Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MD1803DFX | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-md1803dfx-datasheets-0792.pdf | ISOWATT218FX | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | не_совместимо | е3 | 57 Вт | НЕ УКАЗАН | МД1803 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 57 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 10А | 700В | 700В | 10А | 10 В | 5,5 | 200 мкА | НПН | 5,5 @ 5А 5В | 2 В при 1,25 А, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛТ118М | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-bult118-datasheets-8380.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 45 Вт | БУЛТ118 | СОТ-32-3 | 45 Вт | 400В | 1,5 В | 2А | 400В | 2А | 250 мкА | НПН | 10 @ 500 мА 5 В | 1,5 В при 400 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCW66KHB6327HTLA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 170 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/infineontechnologies-bcw66khe6327htsa1-datasheets-3957.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 3 | EAR99 | Олово | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BCW66 | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 45В | 45В | 800мА | 170 МГц | 800мА | 75В | 5В | 20на ИКБО | НПН | 250 @ 100 мА 1 В | 450 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD340TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-mjd340tf-datasheets-0656.pdf | 300В | 500 мА | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,3 мм | 6,1 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 260,37 мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 15 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | МЖД340 | Одинокий | 1,56 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | НПН | 300В | 300В | 300В | 500 мА | 300В | 3В | 30 | 100 мкА | НПН | 30 @ 50 мА 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛАМПОЧКА7216-1 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-bul7216-datasheets-3394.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | 3 | Нет | 80 Вт | ЛАМПОЧКА721 | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80 Вт | 700В | 700В | 3А | 12 В | 100 мкА | НПН | 4 @ 2А 5В | 3 В @ 80 мА, 800 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX749A_J05Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-ztx749a-datasheets-9509.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 48 недель | 3 | ПНП | 1 Вт | ZTX749A | Одинокий | 1 Вт | 1 | ТО-92-3 | 1 Вт | 35В | 35В | 2А | 35В | 2А | 45В | 5В | 70 | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 2В | 100 МГц | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ST5027 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul1203e-datasheets-9849.pdf | ТО-220-3 | 3 | Нет | НПН | 90 Вт | ST5027 | ТО-220 | 90 Вт | 800В | 800В | 3А | 800В | 3А | НПН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1225-Y(К) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | неизвестный | 1 Вт | 1 Вт | 160 В | 1,5 В | 1,5 А | 1 мкА ИКБО | ПНП | 120 @ 100 мА 5 В | 100 МГц | 1,5 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847BWE6433HTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bc847ae6327htsa1-datasheets-2887.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BC847 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250 мВт | 250 МГц | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 250 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC639RL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bc637rl1g-datasheets-4019.pdf | 80В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ДЕТАЛИ | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | BC639 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 80В | 80В | 500мВ | 80В | 1А | 200 МГц | 80В | 5В | 25 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX5216E6433HTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-bcx5116h6327xtsa1-datasheets-4643.pdf | ТО-243АА | 4 | Нет | 2 Вт | BCX52 | PG-SOT89 | 2 Вт | 60В | 500мВ | 1А | 60В | 1А | 60В | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 2 В | 125 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD18002D2T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 13 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mjd18002d2t4g-datasheets-0724.pdf | 450В | 2А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | е3 | Олово (Вс) | 50 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MJD18002 | 3 | Одинокий | 40 | 50 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 13 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 450В | 450В | 450В | 2А | 13 МГц | 1кВ | 11В | 14 | 100 мкА | НПН | 6 @ 1А 1В | 750 мВ при 200 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4617T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 180 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-s2sc4617g-datasheets-5439.pdf | 50В | 100 мА | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 125 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2SC4617 | 3 | Одинокий | 40 | 125 МВт | 1 | Другие транзисторы | 180 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50В | 50В | 400мВ | 50В | 100 мА | 180 МГц | 50В | 5В | 120 | 500нА ИКБО | НПН | 120 @ 1 мА 6 В | 400 мВ при 5 мА, 60 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2705-И(ТЭ6,Ф,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc2705yte6fm-datasheets-0730.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 3 | неизвестный | 800мВт | 800мВт | 1 | 150 В | 1В | 50 мА | 50 мА | 150 В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 10 мА 5 В | 1 В @ 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STWH13009 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stwh13009-datasheets-0731.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | Нет | 125 Вт | STWH130 | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 125 Вт | ТО-247АД | 400В | 400В | 12А | 12 В | 11 | НПН | 18 @ 5А 5В | 2 В при 2,4 А, 12 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЖ103АД, 118 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80 Вт | 400В | 4А | 3650 нс | 600 нс | 100 мкА | НПН | 13 @ 500 мА 5 В | 1 В при 600 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX799_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BCX799 | 625 МВт | 45В | 500 мА | 10нА | ПНП | 80 @ 10 мА 1 В | 600 мВ при 2,5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЦВ 66КГ Э6433 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/infineontechnologies-bcw66khe6327htsa1-datasheets-3957.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | совместимый | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BCW66 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,5 Вт | 500мВт | 170 МГц | 45В | 800мА | 20на ИКБО | НПН | 160 @ 100 мА 1 В | 170 МГц | 450 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3640_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3640-datasheets-1213.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3640 | ТО-92-3 | 350 мВт | 12 В | 200 мА | 10нА | ПНП | 30 @ 10 мА 300 мВ | 500 МГц | 600 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА70LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbta70lt1g-datasheets-0739.pdf | -40В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТА70 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 125 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | -100 мА | 225 МВт | 40В | 40В | -250мВ | 40В | 100 мА | 125 МГц | -4В | 4В | 40 | 100на ИКБО | ПНП | 40 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1820GRL | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-2sd18200rl-datasheets-4797.pdf | СК-85 | 2SD1820 | 150 мВт | 50В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 600 мВ при 30 мА, 300 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS751RLRPG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 75 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mps751-datasheets-2279.pdf | -60В | -2А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | МПС751 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 75 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 60В | 60В | 500мВ | 60В | 2А | 75 МГц | 80В | 5В | 75 | 100на ИКБО | ПНП | 75 @ 1А 2В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817K25WE6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bc817k25e6327htsa1-datasheets-0938.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | совместимый | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BC817 | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 250 мВт | 170 МГц | 45В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 160 @ 100 мА 1 В | 170 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3643_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3643-datasheets-9069.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3643 | 625 МВт | 30 В | 500 мА | 50нА | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 220 мВ при 15 мА, 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1119ГРЛ | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-2sd1119grl-datasheets-0488.pdf | ТО-243АА | 2SD1119 | МиниП3-Ф2 | 1 Вт | 25 В | 3А | 100на ИКБО | НПН | 230 @ 500 мА 2 В | 150 МГц | 1 В при 100 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STX690A | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stx690a-datasheets-0627.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | 900мВт | НИЖНИЙ | STX690 | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30 В | 30 В | 3А | 100 МГц | 3А | 40В | 5В | 10 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 500 мА 2 В | 400 мВ при 100 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STW2040 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stw2040-datasheets-0633.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | 125 Вт | STW2040 | 3 | Одинокий | 125 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 500В | 500В | 20А | 9В | 21 | 250 мкА | НПН | 15 @ 6А 5В | 500 мВ при 1,2 А, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ST26025A | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-st26025a-datasheets-0642.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 0,01. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 160 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | ST26025 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 160 Вт | 100В | 3В | 20А | 100В | 1 мА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 10 А 3 В | 3 В при 200 мА, 20 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5654G0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-2sc565400l-datasheets-3048.pdf | СК-85 | 85 | 150 мВт | 2SC5654 | SMini3-F2 | 150 мВт | 20 В | 20 В | 100 мВ | 1А | 20 В | 1А | НПН | 160 @ 100 мА 2 В | 180 МГц | 100 мВ при 10 мА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STX13005G | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stx13005-datasheets-9286.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 3 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,8 Вт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | STX13005 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 2,8 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 400В | 3А | 700В | 9В | 1 мА | НПН | 8 @ 2А 5В | 5 В при 750 мА, 3 А |
