Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Стабильное напряжение | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PN3643_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3643-datasheets-9069.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3643 | ТО-92-3 | 625 МВт | 30В | 500 мА | 50нА | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 220 мВ при 15 мА, 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS5172RLRMG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mps5172-datasheets-0119.pdf | 25 В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Неизвестный | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPS5172 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | КРЕМНИЙ | НПН | 25 В | 25 В | 25 В | 100 мА | 40В | 5В | 100 | 100нА | НПН | 100 @ 10 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| MPSW45ARLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mpsw45a-datasheets-9403.pdf | 50В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | 6,35 мм | 6,35 мм | 25,4 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | НЕТ | 1 Вт | НИЖНИЙ | 260 | MPSW45A | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 50В | 50В | 1,5 В | 50В | 1А | 100 МГц | 60В | 12 В | 4000 | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 25000 при 200 мА 5 В | 100 МГц | 1,5 В при 2 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||
| PN3645_J05Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3645-datasheets-1207.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | PN3645 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 800мА | 35нА | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 400 мВ при 15 мА, 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW92RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mpsw92-datasheets-9390.pdf | -300В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Неизвестный | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1 Вт | НИЖНИЙ | 260 | MPSW92 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 300В | 300В | -500мВ | 300В | 500 мА | 50 МГц | 300В | 5В | 25 | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||
| 2SC2705-О(ТПЭ6,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc2705otpe6f-datasheets-0445.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | неизвестный | 800мВт | 150 В | 50 мА | 100на ИКБО | НПН | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 1 В @ 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3645_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3645-datasheets-1207.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3645 | 625 МВт | 60В | 800мА | 35нА | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 400 мВ при 15 мА, 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD0875GSL | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-2sd0875gsl-datasheets-0449.pdf | ТО-243АА | 2SD0875 | 1 Вт | 80В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 185 @ 150 мА 10 В | 120 МГц | 400 мВ при 30 мА, 300 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX749_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-ztx749stoa-datasheets-8217.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ZTX749 | ТО-226 | 1 Вт | 25 В | 2А | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 2В | 100 МГц | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2406-Y(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 8 МГц | Соответствует RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2406yf-datasheets-0405.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | НПН | 25 Вт | Одинокий | 25 Вт | 1 | ТО-220НИС | 8 МГц | 25 Вт | 80В | 1,5 В | 4А | 80В | 4А | 80В | 5В | 30 мкА ИКБО | НПН | 120 @ 500 мА 5 В | 8 МГц | 1,5 В при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1930(Б,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-2sa1930qj-datasheets-1011.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 12 недель | Медь, Серебро, Олово | 2 Вт | Одинокий | 20 Вт | 1 | 200 МГц | 2 Вт | 180 В | 180 В | 2А | 180 В | 5В | 50 | 5 мкА ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 5 В | 1 В при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN2907A_J05Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn2907anlbu-datasheets-8782.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | PN2907A | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 800мА | 20на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3643_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3643-datasheets-9069.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3643 | 625 МВт | 30В | 500 мА | 50нА | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 220 мВ при 15 мА, 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN5138_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn5138-datasheets-1289.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | 30В | 500 мА | 50на ИКБО | ПНП | 50 @ 10 мА 10 В | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS751RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 75 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mps751-datasheets-2279.pdf | -60В | -2А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | МПС751 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 7,5 В | 75 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 60В | 60В | 500мВ | 60В | 2А | 75 МГц | 80В | 5В | 75 | 100на ИКБО | ПНП | 75 @ 1А 2В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||
| TN6729A_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tn6729a-datasheets-9402.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | TN6729A | 1 Вт | 80В | 1А | 100на ИКБО | ПНП | 50 @ 250 мА 1 В | 500 мВ при 10 мА, 250 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDP949E6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bdp953e6327htsa1-datasheets-3045.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | EAR99 | Нет | 5 Вт | БДП949 | 5 Вт | 1 | 60В | 60В | 500мВ | 3А | 60В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 500 мА 1 В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TN6715A_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tn6715a-datasheets-9347.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | ТО-226 | 1 Вт | 40В | 1,5 А | 100на ИКБО | НПН | 50 @ 1А 1В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3568_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3568-datasheets-9778.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3568 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 1А | 50на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 1 В | 250 мВ при 15 мА, 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDP947E6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bdp953e6327htsa1-datasheets-3045.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | EAR99 | совместимый | НЕ УКАЗАН | БДП947 | НЕ УКАЗАН | 5 Вт | 45В | 3А | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 500 мА 1 В | 100 МГц | 500 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4250_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn4250-datasheets-1203.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN4250 | ТО-92-3 | 625 МВт | 40В | 500 мА | 10на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мкА 5 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ3906SL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mmbt3906sl-datasheets-0387.pdf | СОТ-923Ф | 850 мкм | 380 мкм | 650 мкм | 3 | 4 недели | 22мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 18 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 227мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | ММБТ3906 | Одинокий | 227мВт | 1 | Другие транзисторы | 250 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 40В | 40В | -250мВ | 40В | 200 мА | 250 МГц | 70нс | -40В | -5В | 100 | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||
| STW3040 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stw3040-datasheets-0338.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | 160 Вт | STW304 | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 160 Вт | ТО-247АС | 400В | 100 мВ | 400В | 30А | 9В | 10 | 1 мА | НПН | 18 @ 6А 5В | 800 мВ при 4 А, 20 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3074-О(К) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-2sc3074oq-datasheets-0392.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | неизвестный | 1 Вт | Одинокий | 120 МГц | 50В | 400мВ | 5А | 5А | 60В | 5В | 1 мкА ИКБО | НПН | 70 @ 1А 1В | 400 мВ при 150 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4917_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn4917-datasheets-1286.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN4917 | ТО-92-3 | 625 МВт | 30В | 200 мА | 25нА | ПНП | 150 @ 10 мА 1 В | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1887(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-2sa1887f-datasheets-0343.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | неизвестный | 2 Вт | Одинокий | 45 МГц | -10А | 50В | 400мВ | 10А | 10А | 80В | -7В | 120 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 120 @ 1А 1В | 400 мВ при 250 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA06RLRMG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mpsa06-datasheets-2055.pdf | 80В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA06 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 45В | 80В | 250 мВ | 80В | 500 мА | 100 МГц | 80В | 4В | 100 | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||
| TN6725A_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tn6725a-datasheets-9363.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | TN6725A | ТО-226 | 1 Вт | 50В | 1,2А | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 4000 @ 1А 5В | 1,5 В при 2 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TN6729A_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tn6729a-datasheets-9402.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | TN6729A | 1 Вт | 80В | 1А | 100на ИКБО | ПНП | 50 @ 250 мА 1 В | 500 мВ при 10 мА, 250 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1890GRL | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-2sa1890grl-datasheets-0361.pdf | ТО-243АА | 2SA1890 | МиниП3-Ф2 | 1 Вт | 80В | 1А | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 100 мА 2 В | 120 МГц | 300 мВ при 50 мА, 500 мА |
