -800мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БСР15 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 40В | 40В | -1,6 В | 40В | 800 мА | 200 МГц | 45нс | -60В | -5В | 100 | 20на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ3019 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fzt3019-datasheets-5231.pdf | 80В | 1А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,5 мм | 1,6 мм | 3,5 мм | Без свинца | 4 | 6 недель | 188 мг | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 13 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ФЗТ3019 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 80В | 500мВ | 80В | 1А | 100 МГц | 140 В | 7В | 100 | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| KST5401MTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-kst5401mtf-datasheets-5112.pdf | -150 В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 970 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | KST5401 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 45В | 150 В | -500мВ | 150 В | 500 мА | 100 МГц | -160В | -5В | 60 | 50на ИКБО | ПНП | 60 @ 50 мА 5 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5551RL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n5550g-datasheets-6677.pdf&product=onsemiconductor-2n5551rl1g-6320208 | 160 В | 600мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ЧАСТИ | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | 2N5551 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 160 В | 160 В | 250 мВ | 160 В | 600мА | 100 МГц | 180 В | 6В | 80 | 50на ИКБО | НПН | 80 @ 10 мА 5 В | 200 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX17 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-bcx17-datasheets-5167.pdf | -45В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 59,987591мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | СИЛЬНОТОКОВЫЙ ДРАЙВЕР | Олово | Нет | 5А | е3 | 45В | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BCX17 | Одинокий | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 45В | 45В | 620 мВ | 45В | 500 мА | 250 МГц | 50В | 5В | 100 | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 620 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA05RLRMG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mpsa06-datasheets-2055.pdf | 60В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA05 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 60В | 60В | 250 мВ | 60В | 500 мА | 100 МГц | 60В | 4В | 100 | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJD3076TM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fjd3076tm-datasheets-5119.pdf | 32В | 2А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,3 мм | 6,1 мм | Без свинца | 2 | 260,37 мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | FJD3076 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 80В | 32В | 800мВ | 32В | 2А | 100 МГц | 40В | 5В | 130 | 1 мкА ИКБО | НПН | 130 @ 500 мА 3 В | 800 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC815YTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ksc815obu-datasheets-8684.pdf | 45В | 200 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 8 недель | 240мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 400мВт | НИЖНИЙ | КСЦ815 | Одинокий | 400мВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 45В | 45В | 150 мВ | 45В | 200 мА | 200 МГц | 60В | 5В | 40 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 50 мА 1 В | 400 мВ при 15 мА, 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ749 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/onsemiconductor-fzt749-datasheets-4832.pdf | -25В | -3А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,7 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 6 недель | 188 мг | Нет СВХК | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ФЗТ749 | Одинокий | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПНП | 25 В | 25 В | 600мВ | 25 В | 3А | 100 МГц | -35В | -5В | 100 | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 2В | 600 мВ при 300 мА, 3 А |
