Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Мощность - Макс. | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC327-AP | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-bc32740ap-datasheets-4555.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | BC327 | 625 МВт | 45В | 800мА | 200нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 260 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TN6719A_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tn6719a-datasheets-9396.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | ТО-226 | 1 Вт | 300В | 200 мА | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 750 мВ при 3 мА, 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC547-AP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microcommercialco-bc547bap-datasheets-2034.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC54* | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 625 МВт | 300 МГц | 45В | 100 мА | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 300 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||
| PN5138_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn5138-datasheets-1289.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 500 мА | 50на ИКБО | ПНП | 50 @ 10 мА 10 В | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3644_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3644-datasheets-1264.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 800мА | 35нА | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 400 мВ при 15 мА, 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TN2219A_J05Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2n2219a-datasheets-1130.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | совместимый | 1 Вт | 40В | 1А | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1 В @ 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX749A_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ztx749a-datasheets-9509.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ZTX749A | ТО-226 | 1 Вт | 35В | 2А | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 2В | 100 МГц | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3640_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3640-datasheets-1213.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3640 | ТО-92-3 | 350 мВт | 12 В | 200 мА | 10нА | ПНП | 30 @ 10 мА 300 мВ | 500 МГц | 600 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4917_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn4917-datasheets-1286.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN4917 | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 200 мА | 25нА | ПНП | 150 @ 10 мА 1 В | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3567_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3567-datasheets-1172.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | 40В | 600 мА | 50на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 1 В | 250 мВ при 15 мА, 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4249_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn4249-datasheets-1429.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN4249 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 500 мА | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мкА 5 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TN6718A_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tn6718a-datasheets-9458.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | ТО-226 | 1 Вт | 100В | 1,2А | 100на ИКБО | НПН | 50 @ 250 мА 1 В | 500 мВ при 10 мА, 250 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TN6729A_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-tn6729a-datasheets-9402.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | 3 | ПНП | 1 Вт | TN6729A | Одинокий | 1 Вт | 1 | ТО-226 | 1 Вт | 80В | 80В | 1А | 80В | 1А | 80В | 5В | 20 | 100на ИКБО | ПНП | 50 @ 250 мА 1 В | 500 мВ при 10 мА, 250 мА | |||||||||||||||||||||||
| ZTX749_J61Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-ztx749stoa-datasheets-8217.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ZTX749 | ТО-92-3 | 1 Вт | 25 В | 2А | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 2В | 100 МГц | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3643_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3643-datasheets-9069.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3643 | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 500 мА | 50нА | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 220 мВ при 15 мА, 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3645_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3645-datasheets-1207.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3645 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 800мА | 35нА | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 400 мВ при 15 мА, 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3568_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3568-datasheets-9778.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3568 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 1А | 50на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 1 В | 250 мВ при 15 мА, 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИС97_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tis97-datasheets-9178.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТИС97 | ТО-92-3 | 625 МВт | 40В | 500 мА | 10на ИКБО | НПН | 250 @ 100 мкА 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN100_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn100rm-datasheets-1148.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Ру100 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 500 мА | 50нА | НПН | 100 @ 150 мА 5 В | 250 МГц | 400 мВ при 20 мА, 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSL01_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsl01-datasheets-9192.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | 120 В | 200 мА | 1 мкА ИКБО | НПН | 50 @ 10 мА 5 В | 60 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA42_J22Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-mmbta42-datasheets-1282.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | MPSA42 | ТО-92-3 | 625 МВт | 300В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA92_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbta92-datasheets-1140.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA92 | ТО-92-3 | 625 МВт | 300В | 500 мА | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3638A_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3638a-datasheets-1019.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3638A | ТО-92-3 | 625 МВт | 25 В | 800мА | 35нА | ПНП | 20 @ 300 мА 2 В | 1 В при 30 мА, 300 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3568_J05Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3568-datasheets-9778.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | PN3568 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 1А | 50на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 1 В | 250 мВ при 15 мА, 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3638_J05Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3638a-datasheets-1019.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92-3 | 625 МВт | 25 В | 800мА | 35нА | ПНП | 30 @ 300 мА 2 В | 1 В при 30 мА, 300 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TN6719A_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tn6719a-datasheets-9396.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | 1 Вт | 300В | 200 мА | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 750 мВ при 3 мА, 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3645_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3645-datasheets-1207.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3645 | 625 МВт | 60В | 800мА | 35нА | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 400 мВ при 15 мА, 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TN6715A_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tn6715a-datasheets-9347.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | ТО-226 | 1 Вт | 40В | 1,5 А | 100на ИКБО | НПН | 50 @ 1А 1В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3638A_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3638a-datasheets-1019.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3638A | ТО-92-3 | 625 МВт | 25 В | 800мА | 35нА | ПНП | 20 @ 300 мА 2 В | 1 В при 30 мА, 300 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3646_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3646-datasheets-9160.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3646 | ТО-92-3 | 350 мВт | 15 В | 300 мА | 500нА | НПН | 30 при 30 мА 400 мВ | 500 мВ при 3 мА, 300 мА |
