Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество контактов | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Конфигурация элемента | Рассеяние активности | Количество элементов | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Мощность - Макс. | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MPSA56_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbta56-datasheets-1162.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA56 | ТО-92-3 | 625 МВт | 80В | 500 мА | 100нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 50 МГц | 200 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||
| PN3565_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3565-datasheets-1021.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3565 | ТО-92-3 | 625 МВт | 25 В | 500 мА | 50на ИКБО | НПН | 150 @ 1 мА 10 В | 350 мВ при 100 мкА, 1 мА | ||||||||||||||||||||||||
| PN2369A_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn2369a-datasheets-1078.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN2369A | ТО-92-3 | 350мВт | 15 В | 200 мА | 400нА ИКБО | НПН | 40 @ 10 мА 1 В | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||
| PN2907A_J61Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn2907anlbu-datasheets-8782.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN2907A | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 800мА | 20на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||
| PN2369A_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn2369a-datasheets-1078.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN2369A | ТО-92-3 | 350мВт | 15 В | 200 мА | 400нА ИКБО | НПН | 40 @ 10 мА 1 В | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||
| PN200_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbt200a-datasheets-8842.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Ру200 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 500 мА | 50нА | ПНП | 100 @ 150 мА 1 В | 250 МГц | 400 мВ при 20 мА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||
| МПШ34_Д75З | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsh34-datasheets-1530.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | 40В | 50 мА | 50на ИКБО | НПН | 15 @ 20 мА 2 В | 500 МГц | 500 мВ при 2 мА, 7 мА | ||||||||||||||||||||||||
| PN200A_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbt200a-datasheets-8842.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Ру200 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 500 мА | 50нА | ПНП | 300 @ 10 мА 1 В | 250 МГц | 400 мВ при 20 мА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||
| PN100_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn100rm-datasheets-1148.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Ру100 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 500 мА | 50нА | НПН | 100 @ 150 мА 5 В | 250 МГц | 400 мВ при 20 мА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||
| PN2222_J61Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-pn2222j61z-datasheets-0138.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN2222 | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 600 мА | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В @ 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||
| PN2222A_D81Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-pn2222ata-datasheets-1335.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN2222 | ТО-92-3 | 625 МВт | 40В | 1А | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В @ 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||
| PN2222_J18Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-pn2222ta-datasheets-1375.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | PN2222 | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 600 мА | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В @ 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||
| PN200A_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbt200a-datasheets-8842.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Ру200 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 500 мА | 50нА | ПНП | 300 @ 10 мА 1 В | 250 МГц | 400 мВ при 20 мА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||
| MPSL51_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsl51-datasheets-1267.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | МПСЛ51 | ТО-92-3 | 625 МВт | 100В | 200 мА | 1 мкА ИКБО | ПНП | 40 @ 50 мА 5 В | 60 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||
| PN100_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn100rm-datasheets-1148.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Ру100 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 500 мА | 50нА | НПН | 100 @ 150 мА 5 В | 250 МГц | 400 мВ при 20 мА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||
| MPSL51_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsl51-datasheets-1267.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | МПСЛ51 | ТО-92-3 | 625 МВт | 100В | 200 мА | 1 мкА ИКБО | ПНП | 40 @ 50 мА 5 В | 60 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||
| PN100A_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn100rm-datasheets-1148.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Ру100 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 500 мА | 50нА | НПН | 300 @ 10 мА 1 В | 250 МГц | 400 мВ при 20 мА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||
| MPSL51_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsl51-datasheets-1267.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | МПСЛ51 | ТО-92-3 | 625 МВт | 100В | 200 мА | 1 мкА ИКБО | ПНП | 40 @ 50 мА 5 В | 60 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||
| PN2484_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn2484-datasheets-1279.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN2484 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 100 мА | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 10 мкА 5 В | 350 мВ при 100 мкА, 1 мА | ||||||||||||||||||||||||
| MPSL01_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsl01-datasheets-9192.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | 120 В | 200 мА | 1 мкА ИКБО | НПН | 50 @ 10 мА 5 В | 60 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||
| PN3566_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 625 МВт | 30 В | 600 мА | 50на ИКБО | НПН | 150 @ 10 мА 10 В | 1 В при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA63_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbta63-datasheets-3249.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA63 | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 1,2А | 100на ИКБО | PNP - Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||
| PN2369_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn2369-datasheets-1179.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 350мВт | 15 В | 200 мА | 400нА ИКБО | НПН | 40 @ 10 мА 1 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||
| PN100A_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-pn100rm-datasheets-1148.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 625 МВт | Ру100 | Одинокий | 625 МВт | 1 | 250 МГц | 45В | 400мВ | 45В | 500 мА | 75В | 6В | 300 | 50нА | НПН | 300 @ 10 мА 1 В | 400 мВ при 20 мА, 200 мА | |||||||||||
| PN200A_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbt200a-datasheets-8842.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Ру200 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 500 мА | 50нА | ПНП | 300 @ 10 мА 1 В | 250 МГц | 400 мВ при 20 мА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||
| MPSA42_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-mmbta42-datasheets-1282.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA42 | ТО-92-3 | 625 МВт | 300В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||
| PN2907A_D81Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn2907anlbu-datasheets-8782.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN2907A | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 800мА | 20на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||
| MPSA77_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-mpsa77-datasheets-9449.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | ПНП | 625 МВт | MPSA77 | Одинокий | 1 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 1,5 В | 60В | 1,2А | 60В | 1,2А | 60В | 10 В | 10000 | 100на ИКБО | PNP - Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 100 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | |||||||
| MPSA65_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsa65-datasheets-9202.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA65 | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 1,2А | 100на ИКБО | PNP - Дарлингтон | 20000 при 100 мА 5 В | 100 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||
| MPSA56_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbta56-datasheets-1162.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA56 | ТО-92-3 | 625 МВт | 80В | 500 мА | 100нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 50 МГц | 200 мВ при 10 мА, 100 мА |
